2022/11/02 更新

写真a

ゴトウ ヒデノリ
後藤 秀徳
GOTO Hidenori
所属
異分野基礎科学研究所 准教授
職名
准教授
外部リンク

研究キーワード

  • 物性実験

研究分野

  • ナノテク・材料 / ナノ構造物理

  • 自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系

学歴

  • 東京大学大学院   理学系研究科   物理学専攻博士課程

    1993年4月 - 1998年9月

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  • 東京大学大学院   理学系研究科   物理学専攻修士課程

    1991年4月 - 1993年3月

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  • 東京大学    

    1987年4月 - 1991年3月

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経歴

  • 岡山大学

    2011年4月 - 現在

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  • 筑波大学

    2007年4月 - 2011年3月

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  • 理化学研究所

    1999年5月 - 2007年3月

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論文

  • Band Engineering of Bilayer Graphene through Combination of Direct Electron Transfer and Electrostatic Gating 査読

    Lei Zhi, Hidenori Goto, Akihisa Takai, Akari Miura, Shino Hamao, Ritsuko Eguchi, Takao Nishikawa, Shizuo Tokito, Yoshihiro Kubozono

    The Journal of Physical Chemistry C   124 ( 43 )   24001 - 24008   2020年10月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c07537

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  • Difference in gating and doping effects on the band gap in bilayer graphene 査読

    Takaki Uchiyama, Hidenori Goto, Hidehiko Akiyoshi, Ritsuko Eguchi, Takao Nishikawa, Hiroshi Osada, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   7   2017年9月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    A band gap is opened in bilayer graphene (BLG) by applying an electric field perpendicular to the layer, which offers versatility and controllability in graphene-based electronics. The presence of the band gap has been confirmed using double-gated BLG devices in which positive and negative gate voltages are applied to each side of BLG. An alternative method to induce the electric field is electron and hole doping of each side of BLG using electron-transfer adsorbates. However, the generation of the band gap by carrier doping is still under investigation. Here, we determined whether the electron/hole doping can produce the electric field required to open the band gap by measuring the temperature dependence of conductivity for BLG placed between electron-donor self-assembled monolayers (SAMs) and electron-acceptor molecules. We found that some devices exhibited a band gap and others did not. The potentially irregular and variable structure of SAMs may affect the configuration of the electric field, yielding variable electronic properties. This study demonstrates the essential differences between gating and doping.

    DOI: 10.1038/s41598-017-11822-9

    Web of Science

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  • Carrier Accumulation in Graphene with Electron Donor/Acceptor Molecules 査読

    Hidehiko Akiyoshi, Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Yukihiro Yoshida, Gunzi Saito, Yoshihiro Kubozono

    Advanced Electronic Materials   1 ( 7 )   1500073 - 1500073   2015年7月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/aelm.201500073

    Web of Science

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  • Electric double-layer capacitance between an ionic liquid and few-layer graphene 査読

    Uesugi Eri, Goto Hidenori, Eguchi Ritsuko, Fujiwara Akihiko, Kubozono Yoshihiro

    Scientific Reports   3 ( 1 )   2013年12月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Ionic-liquid gates have a high carrier density due to their atomically thin electric double layer (EDL) and extremely large geometrical capacitance C-g. However, a high carrier density in graphene has not been achieved even with ionic-liquid gates because the EDL capacitance C-EDL between the ionic liquid and graphene involves the series connection of C-g and the quantum capacitance C-q, which is proportional to the density of states. We investigated the variables that determine C-EDL at the molecular level by varying the number of graphene layers n and thereby optimising C-q. The C-EDL value is governed by C-q at n, 4, and by C-g at n > 4. This transition with n indicates a composite nature for C-EDL. Our finding clarifies a universal principle that determines capacitance on a microscopic scale, and provides nanotechnological perspectives on charge accumulation and energy storage using an ultimately thin capacitor.

    DOI: 10.1038/srep01595

    Web of Science

    CiNii Article

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    その他リンク: http://www.nature.com/articles/srep01595.pdf

  • Parity effects in few-layer graphene 査読

    Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Nano Letters   13 ( 11 )   5153 - 5158   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We study the electronic properties in few-layer graphenes (FLGs) classified by even/odd layer number n. FLGs with even n have only parabolic energy dispersions, whereas FLGs with odd n have a linear dispersion besides parabolic ones. This difference leads to a distinct density of states in FLGs, experimentally confirmed by the gate-voltage dependence of the electric double-layer capacitance. Thus, FLGs with odd n are unique materials that have relativistic carriers originating in linear energy dispersion. © 2013 American Chemical Society.

    DOI: 10.1021/nl402404z

    Web of Science

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  • Edge-Dependent Transport Properties in Graphene 査読

    Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Akihiko Fujiwara, Yoshihiro Kubozono

    NANO LETTERS   13 ( 3 )   1126 - 1130   2013年3月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER CHEMICAL SOC  

    Graphene has two kinds of edges which have different electronic properties. A singular electronic state emerges at zigzag edges, while it disappears at armchair edges. We study the edge-dependent transport properties in few-layer graphene by applying a side gate voltage to the edge with an ionic liquid. The devices indicating a conductance peak at the charge neutrality point have zigzag edges, confirmed by micro-Raman spectroscopy mapping. The hopping transport between zigzag edges increases the conductance.

    DOI: 10.1021/nl3044844

    Web of Science

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  • Gate control of spin transport in multilayer graphene 査読

    Goto H, Kanda A, Sato T, Tanaka S, Ootuka Y, Odaka S, Miyazaki H, Tsukagoshi K, Aoyagi Y

    Applied Physics Letters   92 ( 21 )   212110   2008年

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    出版者・発行元:AIP  

    DOI: 10.1063/1.2937836

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  • Superconducting Properties of Pd1–xPtxBi2 over a Wide Pressure Range

    Ai Suzuki, Mitsuki Ikeda, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Yasuhiro Takabayashi, Kouichi Hayashi, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    The Journal of Physical Chemistry C   126 ( 23 )   9948 - 9955   2022年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.2c01972

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  • Pressure dependence of superconductivity in alkali-Bi compounds KBi2 and RbBi2

    Huan Li, Mitsuki Ikeda, Ai Suzuki, Tomoya Taguchi, Yanting Zhang, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yen-Fa Liao, Hirofumi Ishii, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   24 ( 12 )   7185 - 7194   2022年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ROYAL SOC CHEMISTRY  

    The structural and superconducting properties of alkali-Bi-based compounds, KBi2 and RbBi2, were investigated over a wide pressure range for the first time. The samples of KBi2 and RbBi2 were prepared using a liquid ammonia (NH3) technique, and demonstrated superconductivity with superconducting transition temperatures, T-c, of 3.50 and 4.21 K at ambient pressure, respectively. The onset superconducting transition temperature, T-c(onset), of KBi2 decreased slightly; however, it suddenly jumped at 2 GPa and increased gradually with pressure, indicating the presence of two superconducting phases in the low-pressure range. The pressure-dependent X-ray diffraction patterns indicate that the KBi2 sample decomposed into KBi and Bi at pressures higher than 2.5 GPa. Moreover, a discontinuous change in T-c(onset) was observed for KBi2 at 9 GPa, which reflects the decomposition of KBi2 into KBi and Bi. By contrast, the value of T-c(onset) of RbBi2 was almost constant over a pressure range of 0-8 GPa. Thus, the superconducting properties and stability of alkali-Bi-based compounds against pressure were comprehensively explored in this study. In addition, the superconducting Cooper pair symmetry was investigated from the magnetic field dependence of T-c of KBi2 at 0.790 and 2.32 GPa, and of RbBi2 at 1.17 GPa, indicating the exact deviation from the simple s-wave paring model, which may be due to the complex electronic structure of Bi. The results elucidated the exotic superconducting properties of KBi2 and RbBi2 based on the pressure and magnetic field dependence of T-c and verified the chemical stability of KBi2 under pressure.

    DOI: 10.1039/d2cp00679k

    Web of Science

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  • Evaluation of Effective Field-Effect Mobility in Thin-Film and Single-Crystal Transistors for Revisiting Various Phenacene-Type Molecules

    Yanting Zhang, Ritsuko Eguchi, Shino Hamao, Hideki Okamoto, Hidenori Goto, Yoshihiro Kubozono

    ACS OMEGA   7 ( 6 )   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER CHEMICAL SOC  

    The magnitude of the field-effect mobility mu of organic thin-film and single-crystal field-effect transistors (FETs) has been over-estimated in certain recent studies. These reports set alarm bells ringing in the research field of organic electronics. Herein, we report a precise evaluation of the mu values using the effective field-effect mobility, mu(eff), a new indicator that is recently designed to prevent the FET performance of thin-film and single-crystal FETs based on various phenacene molecules from being overestimated. The transfer curves of a range of FETs based on phenacene are carefully categorized on the basis of a previous report. The exact evaluation of the value of mu(eff) depends on the exact classification of each transfer curve. The transfer curves of all our phenacene FETs could be successfully classified based on the method indicated in the aforementioned report, which made it possible to evaluate the exact value of mu(eff) for each FET. The FET performance based on the values of mu(eff) obtained in this study is discussed in detail. In particular, the mu(eff) values of single-crystal FETs are almost consistent with the mu values that were reported previously, but the mu(eff) values of thin-film FETs were much lower than those previously reported for mu, owing to a high absolute threshold voltage, vertical bar V-th vertical bar. The increase in the field-effect mobility as a function of the number of benzene rings, which was previously demonstrated based on the mu values of single-crystal FETs with phenacene molecules, is well reproduced from the mu(eff) values. The FET performance is discussed based on the newly evaluated mu(eff) values, and the future prospects of using phenacene molecules in FET devices are demonstrated.

