講演・口頭発表等 - 山下 善文
-
不純物をドープしたSiGe膜中の貫通転位運動
第72回応用物理学会学術講演会 2011年
-
DLTS Study of Pd-H Complexes in Si
14th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors 2011年
-
貫通転位運動制御による高速デバイス用歪SiGe膜作製法の開発
知恵の見本市2011 2011年
-
Si基板上SiGe薄膜中の転位運動に対する不純物ドープの影響
日本物理学会2011年秋季大会 2011年
-
SiGe膜中の貫通転位運動に対する不純物ドープの効果
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
発光性Er-Si-O化合物欠陥のESRによる研究
2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会 2011年
-
DLTS法によるSI中Pd-H欠陥のアニール挙動評価
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
4H-SiC単結晶中の転位運動の研究
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
4H-SiC中のZ1/2欠陥密度に対する種々のプラズマ処理効果
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
酸化亜鉛の発光に対する水蒸気プラズマ効果
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
薄膜X線回折装置を用いたSiGe膜の歪緩和制御に関する研究
2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会 2011年
-
水素および水蒸気プラズマ処理によるInGaNの発光増大
2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会 2011年
-
応力印加赤外吸収法によるSi 中白金－重水素複合欠陥の局在振動評価
2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会 2011年
-
種々のプラズマ処理による4H-SiC中の欠陥密度変化
2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会 2011年
-
電子スピン共鳴法によるSi酸化膜中欠陥の同定
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
応力印加DLTS法によるSi中のPd-H複合欠陥の研究
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
In0.1Ga0.9Nの発光に対するプラズマ処理とアニールの効果
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
発光性Er-Si-O化合物中欠陥のESRによる研究
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
SbドープによるSiGe膜中の貫通転位運動促進効果
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年
-
応力印加赤外吸収法によるSi中白金-重水素複合欠陥の研究
応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会 2011年