    DOI: 10.1021/acsomega.1c06932

    Web of Science

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  • Superconductivity of topological insulator Sb2Te3−ySey under pressure 査読

    Tomoya Taguchi, Mitsuki Ikeda, Huan Li, Ai Suzuki, Xiaofan Yang, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Hiromi Ota, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Journal of Physics: Condensed Matter   33 ( 48 )   485704 - 485704   2021年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648x/ac244b

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ac244b/pdf

  • Superconducting properties of BaBi3 at ambient and high pressures 査読

    Yanan Wang, Tomoya Taguchi, Huan Li, Ai Suzuki, Yanting Zhang, Akari Miura, Mitsuki Ikeda, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Takafumi Miyazaki, Yen-Fa Liao, Hirofumi Ishii, Yoshihiro Kubozono

    Physical Chemistry Chemical Physics   23 ( 40 )   23014 - 23023   2021年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d1cp00042j

    Web of Science

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  • Pressure Dependence of Superconducting Behavior of 4d and 5d Transition Metal Compounds CaRh2 and CaIr2 査読

    Huan Li, Tomoya Taguchi, Yanan Wang, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Yoshihiro Kubozono

    The Journal of Physical Chemistry C   125 ( 37 )   20617 - 20625   2021年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c06207

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  • Emergence of a Pressure-Driven Superconducting Phase in Ba0.77Na0.23Ti2Sb2O 査読

    Tomoya Taguchi, Yanan Wang, Xiaofan Yang, Huan Li, Yasuhiro Takabayashi, Kouichi Hayashi, Takafumi Miyazaki, Yen-Fa Liao, Hirofumi Ishii, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Inorganic Chemistry   60 ( 6 )   3585 - 3592   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.0c02836

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  • Fabrication of ring oscillators using organic molecules of phenacene and perylenedicarboximide 査読

    Niko Fioravanti, Luca Pierantoni, Davide Mencarelli, Claudio Turchetti, Shino Hamao, Hideki Okamoto, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Akihiko Fujiwara, Yoshihiro Kubozono

    RSC Advances   11 ( 13 )   7538 - 7551   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d1ra00511a

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  • Superconductivity in topological insulator β-PdBi2 under pressure 査読

    Ai Suzuki, Tomoya Taguchi, Huan Li, Yanan Wang, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Journal of Physics: Condensed Matter   33 ( 13 )   135702 - 135702   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648x/abd99c

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/abd99c/pdf

  • Electronic structures of Bi2Se3 and AgxBi2Se3 under pressure studied by high-resolution x-ray absorption spectroscopy and density functional theory calculations 査読

    Hitoshi Yamaoka, Harald O. Jeschke, Xiaofan Yang, Tong He, Hidenori Goto, Nozomu Hiraoka, Hirofumi Ishii, Jun'ichiro Mizuki, Yoshihiro Kubozono

    Physical Review B   102 ( 15 )   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/physrevb.102.155118

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.102.155118/fulltext

  • Superconducting behavior of BaTi2Bi2O and its pressure dependence 査読

    Yanan Wang, Huan Li, Tomoya Taguchi, Ai Suzuki, Akari Miura, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Takafumi Miyazaki, Yen-Fa Liao, Hirofumi Ishii, Yoshihiro Kubozono

    Physical Chemistry Chemical Physics   22 ( 40 )   23315 - 23322   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d0cp04771f

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  • Superconductivity in Bi2−xSbxTe3−ySey (x = 1.0 and y = 2.0) under pressure 査読

    Tong He, Xiaofan Yang, Tomoya Taguchi, Lei Zhi, Takafumi Miyazaki, Kaya Kobayashi, Jun Akimitsu, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Journal of Physics: Condensed Matter   32 ( 46 )   465702 - 465702   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648x/abaad2

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/abaad2/pdf

  • A new protocol for the preparation of superconducting KBi2 査読

    Huan Li, Yanan Wang, Yutaro Aoki, Saki Nishiyama, Xiaofan Yang, Tomoya Taguchi, Akari Miura, Ai Suzuki, Lei Zhi, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Takashi Kambe, Yen-Fa Liao, Hirofumi Ishii, Yoshihiro Kubozono

    RSC Advances   10 ( 45 )   26686 - 26692   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d0ra04541a

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  • Structure and superconducting properties of multiple phases of (NH3)yAExFeSe (AE: Ca, Sr and Ba) 査読

    Huan Li, Yanan Wang, Xiaofan Yang, Tomoya Taguchi, Lei Zhi, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Yoshihiro Kubozono

    Journal of Physics: Condensed Matter   32 ( 39 )   395704 - 395704   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648x/ab9911

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ab9911/pdf

  • Inhomogeneous superconductivity in thin crystals of FeSe1−xTex (x=1.0, 0.95, and 0.9) 査読

    Ritsuko Eguchi, Megumi Senda, Eri Uesugi, Hidenori Goto, Akihiko Fujiwara, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Takashi Noji, Yoji Koike, Yoshihiro Kubozono

    Materials Research Express   7 ( 3 )   036001 - 036001   2020年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/2053-1591/ab7c85

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/ab7c85/pdf

  • Superconducting properties of (NH3)yLixFeSe0.5Te0.5 under pressure 査読

    Xiaofan Yang, Tong He, Tomoya Taguchi, Huan Li, Yanan Wang, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Takafumi Miyazaki, Hitoshi Yamaoka, Hirofumi Ishii, Yen Fa Liao, Yoshihiro Kubozono

    New Journal of Physics   21 ( 11 )   113010   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1367-2630/ab5034

    Scopus

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  • Preparation and characterization of superconducting Ba1-xCsxTi2Sb2O, and its pressure dependence of superconductivity 査読

    Wang Yanan, Yang Xiaofan, Taguchi Tomoya, Li Huan, He Tong, Goto Hidenori, Eguchi Ritsuko, Miyazaki Takafumi, Liao Yen-Fa, Ishii Hirofumi, Kubozono Yoshihiro

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( 11 )   110603-1 - 110603-7   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4ef5

    Web of Science

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    その他リンク: http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab4ef5/pdf

  • Superconducting behavior of a new metal iridate compound, SrIr2, under pressure 査読

    Xiaofan Yang, Huan Li, Tong He, Tomoya Taguchi, Yanan Wang, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Rie Horie, Kazumasa Horigane, Kaya Kobayashi, Jun Akimitsu, Hirofumi Ishii, Yen Fa Liao, Hitoshi Yamaoka, Yoshihiro Kubozono

    Journal of Physics Condensed Matter   32 ( 2 )   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-648X/ab4605

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  • Pressure-induced superconductivity in Bi2-xSbxTe3-ySey 査読

    Tong He, Xiaofan Yang, Tomoya Taguchi, Teppei Ueno, Kaya Kobayashi, Jun Akimitsu, Hitoshi Yamaoka, Hirofumi Ishii, Yen Fa Liao, Hiromi Ota, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Kensei Terashima, Takayoshi Yokoya, Harald O. Jeschke, Xianxin Wu, Yoshihiro Kubozono

    Physical Review B   100 ( 9 )   094525-1 - 094525-11   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.100.094525

    Web of Science

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  • Fabrication of flexible high-performance organic field-effect transistors using phenacene molecules and their application toward flexible CMOS inverters 査読

    Emanuela Pompei, Claudio Turchetti, Shino Hamao, Akari Miura, Hidenori Goto, Hideki Okamoto, Akihiko Fujiwara, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Journal of Materials Chemistry C   7 ( 20 )   6022 - 6033   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c8tc05824e

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  • Fermi level tuning of Ag-doped Bi2Se3 topological insulator 査読

    Eri Uesugi, Takaki Uchiyama, Hidenori Goto, Hiromi Ota, Teppei Ueno, Hirokazu Fujiwara, Kensei Terashima, Takayoshi Yokoya, Fumihiko Matsui, Jun Akimitsu, Kaya Kobayashi, Yoshihiro Kubozono

    Scientific Reports   9 ( 1 )   5376   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-41906-7

    Web of Science

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    その他リンク: http://www.nature.com/articles/s41598-019-41906-7

  • Synthesis of the extended phenacene molecules, [10]phenacene and [11]phenacene, and their performance in a field-effect transistor 査読

    Hideki Okamoto, Shino Hamao, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Yasuhiro Takabayashi, Paul Yu, Hsiang Yen, Luo Uei Liang, Chia Wei Chou, Germar Hoffmann, Shin Gohda, Hisako Sugino, Yen Fa Liao, Hirofumi Ishii, Yoshihiro Kubozono

    Scientific Reports   9 ( 1 )   4009   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-019-39899-4

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  • Preparation and characterization of a new metal-intercalated graphite superconductor 査読

    Yang Xiaofan, Taguchi Tomoya, Wang Yanan, He Tong, Uchiyama Takaki, Takai Akihisa, Zhi Lei, Miyazaki Takafumi, Goto Hidenori, Eguchi Ritsuko, Ishii Hirofumi, Liao Yen-Fa, Yamaoka Hitoshi, Kubozono Yoshihiro

    MATERIALS RESEARCH EXPRESS   6 ( 1 )   016003   2018年10月

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  • Pressure dependence of superconductivity in low- and high- T c phases of (NH3)yNaxFeSe 査読

    Takahiro Terao, Xiaofan Yang, Xiao Miao, Lu Zheng, Hidenori Goto, Takafumi Miyazaki, Hitoshi Yamaoka, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Yoshihiro Kubozono

    Physical Review B   97 ( 9 )   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

    We prepared two superconducting phases, which are called "low-Tc phase" and "high-Tc phase" of (NH3)yNaxFeSe showing Tc's of 35 and 44 K, respectively, at ambient pressure, and studied the superconducting behavior and structure of each phase under pressure. The Tc of the 35 K at ambient pressure rapidly decreases with increasing pressure up to 10 GPa, and it remains unchanged up to 22 GPa. Finally, superconductivity was not observed down to 1.4 K at 29 GPa, i.e., Tc&lt
    1.4K. The Tc of the 44 K phase also shows a monotonic decrease up to 15 GPa and it weakly decreases up to 25 GPa. These behaviors suggest no pressure-driven high-Tc phase (called "SC-II") between 0 and 25 GPa for the low-Tc and high-Tc phases of (NH3)yNaxFeSe, differing from the behavior of (NH3)yCsxFeSe, which has a pressure-driven high-Tc phase (SC-II) in addition to the superconducting phase (SC-I) observed at ambient and low pressures. The Tc-c phase diagram for both low-Tc and high-Tc phases shows that the Tc can be linearly scaled with c (or FeSe plane spacing), where c is a lattice constant. The reason why a pressure-driven high-Tc phase (SC-II) was found for neither low-Tc nor high-Tc phases of (NH3)yNaxFeSe is fully discussed, suggesting a critical c value as the key to forming the pressure-driven high-Tc phase (SC-II). Finally, the precise Tc-c phase diagram is depicted using the data obtained thus far from FeSe codoped with a metal and NH3 or amine, indicating two distinct Tc-c lines below c=17.5Å.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.97.094505

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  • Pressure-induced superconductivity in AgxBi2-xSe3 査読

    Tong He, Xiaofan Yang, Takahiro Terao, Takaki Uchiyama, Teppei Ueno, Kaya Kobayashi, Jun Akimitsu, Takafumi Miyazaki, Takumi Nishioka, Koji Kimura, Kouichi Hayashi, Naohisa Happo, Hitoshi Yamaoka, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Hiromi Ota, Hidenori Goto, Yoshihiro Kubozono

    Physical Review B   97 ( 10 )   2018年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

    We investigated the pressure dependence of electric transport and crystal structure of Ag-doped Bi2Se3. In the sample prepared by Ag doping of Bi2Se3, the Bi atom was partially replaced by Ag, i.e., Ag0.05Bi1.95Se3. X-ray diffraction patterns of Ag0.05Bi1.95Se3 measured at 0-30 GPa showed three different structural phases, with rhombohedral, monoclinic, and tetragonal structures forming in turn as pressure increased, and structural phase transitions at 8.8 and 24 GPa. Ag0.05Bi1.95Se3 showed no superconductivity down to 2.0 K at 0 GPa, but under pressure, superconductivity suddenly appeared at 11 GPa. The magnetic field (H) dependence of the superconducting transition temperature Tc was measured at 11 and 20.5 GPa, in order to investigate whether the pressure-induced superconducting phase is explained by either p-wave polar model or s-wave model.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.97.104503

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  • Preparation and characterization of a new graphite superconductor: Ca0.5Sr0.5C6 査読

    Saki Nishiyama, Hidenori Fujita, Masatoshi Hoshi, Xiao Miao, Takahiro Terao, Xiaofan Yang, Takafumi Miyazaki, Hidenori Goto, Tomoko Kagayama, Katsuya Shimizu, Hitoshi Yamaoka, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   7   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    We have produced a superconducting binary-elements intercalated graphite, CaxSr1-xCy, with the intercalation of Sr and Ca in highly-oriented pyrolytic graphite; the superconducting transition temperature, T(c1)was similar to 3 K. The superconducting CaxSr1-xCy sample was fabricated with the nominal x value of 0.8, i.e., Ca0.8Sr0.2Cy. Energy dispersive X-ray (EDX) spectroscopy provided the stoichiometry of Ca0.5(2)Sr0.5(2)C-y for this sample, and the X-ray powder diffraction (XRD) pattern showed that Ca0.5(2)Sr0.5(2)Cy took the SrC6-type hexagonal-structure rather than CaC6-type rhombohedral-structure. Consequently, the chemical formula of CaxSr1-xCy sample could be expressed as 'Ca0.5(2)Sr0.5(2)C6'. The XRD pattern of Ca0.5(2)Sr0.5(2)C6 was measured at 0-31 GPa, showing that the lattice shrank monotonically with increasing pressure up to 8.6 GPa, with the structural phase transition occurring above 8.6 GPa. The pressure dependence of Tc was determined from the DC magnetic susceptibility and resistance up to 15 GPa, which exhibited a positive pressure dependence of T-c up to 8.3 GPa, as in YbC6, SrC6, KC8, CaC6 and Ca0.6K0.4C8. The further application of pressure caused the rapid decrease of Tc. In this study, the fabrication and superconducting properties of new binary-elements intercalated graphite, CaxSr1-xCy, are fully investigated, and suitable combinations of elements are suggested for binaryelements intercalated graphite.

    DOI: 10.1038/s41598-017-07763-y

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  • Preparation of new superconductors by metal doping of two-dimensional layered materials using ethylenediamine 査読

    Xiao Miao, Takahiro Terao, Xiaofan Yang, Saki Nishiyama, Takafumi Miyazaki, Hidenori Goto, Yoshihiro Iwasa, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL REVIEW B   96 ( 1 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    We have studied new superconductors prepared by metal doping of two-dimensional (2D) layered materials, FeSe and FeSe0.5Te0.5, using ethylenediamine (EDA). The superconducting transition temperatures (T(c)s) of metal-doped FeSe and metal-doped FeSe0.5Te0.5, i.e., (EDA)(y)MxFeSe and (EDA)(y)MxFeSe0.5Te0.5 (M: Li, Na, and K), were 31-45 K and 19-25 K, respectively. The stoichiometry of each sample was clarified by energy dispersive x-ray (EDX) spectroscopy, and the x-ray powder diffraction pattern indicated a large expansion of lattice constant c, indicating the cointercalation of metal atoms and EDA. The pressure dependence of superconductivity in (EDA)(y)NaxFeSe0.5Te0.5 has been investigated at a pressure of 0-0.8GPa, showing negative pressure dependence in the same manner as (NH3)(y)NaxFeSe0.5Te0.5. The T-c-c phase diagrams of MxFeSe and MxFeSe0.5Te0.5 were drawn afresh from the T-c and c of (EDA)(y)MxFeSe and (EDA)(y)MxFeSe0.5Te0.5, showing that the T-c increases with increasing c but that extreme expansion of c reverses the T-c trend.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.96.014502

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  • Transistor properties of exfoliated single crystals of 2H-Mo(Se1-x Te-x) 2 ( 0 <= x <= 1) 査読

    Eri Uesugi, Xiao Miao, Hiromi Ota, Hidenori Goto, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL REVIEW B   95 ( 24 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    Field-effect transistors (FETs) were fabricated using exfoliated single crystals of Mo(Se1-x Te-x)(2) with an x range of 0 to 1, and the transistor properties fully investigated at 295 K in four-terminal measurement mode. The chemical composition and crystal structure of exfoliated single crystals were identified by energy-dispersive x-ray spectroscopy (EDX), single-crystal x-ray diffraction, and Raman scattering, suggesting the 2H - structure in all Mo(Se1-x Te-x)(2). The lattice constants of a and c increase monotonically with increasing x, indicating the substitution of Se by Te. When x < 0.4 in a FET with a thin single crystal of Mo(Se1-x Te-x)(2), n-channel FET properties were observed, changing to p-channelor ambipolar operation for x > 0.4. In contrast, the polarity of a thick single-crystal Mo(Se1-x Te-x)(2) FET did not change despite an increase in x. The change of polarity in a thin single-crystal FET was well explained by the variation of electronic structure. The absence of such change in the thick single-crystal FET can be reasonably interpreted based on the large bulk conduction due to naturally accumulated electrons. The mu value in the thin single-crystal FET showed a parabolic variation, with a minimum mu at around x = 0.4, which probably originates from the disorder of the single crystal caused by the partial replacement of Se by Te, i.e., a disorder that may be due to ionic size difference of Se and Te.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.95.245310

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  • Electrostatic electron-doping yields superconductivity in LaOBiS2 査読

    Eri Uesugi, Saki Nishiyama, Hidenori Goto, Hiromi Ota, Yoshihiro Kubozono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 ( 25 )   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    Electrostatic carrier-doping is attracting serious attention as a meaningful technique for producing interesting electronic states in two-dimensional (2D) layered materials. Ionic-liquid gating can provide the critical carrier density required to induce the metal-insulator transition and superconductivity. However, the physical properties of only a few materials have been controlled by the electrostatic carrier-doping during the past decade. Here, we report an observation of superconductivity in a 2D layered material, LaOBiS2, achieved by the electrostatic electron-doping. The electron doping of LaOBiS2 induced metallic conductivity in the normally insulating LaOBiS2, ultimately led to superconductivity. The superconducting transition temperature, T-c, was 3.6 K, higher than the 2.7K seen in LaO1-xFxBiS2 with an electron-doped BiS2 layer. A rapid drop in resistance (R) was observed at low temperature, which disappeared with the application of high magnetic fields, implying a superconducting state. This study reveals that electron-doping is an important technique for inducing superconductivity in 2D layered BiS2 materials. Published by AIP Publishing.

    DOI: 10.1063/1.4972400

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  • Photoelectron Holographic Atomic Arrangement Imaging of Cleaved Bimetal-intercalated Graphite Superconductor Surface 査読

    Fumihiko Matsui, Ritsuko Eguchi, Saki Nishiyama, Masanari Izumi, Eri Uesugi, Hidenori Goto, Tomohiro Matsushita, Kenji Sugita, Hiroshi Daimon, Yuji Hamamoto, Ikutaro Hamada, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   6   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    From the C 1s and K 2p photoelectron holograms, we directly reconstructed atomic images of the cleaved surface of a bimetal-intercalated graphite superconductor, (Ca, K) C-8, which differed substantially from the expected bulk crystal structure based on x-ray diffraction (XRD) measurements. Graphene atomic images were collected in the in-plane cross sections of the layers 3.3 angstrom and 5.7 angstrom above the photoelectron emitter C atom and the stacking structures were determined as AB-and AA-type, respectively. The intercalant metal atom layer was found between two AA-stacked graphenes. The K atomic image revealing 2 x 2 periodicity, occupying every second centre site of C hexagonal columns, was reconstructed, and the Ca 2p peak intensity in the photoelectron spectra of (Ca, K) C-8 from the cleaved surface was less than a few hundredths of the K 2p peak intensity. These observations indicated that cleavage preferentially occurs at the KC8 layers containing no Ca atoms.

    DOI: 10.1038/srep36258

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  • Superconductivity in (NH3)(y)NaxFeSe0.5Te0.5 査読

    Lu Zheng, Yusuke Sakai, Xiao Miao, Saki Nishiyama, Takahiro Terao, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL REVIEW B   94 ( 17 )   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    Na-intercalated FeSe0.5Te0.5 was prepared using the liquid NH3 technique, and a superconducting phase exhibiting a superconducting transition temperature (T-c) as high as 27 K was discovered. This can be called the high-T-c phase since a 21 K superconducting phase was previously obtained in (NH3)(y)NaxFeSe0.5Te0.5. The chemical composition of the high-T-c phase was determined to be (NH3)(0.61(4))Na-0.63(5) Fe0.85Se0.55(3) Te-0.44(2). The x-ray diffraction patterns of both phases show that a larger lattice constant c (i.e., FeSe0.5Te0.5 plane spacing) produces a higher T-c. This behavior is the same as that of metal-doped FeSe, suggesting that improved Fermi-surface nesting produces the higher T-c. The high-T-c phase converted to the low-T-c phase within several days, indicating that it is a metastable phase. The temperature dependence of resistance for both phases was recorded at different magnetic fields, and the critical fields were determined for both phases. Finally, the T-c versus c phase diagram was prepared for the metal-doped FeSe0.5Te0.5, which is similar to that of metal-doped FeSe, although the T-c is lower.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.94.174505

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  • Chemical analysis of superconducting phase in K-doped picene 査読

    Takashi Kambe, Saki Nishiyama, Huyen L. T. Nguyen, Takahiro Terao, Masanari Izumi, Yusuke Sakai, Lu Zheng, Hidenori Goto, Yugo Itoh, Taiki Onji, Tatsuo C. Kobayashi, Hisako Sugino, Shin Gohda, Hideki Okamoto, Yoshihiro Kubozono

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   28 ( 44 )   2016年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    Potassium-doped picene (K(3.0)picene) with a superconducting transition temperature (TC) as high as 14 K at ambient pressure has been prepared using an annealing technique. The shielding fraction of this sample was 5.4% at 0 GPa. The TC showed a positive pressure-dependence and reached 19 K at 1.13 GPa. The shielding fraction also reached 18.5%. To investigate the chemical composition and the state of the picene skeleton in the superconducting sample, we used energy-dispersive x-ray (EDX) spectroscopy, MALDI-time-of-flight (MALDI-TOF) mass spectroscopy and x-ray diffraction (XRD). Both EDX and MALDI-TOF indicated no contamination with materials other than K-doped picene or K-doped picene fragments, and supported the preservation of the picene skeleton. However, it was also found that a magnetic K-doped picene sample consisted mainly of picene fragments or K-doped picene fragments. Thus, removal of the component contributing the magnetic quality to a superconducting sample should enhance the volume fraction.

    DOI: 10.1088/0953-8984/28/44/444001

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  • Recent progress on carbon-based superconductors 査読

    Yoshihiro Kubozono, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Shino Hamao, Takashi Kambe, Takahiro Terao, Saki Nishiyama, Lu Zheng, Xiao Miao, Hideki Okamoto

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   28 ( 33 )   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    This article reviews new superconducting phases of carbon-based materials. During the past decade, new carbon-based superconductors have been extensively developed through the use of intercalation chemistry, electrostatic carrier doping, and surface-proving techniques. The superconducting transition temperature T-c of these materials has been rapidly elevated, and the variety of superconductors has been increased. This review fully introduces graphite, graphene, and hydrocarbon superconductors and future perspectives of high-T-c superconductors based on these materials, including present problems. Carbon-based superconductors show various types of interesting behavior, such as a positive pressure dependence of T-c. At present, experimental information on superconductors is still insufficient, and theoretical treatment is also incomplete. In particular, experimental results are still lacking for graphene and hydrocarbon superconductors. Therefore, it is very important to review experimental results in detail and introduce theoretical approaches, for the sake of advances in condensed matter physics. Furthermore, the recent experimental results on hydrocarbon superconductors obtained by our group are also included in this article. Consequently, this review article may provide a hint to designing new carbon-based superconductors exhibiting higher T-c and interesting physical features.

    DOI: 10.1088/0953-8984/28/33/334001

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  • Emergence of superconductivity in (NH3)(y)MxMoSe2 (M: Li, Na and K) 査読

    Xiao Miao, Saki Nishiyama, Lu Zheng, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Hiromi Ota, Takashi Kambe, Kensei Terashima, Takayoshi Yokoya, Huyen T. L. Nguyen, Tomoko Kagayama, Naohisa Hirao, Yasuo Ohishi, Hirofumi Ishii, Yen-Fa Liao, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   6   2016年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    We report syntheses of new superconducting metal-doped MoSe2 materials (MxMoSe2). The superconducting MxMoSe2 samples were prepared using a liquid NH3 technique, and can be represented as '(NH3)(y)MxMoSe2'. The T(c)s of these materials were approximately 5.0 K, independent of x and the specific metal atom. X-ray diffraction patterns of (NH3)(y)NaxMoSe2 were recorded using polycrystalline powders. An increase in lattice constant c showed that the Na atom was intercalated between MoSe2 layers. The x-independence of c was observed in (NH3)(y)NaxMoSe2, indicating the formation of a stoichiometric compound in the entire x range, which is consistent with the x-independence of T-c. A metallic edge of the Fermi level was observed in the photoemission spectrum at 30 K, demonstrating its metallic character in the normal state. Doping of MoSe2 with Li and K also yielded superconductivity. Thus, MoSe2 is a promising material for designing new superconductors, as are other transition metal dichalcogenides.

    DOI: 10.1038/srep29292

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  • Fabrication of new superconducting materials, CaxK1-xCy (0 < x < 1) 査読

    Huyen T. L. Nguyen, Saki Nishiyama, Masanari Izumi, Lu Zheng, Xiao Miao, Yusuke Sakai, Hidenori Goto, Naohisa Hirao, Yasuo Ohishi, Tomoko Kagayama, Katsuya Shimizu, Yoshihiro Kubozono

    CARBON   100   641 - 646   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD  

    Metal intercalation to graphite produces various types of superconductors. The highest superconducting transition temperature T-c (onset temperature, T-c(onset), of 11.5 K) was found in Ca intercalated graphite, denoted CaC6.T-c(onset) increased up to 15.1 K at 7.5 GPa, implying a positive pressure dependence. However, no new metal-intercalated graphite superconductors with T-c(onset) higher than 11.5 K at ambient pressure have so far been reported. To search for new graphite superconductors, we successfully synthesized binary-element-intercalated graphite, CaxK1-xCy. Their structure resembles that of KC8. T-c increased continuously with increasing x. Furthermore, the pressure dependence of T-c in Ca0.6K0.4C8 was investigated over a wide pressure range from 0-43 GPa. T-c (= 9.6 K at 0 GPa) increased to 11.6 K at 3.3 GPa, and decreased to 2.0 K at 41 GPa. This behavior is similar to that of CaC6, albeit with a lower maximum T-c. Xray diffraction patterns were measured under high pressures of 0-24 GPa, and suggest a structural transition at 15 GPa. Evidence is given for superconducting graphite involving binary metal intercalation. (C) 2016 Elsevier Ltd. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.carbon.2016.01.071

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  • Correlation of superconductivity with crystal structure in (NH3)(y)CsxFeSe 査読

    Lu Zheng, Xiao Miao, Yusuke Sakai, Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Saki Nishiyama, Kunihisa Sugimoto, Akihiko Fujiwara, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL REVIEW B   93 ( 10 )   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    The superconducting transition temperature T-c of ammoniated metal-doped FeSe (NH3)(y)MxFeSe (M: metal atom) has been scaled with the FeSe plane spacing, and it has been suggested that the FeSe plane spacing depends on the location of metal atoms in (NH3)(y)MxFeSe crystals. Although the crystal structure of (NH3)(y)LixFeSe exhibiting a high T-c (similar to 44 K) was determined from neutron diffraction, the structure of (NH3)(y)MxFeSe exhibiting a low T-c (similar to 32 K) has not been determined thus far. Here, we determined the crystal structure of (NH3)(y)Cs0.4FeSe (T-c = 33 K) through the Rietveld refinement of the x-ray diffraction (XRD) pattern measured with synchrotron radiation at 30 K. The XRD pattern was analyzed based on two different models, on-center and off-center, under a space group of 14/mmm. In the on-center structure, the Cs occupies the 2a site and the N of NH3 may occupy either the 4c or 2b site, or both. In the off-center structure, the Cs may occupy either the 4c or 2b site, or both, while the N occupies the 2a site. Only an on-center structure model in which the Cs occupies the 2a and the N of NH3 occupies the 4c site provided reasonable results in the Rietveld analysis. Consequently, we concluded that (NH3)(y)Cs0.4FeSe can be assigned to the on-center structure, which produces a smaller FeSe plane spacing leading to the lower T-c.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.93.104508

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  • Synthesis and transistor application of the extremely extended phenacene molecule, [9] phenacene 査読

    Yuma Shimo, Takahiro Mikami, Shino Hamao, Hidenori Goto, Hideki Okamoto, Ritsuko Eguchi, Shin Gohda, Yasuhiko Hayashi, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   6   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    the widespread interest in the chemistry, physics and materials science of such molecules and their potential applications. In particular, extended phenacene molecules, consisting of coplanar fused benzene rings in a repeating W-shaped pattern have attracted much attention because field-effect transistors (FETs) using phenacene molecules show promisingly high performance. Until now, the most extended phenacene molecule available for transistors was [8] phenacene, with eight benzene rings, which showed very high FET performance. Here, we report the synthesis of a more extended phenacene molecule, [9] phenacene, with nine benzene rings. Our synthesis produced enough [9] phenacene to allow the characterization of its crystal and electronic structures, as well as the fabrication of FETs using thin-film and single-crystal [9] phenacene. The latter showed a field-effect mobility as high as 18 cm(2) V-1 s(-1), which is the highest mobility realized so far in organic single-crystal FETs.

    DOI: 10.1038/srep21008

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  • Application of organic semiconductors toward transistors 査読

    Yoshihiro Kubozono, Xuexia He, Shino Hamao, Eri Uesugi, Yuma Shimo, Takahiro Mikami, Hidenori Goto, Takashi Kambe

    Nanodevices for Photonics and Electronics: Advances and Applications   351 - 383   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:論文集(書籍)内論文   出版者・発行元:Pan Stanford Publishing Pte. Ltd.  

    DOI: 10.1201/b19365

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  • 19pBG-9 Kドープピセン14K超伝導相のキャラクタリゼーション

    久保園 芳博, 寺尾 貴博, 西山 佐希, Zheng Lu, 後藤 秀徳, 江口 律子, 岡本 秀毅, 小林 達夫, 神戸 高志, 杉野 久子, 郷田 慎

    日本物理学会講演概要集   71   1851 - 1851   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1851

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  • 21aAK-6 Superconductivity in 2D layered Mo dichalcogenides

    Miao Xiao, Uesugi Eri, Goto Hidenori, Eguchi Ritsuko, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   71   2150 - 2150   2016年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2150

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  • 22aAS-6 分子吸着によるグラフェンの電子状態制御

    秋吉 秀彦, 後藤 秀徳, 上杉 英里, 大山 晶子, 江口 律子, 齋藤 軍治, 吉田 幸大, 長田 洋, 西川 尚男, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   71   1929 - 1929   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1929

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  • 21aAK-7 新規な二次元層状物質における静電的キャリアドーピングと電界誘起超伝導

    上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   71   2151 - 2151   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2151

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  • 22aBN-6 LnOBiS_2(Ln:ランタノイド金属)への金属挿入による多様な超伝導体の発現

    西山 佐希, 上杉 英里, Nguyen Thi Le Huyen, 加賀山 朋子, 清水 克哉, 後藤 秀徳, 江口 律子, 北川 俊作, 小林 達夫, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   71   2377 - 2377   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2377

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  • 1D and 2D Bi Compounds in Field-Effect Transistors 査読

    Eri Uesugi, Saki Nishiyama, Hidehiko Akiyoshi, Hidenori Goto, Yoji Koike, Kazuyoshi Yamada, Yoshihiro Kubozono

    ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS   1 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:WILEY-BLACKWELL  

    DOI: 10.1002/aelm.201500085

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  • Emergence of Multiple Superconducting Phases in (NH3)(y)MxFeSe (M: Na and Li) 査読

    Lu Zheng, Xiao Miao, Yusuke Sakai, Masanari Izumi, Hidenori Goto, Saki Nishiyama, Eri Uesugi, Yuichi Kasahara, Yoshihiro Iwasa, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   5   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    We previously discovered multiple superconducting phases in the ammoniated Na-doped FeSe material, (NH3)(y)NaxFeSe. To clarify the origin of the multiple superconducting phases, the variation of T-c was fully investigated as a function of x in (NH3)(y)NaxFeSe. The 32 K superconducting phase is mainly produced in the low-x region below 0.4, while only a single phase is observed at x = 1.1, with T-c = 45 K, showing that the T-c depends significantly on x, but it changes discontinuously with x. The crystal structure of (NH3)(y)NaxFeSe does not change as x increases up to 1.1, i.e., the space group of I4/mmm. The lattice constants, a and c, of the low-T-c phase (T-c = 32.5 K) are 3.9120(9) and 14.145(8) angstrom, respectively, while a = 3.8266(7) angstrom and c = 17.565(9) angstrom for the high-T-c phase (similar to 46 K). The c increases in the high T-c phase, implying that the T-c is directly related to c. In (NH3)(y)LixFeSe material, the T-c varies continuously within the range of 39 to 44 K with changing x. Thus, the behavior of T-c is different from that of (NH3)(y)NaxFeSe. The difference may be due to the difference in the sites that the Na and Li occupy.

    DOI: 10.1038/srep12774

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  • Superconductivity in aromatic hydrocarbons 査読

    Yoshihiro Kubozono, Hidenori Goto, Taihei Jabuchi, Takayoshi Yokoya, Takashi Kambe, Yusuke Sakai, Masanari Izumi, Lu Zheng, Shino Hamao, Huyen L. T. Nguyen, Masafumi Sakata, Tomoko Kagayama, Katsuya Shimizu

    PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS   514   199 - 205   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    'Aromatic hydrocarbon' implies an organic molecule that satisfies the (4n + 2) pi-electron rule and consists of benzene rings. Doping solid aromatic hydrocarbons with metals provides the superconductivity. The first discovery of such superconductivity was made for K-doped picene (K(x)picene, five benzene rings). Its superconducting transition temperatures (T-c's) were 7 and 18 K. Recently, we found a new superconducting K(x)picene phase with a T-c as high as 14 K, so we now know that K(x)picene possesses multiple superconducting phases. Besides K(x)picene, we discovered new superconductors such as Rb(x)picene and Caxpicene. A most serious problem is that the shielding fraction is <= 615% for K(x)picene and Rb(x)picene, and it is often similar to 1% for other superconductors. Such low shielding fractions have made it difficult to determine the crystal structures of superconducting phases. Nevertheless, many research groups have expended a great deal of effort to make high quality hydrocarbon superconductors in the five years since the discovery of hydrocarbon superconductivity. At the present stage, superconductivity is observed in certain metaldoped aromatic hydrocarbons (picene, phenanthrene and dibenzopentacene), but the shielding fraction remains stubbornly low. The highest priority research area is to prepare aromatic superconductors with a high superconducting volume-fraction. Despite these difficulties, aromatic superconductivity is still a core research target and presents interesting and potentially breakthrough challenges, such as the positive pressure dependence of T-c that is clearly observed in some phases of aromatic hydrocarbon superconductors, suggesting behavior not explained by the standard BCS picture of superconductivity. In this article, we describe the present status of this research field, and discuss its future prospects. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physc.2015.02.015

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  • Emergence of double-dome superconductivity in ammoniated metal-doped FeSe 査読

    Masanari Izumi, Lu Zheng, Yusuke Sakai, Hidenori Goto, Masafumi Sakata, Yuki Nakamoto, Huyen L. T. Nguyen, Tomoko Kagayama, Katsuya Shimizu, Shingo Araki, Tatsuo C. Kobayashi, Takashi Kambe, Dachun Gu, Jing Guo, Jing Liu, Yanchun Li, Liling Sun, Kosmas Prassides, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   5   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    The pressure dependence of the superconducting transition temperature (T-c) and unit cell metrics of tetragonal (NH3)(y)Cs0.4FeSe were investigated in high pressures up to 41 GPa. The T-c decreases with increasing pressure up to 13 GPa, which can be clearly correlated with the pressure dependence of c (or FeSe layer spacing). The T-c vs. c plot is compared with those of various (NH3)(y)MxFeSe (M: metal atoms) materials exhibiting different T-c and c, showing that the T-c is universally related to c. This behaviour means that a decrease in two-dimensionality lowers the T-c. No superconductivity was observed down to 4.3 K in (NH3)(y)Cs0.4FeSe at 11 and 13 GPa. Surprisingly, superconductivity re-appeared rapidly above 13 GPa, with the T-c reaching 49 K at 21 GPa. The appearance of a new superconducting phase is not accompanied by a structural transition, as evidenced by pressure-dependent XRD. Furthermore, T-c slowly decreased with increasing pressure above 21 GPa, and at 41 GPa superconductivity disappeared entirely at temperatures above 4.9 K. The observation of a double-dome superconducting phase may provide a hint for pursuing the superconducting coupling-mechanism of ammoniated/non-ammoniated metal-doped FeSe.

    DOI: 10.1038/srep09477

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  • Erratum: Transistor application of new picene-type molecules, 2,9-dialkylated phenanthro[1,2-b:8,7-b′]dithiophenes (Journal of Materials Chemistry C (2015) 3 DOI: 10.1039/c4tc02413c) 査読

    Yoshihiro Kubozono, Keita Hyodo, Hiroki Mori, Shino Hamao, Hidenori Goto, Yasushi Nishihara

    Journal of Materials Chemistry C   3 ( 12 )   2960   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Royal Society of Chemistry  

    DOI: 10.1039/c5tc90044a

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  • 16pDA-5 静電的にキャリアドープした二次元層状無機化合物 : (BiS_2系、カルコゲナイド系)の電気伝導特性

    上杉 英里, Miao Xiao, 西山 佐希, 江口 律子, 後藤 秀徳, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   70   1719 - 1719   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1719

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  • 16pDA-4 M_xLnOBiS_2(M:金属原子,Ln:ランタノイド原子)超伝導体の合成

    西山 佐希, 上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   70   1718 - 1718   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1718

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  • Transistor application of new picene-type molecules, 2,9-dialkylated phenanthro[1,2-b:8,7-b ']dithiophenes 査読

    Yoshihiro Kubozono, Keita Hyodo, Hiroki Mori, Shino Hamao, Hidenori Goto, Yasushi Nishihara

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   3 ( 10 )   2413 - 2421   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ROYAL SOC CHEMISTRY  

    Field-effect transistors (FETs) have been fabricated with thin films of a series of 2,9-dialkylated phenanthro [1,2-b:8,7-b'] dithiophene derivatives (C-n-PDTs). The FET characteristics of C-n-PDT thin-film FETs with an SiO2 gate dielectric as well as high-k gate dielectrics were recorded, and the dependence of the field-effect mobility, mu, on the number (n) of carbon atoms in the alkyl chains was investigated, showing that the 2,9-didodecylphenanthro[1,2-b:8,7-b'] dithiophene (C-12-PDT) thin-film FET displays superior properties, with mu s as high as 1.8 cm(2) V-1 s(-1) for the SiO2 gate dielectric and 2.2 cm(2) V-1 s(-1) for the HfO2 gate dielectric. The average mu values, <mu >, reach 1.1(5) and 1.8(6) cm(2) V-1 s(-1), respectively, for the SiO2 and ZrO2 gate dielectrics. Low-voltage operation, showing an absolute average threshold voltage <|V-th|> of similar to 11 V, was implemented, together with the above high <mu > of similar to 2 cm(2) V-1 s(-1). Also, a flexible FET was fabricated with a parylene gate dielectric. The results of this study show the potential of the C-12-PDT molecule for application in a high-performance transistor.

    DOI: 10.1039/c4tc02413c

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  • Transistors fabricated using the single crystals of [8]phenacene 査読

    Yuma Shimo, Takahiro Mikami, Hiroto T. Murakami, Shino Hamao, Hidenori Goto, Hideki Okamoto, Shin Gohda, Kaori Sato, Antonio Cassinese, Yasuhiko Hayashi, Yoshihiro Kubozono

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   3 ( 28 )   7370 - 7378   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ROYAL SOC CHEMISTRY  

    Field-effect transistors (FETs) with single crystals of a new phenacene-type molecule, [8]phenacene, were fabricated and characterized. This new molecule consists of a phenacene core of eight benzene rings, with an extended p-conjugated system, which was recently synthesized for use in an FET by our group. The FET characteristics of an [8]phenacene single-crystal FET with SiO2 gate dielectrics show typical p-channel properties with an average field-effect mobility, <mu >, as high as 3(2) cm(2) V-1 s(-1) in two-terminal measurement mode, which is a relatively high value for a p-channel single-crystal FET. The hmi was determined to be 6(2) cm(2) V-1 s(-1) in four-terminal measurement mode. Low-voltage operation was achieved with PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) as the gate dielectric, and an electric-double-layer (EDL) capacitor. The <mu > and average values of absolute threshold voltage, <vertical bar V-th vertical bar >, were 1.6(4) cm(2) V-1 s(-1) and 5(1) V, respectively, for PZT, and 4(2) x 10(-1) cm(2) V-1 s(-1) and 2.38(4) V, respectively, for the EDL capacitor; these values were evaluated in two-terminal measurement mode. The inverter circuit was fabricated using [8]phenacene and N, N'-1H, 1H-perfluorobutyldicyanoperylene-carboxydi-imide single-crystal FETs. This is the first logic gate circuit using phenacene molecules. Furthermore, the relationship between mu and the number of benzene rings was clarified based on this study and the previous studies on phenacene single-crystal FETs.

    DOI: 10.1039/c5tc00960j

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  • Transistor application of new picene-type molecules, 2,9-dialkylated phenanthro[1,2-b:8,7-b '] dithiophenes (vol 3, pg 2413, 2015) 査読

    Yoshihiro Kubozono, Keita Hyodo, Hiroki Mori, Shino Hamao, Hidenori Goto, Yasushi Nishihara

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   3 ( 12 )   2960 - 2960   2015年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ROYAL SOC CHEMISTRY  

    DOI: 10.1039/c5tc90044a

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  • 18aDB-8 High-T_c phase of (NH_3)_yNa_xFeSe_<0.5>Te_<0.5>

    Zheng Lu, Miao Xiao, Eguchi Ritsuko, Goto Hidenori, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   70   1994 - 1994   2015年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1994

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  • 18aDB-9 Syntheses of new superconductors, M_xFeSe_<1-z>Te_z, M_xMo(Se_<1-z>Te_z)_2 and M_xW(Se_<1-z>Te_z)_2

    Miao Xiao, Zheng Lu, Nishiyama Saki, Goto Hidenori, Eguchi Ritsuko, Ota Hiromichi, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   70   1995 - 1995   2015年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1995

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  • Transistor Application of Phenacene Molecules and Their Characteristics 査読

    Yoshihiro Kubozono, Xuexia He, Shino Hamao, Kazuya Teranishi, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Takashi Kambe, Shin Gohda, Yasushi Nishihara

    EUROPEAN JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY   ( 24 )   3806 - 3819   2014年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:WILEY-V C H VERLAG GMBH  

    The characteristics of field-effect transistors (FETs) fabricated from thin films and single crystals of phenacene molecules are fully reported in this review together with the electronic and crystal structures of phenacenes. Phenacene molecules possess a low HOMO level and a wide band gap. The highest mobility observed in the phenacene thin-film FETs is 7.4 cm(2)V(-1)s(-1) for [6]phenacene, and in single-crystal FETs the highest value is 6.3 cm(2)V(-1)s(-1) for [7]phenacene. The phenacene thin-film FETs show O-2-sensing properties unlike their single-crystal FETs. The bias-stress effect is fully investigated for phenacene single-crystal FETs. Furthermore, the low-voltage operation of phenacene single-crystal FETs with electric-double-layer (EDL) capacitors is reported. The temperature dependence of phenacene single-crystal FETs is reported to clarify the transport mechanism, which is suggestive of band-like transport.

    DOI: 10.1002/ejic.201402168

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  • An Extended Phenacene-type Molecule, [8] Phenacene: Synthesis and Transistor Application 査読

    Hideki Okamoto, Ritsuko Eguchi, Shino Hamao, Hidenori Goto, Kazuma Gotoh, Yusuke Sakai, Masanari Izumi, Yutaka Takaguchi, Shin Gohda, Yoshihiro Kubozono

    SCIENTIFIC REPORTS   4   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    A new phenacene-type molecule, [8] phenacene, which is an extended zigzag chain of coplanar fused benzene rings, has been synthesised for use in an organic field-effect transistor (FET). The molecule consists of a phenacene core of eight benzene rings, which has a lengthy pi-conjugated system. The structure was verified by elemental analysis, solid-state NMR, X-ray diffraction (XRD) pattern, absorption spectrum and photoelectron yield spectroscopy (PYS). This type of molecule is quite interesting, not only as pure chemistry but also for its potential electronics applications. Here we report the physical properties of [8] phenacene and its FET application. An [8] phenacene thin-film FET fabricated with an SiO2 gate dielectric showed clear p-channel characteristics. The highest m achieved in an [8] phenacene thin-film FET with an SiO2 gate dielectric is 1.74 cm(2) V-1 s(-1), demonstrating excellent FET characteristics; the average mu was evaluated as 1.2(3) cm(2) V-1 s(-1). The mu value in the [8] phenacene electric-double-layer FET reached 16.4 cm(2) V-1 s(-1), which is the highest reported in EDL FETs based on phenacene-type molecules; the average m was evaluated as 8(5) cm(2) V-1 s(-1). The mu values recorded in this study show that [8] phenacene is a promising molecule for transistor applications.

    DOI: 10.1038/srep05330

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  • Transistor application of alkyl-substituted picene 査読

    Hideki Okamoto, Shino Hamao, Hidenori Goto, Yusuke Sakai, Masanari Izumi, Shin Gohda, Yoshihiro Kubozono, Ritsuko Eguchi

    SCIENTIFIC REPORTS   4   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:NATURE PUBLISHING GROUP  

    Field-effect transistors (FETs) were fabricated with a thin film of 3,10-ditetradecylpicene, picene-(C14H29)(2), formed using either a thermal deposition or a deposition from solution (solution process). All FETs showed p-channel normally-off characteristics. The field-effect mobility, m, in a picene-(C14H29)(2) thin-film FET with PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) gate dielectric reached similar to 21 cm(2) V-1 s(-1), which is the highest mu value recorded for organic thin-film FETs; the averagem mu value (&lt;mu &gt;) evaluated from twelve FET devices was 14(4) cm(2)V(-1) s(-1). The, m. values for picene-(C14H29)(2) thin- film FETs with other gate dielectrics such as SiO2, Ta2O5, ZrO2 and HfO2 were greater than 5 cm(2) V-1 s(-1), and the lowest absolute threshold voltage, vertical bar V-th vertical bar, (5.2 V) was recorded with a PZT gate dielectric; the average jVthj for PZT gate dielectric is 7(1) V. The solution-processed picene-(C14H29)(2) FET was also fabricated with an SiO2 gate dielectric, yielding mu = 3.4 x 10(-2) cm(2) V-1 s(-1). These results verify the effectiveness of picene-(C14H29)(2) for electronics applications.

    DOI: 10.1038/srep05048

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  • Superconducting phases in (NH3)(y)MxFeSe1-zTez (M = Li, Na, and Ca) 査読

    Yusuke Sakai, Lu Zheng, Masanari Izumi, Kazuya Teranishi, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Taiki Onji, Shingo Araki, Tatsuo C. Kobayashi, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL REVIEW B   89 ( 14 )   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    Superconducting phases of (NH3)(y)MxFeSe1-z Te-z have been synthesized by the intercalation of metal atoms (M: Li, Na, Ca) into FeSe and FeSe0.5Te0.5 using a low-temperature liquid NH3 technique. The superconducting transition temperature (T-c) is 31.5 K for Na-doped FeSe, and for Li-, Na-, and Ca-doped FeSe0.5Te0.5 it is 26, 22, and 17 K, respectively. The 31.5 K superconducting is the superconducting phase in ammoniated Na-doped FeSe. The T-c is lower than that (onset T-c = 46 K) of the superconducting phase reported previously. The reason why the T-c of this phase is lower is discussed based on the structure. The pressure dependences of T-c in the (NH3)(y)Na0.5FeSe and (NH3)(y)Na0.4FeSe0.5Te0.5 samples have been measured and a negative pressure dependence is observed; i.e., a decrease in lattice constant c leads to a decrease in Tc, consistent with the behavior of (NH3)(y)Cs0.4FeSe reported previously by our group. Furthermore, the magnetic behavior of (NH3)(y)Na0.4FeSe0.5Te0.5 has been fully investigated at different applied magnetic fields (H) to determine the critical magnetic This is a successful metal intercalation into FeSe1-z Te-z (z not equal 0) and an observation of superconductivity.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.89.144509

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  • Superconducting phases in (NH3)(y)MxFeSe1-zTez (M = Li, Na, and Ca) 査読

    Sakai Yusuke, Zheng Lu, Izumi Masanari, Teranishi Kazuya, Eguchi Ritsuko, Goto Hidenori, Onji Taiki, Araki Shingo, Kobayashi Tatsuo C, Kubozono Yoshihiro

    PHYSICAL REVIEW B   89 ( 14 )   144509   2014年4月

  • Systematic Control of Hole-Injection Barrier Height with Electron Acceptors in [7]phenacene Single-Crystal Field-Effect Transistors 査読

    Xuexia He, Shino Hamao, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Yukihiro Yoshida, Gunzi Saito, Yoshihiro Kubozono

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   118 ( 10 )   5284 - 5293   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER CHEMICAL SOC  

    The interface between the single crystal and the Au source/drain electrodes in [7]phenacene single-crystal field-effect transistors (FETs) was modified using 14 electron acceptors with different redox potentials. The effective hole-injection barrier heights (phi(eff)(h)s) for [7]phenacene single-crystal FETs have been plotted as a function of the redox potential (E-redox) of the inserted electron acceptors, showing that the phi(eff)(h) decreases with increasing E-redox. The highest phi(eff)(h) occurs without inserted material (electron acceptors), and this deviates from the otherwise linear relationship between phi(eff)(h) and E-redox. We have investigated the temperature dependence of phi(eff)(h) in an attempt to determine why the phi(eff)(h) value without inserted material is so high, which suggests that no additional barrier, such as a tunneling barrier, is formed in the device. We conclude that the pure Schottky barrier in this FET is lowered very significantly by the insertion of an electron acceptor. The gate-voltage dependence of phi(eff)(h) suggests a slight reduction of Schottky barrier height owing to hole accumulation. Furthermore, the clear correlation between threshold voltage and redox potential suggests a relationship between threshold voltage and phi(eff)(h). Controlling the interface between the single crystal and the source/drain electrodes in this FET produced a very high mu (similar to 6.9 cm(2) V-1 s(-1)) and low absolute threshold voltage, i.e., excellent FET characteristics. The topological characterization of inserted materials on [7]phenacene single crystals are achieved using atomic force microscope (AFM) and X-ray diffraction (XRD). The results show that the single crystals are not completely covered with the inserted materials and the inhomogeneous modification of inserted materials for single crystals effectively leads to the drastic change of hole-injection barrier between source/drain electrodes and single-crystal active layer.

    DOI: 10.1021/jp4107469

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  • Superconductivity in (NH3)yCs0.4FeSe 査読

    Lu Zheng, Masanari Izumi, Yusuke Sakai, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Yasuhiro Takabayashi, Takashi Kambe, Taiki Onji, Shingo Araki, Tatsuo C. Kobayashi, Jungeun Kim, Akihiko Fujiwara, Yoshihiro Kubozono

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   88 ( 9 )   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Alkali-metal-intercalated FeSe materials, (NH3) yM0.4FeSe (M: K, Rb, and Cs), have been synthesized using the liquid NH3 technique. (NH3)yCs 0.4FeSe shows a superconducting transition temperature (T c) as high as 31.2 K, which is higher by 3.8 K than the Tc of nonammoniated Cs0.4FeSe. The Tcs of (NH 3)yK0.4FeSe and (NH3) yRb0.4FeSe are almost the same as those of nonammoniated K0.4FeSe and Rb0.4FeSe. The Tc of (NH 3)yCs0.4FeSe shows a negative pressure dependence. A clear correlation between Tc and lattice constant c is found for ammoniated metal-intercalated FeSe materials, suggesting a correlation between Fermi-surface nesting and superconductivity. © 2013 American Physical Society.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.88.094521

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  • Fabrication of single crystal field-effect transistors with phenacene-type molecules and their excellent transistor characteristics 査読

    Xuexia He, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Eri Uesugi, Shino Hamao, Yasuhiro Takabayashi, Yoshihiro Kubozono

    ORGANIC ELECTRONICS   14 ( 6 )   1673 - 1682   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Single crystal field-effect transistors (FETs) using [6] phenacene and [7] phenacene show p-channel FET characteristics. Field-effect mobilities, mu s, as high as 5.6 x 10 (1) cm(2) V (1) s (1) in a [6] phenacene single crystal FET with an SiO2 gate dielectric and 2.3 cm(2) V (1) s (1) in a [7] phenacene single crystal FET were recorded. In these FETs, 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ) was inserted between the Au source/drain electrodes and the single crystal to reduce hole-injection barrier heights. The mu reached 3.2 cm(2) V (1) s (1) in the [7] phenacene single crystal FET with a Ta2O5 gate dielectric, and a low absolute threshold voltage vertical bar V-TH vertical bar (6.3 V) was observed. Insertion of 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F(4)TCNQ) in the interface produced very a high mu value (4.7-6.7 cm(2) V (1) s (1)) in the [7] phenacene single crystal FET, indicating that F(4)TCNQ was better for interface modification than TCNQ. A single crystal electric double-layer FET provided mu as high as 3.8 x 10 (1) cm(2) V (1) s (1) and vertical bar V-TH vertical bar as low as 2.3 V. These results indicate that [6] phenacene and [7] phenacene are promising materials for future practical FET devices, and in addition we suggest that such devices might also provide a research tool to investigate a material's potential as a superconductor and a possible new way to produce the superconducting state. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.orgel.2013.03.035

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  • Observation of zero resistivity in K-doped picene 査読

    Teranishi Kazuya, He Xuexia, Sakai Yusuke, Izumi Masanari, Goto Hidenori, Eguchi Ritsuko, Takabayashi Yasuhiro, Kambe Takashi, Kubozono Yoshihiro

    PHYSICAL REVIEW B   87 ( 6 )   06505   2013年2月

  • Observation of zero resistivity in K-doped picene 査読

    Kazuya Teranishi, Xuexia He, Yusuke Sakai, Masanari Izumi, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yasuhiro Takabayashi, Takashi Kambe, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL REVIEW B   87 ( 6 )   2013年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    We report the observation of zero resistivity (rho) in a hydrocarbon superconductor, and describe the temperature dependence of rho in metal-doped hydrocarbons. The resistivity of K-doped picene (K(x)picene) has been recorded from pellet samples in a four-terminal measurement mode. A drop in rho is observed below 7 K for K(3.1)picene and below 11 K for K(3.5)picene, which clearly displays zero resistivity. The resistivity drop at 7 K is consistent with the superconducting critical temperature (T-c) obtained from the magnetic susceptibility of the 7 K phase of K(3)picene, while the drop at 11 K is inconsistent with the T-c's of both the 7 and 18 K phases of K(3)picene reported previously. The temperature dependence of rho for both samples exhibits granular-metal-like behavior in the normal state. DOI: 10.1103/PhysRevB.87.060505

    DOI: 10.1103/PhysRevB.87.060505

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  • Fabrication of high performance/highly functional field-effect transistor devices based on [6]phenacene thin films 査読

    Ritsuko Eguchi, Xuexia He, Shino Hamao, Hidenori Goto, Hideki Okamoto, Shin Gohda, Kaori Sato, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   15 ( 47 )   20611 - 20617   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ROYAL SOC CHEMISTRY  

    Field-effect transistors (FETs) based on [6]phenacene thin films were fabricated with SiO2 and parylene gate dielectrics. These FET devices exhibit field-effect mobility in the saturation regime as high as 7.4 cm(2) V-1 s(-1), which is one of the highest reported values for organic thin-film FETs. The two- and four-probe mobilities in the linear regime display nearly similar values, suggesting negligible contact resistance at 300 K. FET characteristics were investigated using two-probe and four-probe measurement modes at 50-300 K. The two-probe mobility of the saturation regime can be explained by the multiple shallow trap and release model, while the intrinsic mobility obtained by the four-probe measurement in the linear regime is better explained by the phenomenon of transport with charge carrier scattering at low temperatures. The FET device fabricated with a parylene gate dielectric on polyethylene terephthalate possesses both transparency and flexibility, implying feasibility of practical application of [6] phenacene FETs in flexible/transparent electronics. N-channel FET characteristics were also achieved in the [6] phenacene thin-film FETs using metals that possess a small work function for use as source/drain electrodes.

    DOI: 10.1039/c3cp53598c

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  • Electric-double-layer transistors with thin crystals of FeSe1-xTex (x = 0.9 and 1.0) 査読

    R. Eguchi, M. Senda, E. Uesugi, H. Goto, T. Kambe, T. Noji, Y. Koike, A. Fujiwara, Y. Kubozono

    Appl. Phys. Lett.   102   103506-1 - 103506-4   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4795626

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  • Phenanthro[1,2-b: 8,7-b '] dithiophene: a new picene-type molecule for transistor applications 査読

    Yasushi Nishihara, Megumi Kinoshita, Keita Hyodo, Yasuhiro Okuda, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Shino Hamao, Yasuhiro Takabayashi, Yoshihiro Kubozono

    RSC ADVANCES   3 ( 42 )   19341 - 19347   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ROYAL SOC CHEMISTRY  

    A new picene-type molecule, phenanthro[1,2-b : 8,7-b'] dithiophene, has been synthesized for use in organic field-effect transistors (OFETs). The molecule consists of a phenanthrene core with two thiophene rings fused on the ends. This molecule can be recognized as a picene analogue. The electronic structure of the molecule was determined by its optical absorption spectrum together with a theoretical calculation based on density functional theory (DFT). The topological and electronic structures of thin films produced by direct thermal evaporation of the compounds and by deposition from a solution were characterized by optical imaging, X-ray diffraction, and atomic force microscopy. FET devices were fabricated with these thin films, and showed field-effect mobility as high as 10(-1) cm(2) V-1 s(-1).

    DOI: 10.1039/c3ra44050h

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  • Synthesis and physical properties of metal-doped picene solids 査読

    Takashi Kambe, Xuexia He, Yosuke Takahashi, Yusuke Yamanari, Kazuya Teranishi, Hiroki Mitamura, Seiji Shibasaki, Keitaro Tomita, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Yasuhiro Takabayashi, Takashi Kato, Akihiko Fujiwara, Toshikaze Kariyado, Hideo Aoki, Yoshihiro Kubozono

    PHYSICAL REVIEW B   86 ( 21 )   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER PHYSICAL SOC  

    We report electronic-structure and physical properties of metal-doped picene as well as selective synthesis of the phase that exhibits 18-K superconducting transition. First, Raman scattering is used to characterize the number of electrons transferred from the dopants to picene molecules, where a softening of Raman scattering peaks enables us to determine the number of transferred electrons. From this, we have identified that three electrons are transferred to each picene molecule in the superconducting doped picene solids. Second, we report pressure dependence of T-c in 7- and 18-K phases of K(3)picene. The 7-K phase shows a negative pressure dependence, while the 18-K phase exhibits a positive pressure dependence which can not be understood with a simple phonon mechanism of BCS superconductivity. Third, we report a synthesis method for superconducting K(3)picene by a solution process with monomethylamine CH3NH2. This method enables us to prepare selectively the K(3)picene sample exhibiting 18-K superconducting transition. The method for preparing K(3)picene with T-c = 18 K found here may facilitate clarification of the mechanism of superconductivity.

    DOI: 10.1103/PhysRevB.86.214507

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  • Characteristics of [6]phenacene thin film field-effect transistor 査読

    Noriko Komura, Hidenori Goto, Xuexia He, Hiroki Mitamura, Ritsuko Eguchi, Yumiko Kaji, Hideki Okamoto, Yasuyuki Sugawara, Shin Gohda, Kaori Sato, Yoshihiro Kubozono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 ( 8 )   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    Transistor characteristics are studied for field-effect transistors (FETs) with thin films of [6]phenacene, which has six benzene rings and W-shape structure. The molecular alignment preferable for FET transport is found to be formed in [6]phenacene thin films. The transistor shows clear p-channel FET characteristics with field-effect mobility mu as high as 3.7 cm(2) V-1 s(-1). The similar O-2 sensing properties to picene FET are observed in [6]phenacene thin film FET. The bias stress properties are observed in [6]phenacene thin film FET. The pulse-voltage application suppresses the bias-stress effect and it enables a continuous O-2 sensing in [6]phenacene FET. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4747201]

    DOI: 10.1063/1.4747201

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  • O-2-exposure and light-irradiation properties of picene thin film field-effect transistor: A new way toward O-2 gas sensor 査読

    Yasuyuki Sugawara, Keiko Ogawa, Hidenori Goto, Shuhei Oikawa, Kouki Akaike, Noriko Komura, Ritsuko Eguchi, Yumiko Kaji, Shin Gohda, Yoshihiro Kubozono

    SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL   171   544 - 549   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA  

    Transistor characteristics and O-2 gas sensing properties are investigated for picene thin film field-effect transistors (FETs) with ZrO2, Ta2O5, HfO2 and BaxSr1-xTiO3 (x = 0.4). The low-voltage operation is achieved using the above oxides with high gate dielectric constant, contrary to SiO2 gate dielectric. The O-2 gas sensing is achieved at 11 s intervals without any bias stress by an application of pulse drain and gate voltages (V-D and V-G), in contrast to previous result in which the O-2 gas sensing was performed at least at 1 h step because of bias stress effect. The actual O-2 sensing-speed in the picene thin film FET was similar to 10 s for 3.8 Torr O-2, and the O-2 sensing limit was concluded to be 0.15-0.38 Torr. Furthermore, it has been found that the O-2 sensing properties are observed only under irradiation of light with wavelength below 400 nm. From the result, we have presented two scenarios for O-2 sensing mechanism in picene thin film FET. (C) 2012 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.snb.2012.05.030

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  • Characteristics of Single Crystal Field-Effect Transistors with a New Type of Aromatic Hydrocarbon, Picene 査読

    Nobuyuki Kawai, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Kouki Akaike, Yumiko Kaji, Takashi Kambe, Akihiko Fujiwara, Yoshihiro Kubozono

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   116 ( 14 )   7983 - 7988   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AMER CHEMICAL SOC  

    Picene is a phenacene-type aromatic hydrocarbon molecule with five benzene rings. We have fabricated picene single crystal (SC) field-effect transistors (FETs) with solid gate and ionic liquid gate dielectrics. Although the picene SC FET showed a large hole-injection barrier without any modification of interface between source/drain electrodes and picene SC, such a large hole-injection barrier could be effectively reduced by modifying the interface with tetracyanoquinodimethane (TCNQ). Picene SC FET with an HfO2 gate dielectric and TCNQ:coated electrodes shows p-channel characteristics with a smooth hole injection and a field-effect mobility more than 1 cm(2) V-1 s(-1) in two-terminal measurement. Picene SC FET could be operated even in bottom-contact structure by modifying the interface with octanethiol. Furthermore, picene SC FET operated with ionic liquid gate dielectric, [1-butyl-3-methylimidazolium][hexafluorophosphate], showing the field-effect mobility of 1.8 X 10(-1) cm(2) V-1 s(-1) and low absolute value, 1.9 V, of threshold voltage.

    DOI: 10.1021/jp300052p

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  • Characteristics of conjugated hydrocarbon based thin film transistor with ionic liquid gate dielectric 査読

    Yumiko Kaji, Keiko Ogawa, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Yasuyuki Sugawara, Takashi Kambe, Koki Akaike, Shin Gohda, Akihiko Fujiwara, Yoshihiro Kubozono

    ORGANIC ELECTRONICS   12 ( 12 )   2076 - 2083   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Thin film transistors (TFTs) with ionic liquid gate dielectrics, [1-ethyl-3-methylimidazolium][bis(trifluoromethanesulfonyl) imide] (emim[TFSI]) and [1-butyl-3-methylimidazolium][hexafluorophosphate] (bmim[PF6]), are fabricated with thin films of one dimensional (1D) hydrocarbon, [7]phenacene. P-channel characteristics are observed for [7] phenacene TFTs with both ionic liquids by use of platinum electrode. The field-effect mobility mu for [7]phenacene TFT with bmim[PF6] was recorded to be 0.28 cm(2) V-1 s(-1). The value of absolute threshold voltage, vertical bar V-TH vertical bar, was less than 2.5 V, showing low-voltage operation. The accumulation of hole in the [7]phenacene TFTs with ionic liquids was confirmed from the voltage or time dependence of capacitance in metal-insulator-semiconductor structure, which shows that these TFTs operate electrochemically and the carriers are accumulated in the whole of [7]phenacene thin films. (C) 2011 Elsevier B. V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.orgel.2011.08.016

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  • Introducing Nonuniform Strain to Graphene Using Dielectric Nanopillars 査読

    Hikari Tomori, Akinobu Kanda, Hidenori Goto, Youiti Ootuka, Kazuhito Tsukagoshi, Satoshi Moriyama, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 7 )   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    A method for inducing nonuniform strain in graphene films is developed. Pillars made of a dielectric material (electron beam resist) are placed between graphene and the substrate, and graphene sections between pillars are attached to the substrate. The strength and spatial pattern of the strain can be controlled by the size and separation of the pillars. Application of strain is confirmed by Raman spectroscopy as well as from scanning electron microscopy (SEM) images. From SEM images, the maximum stretch of the graphene film reaches about 20%. This technique can be applied to the formation of band gaps in graphene. (C) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    DOI: 10.1143/APEX.4.075102

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  • Effect of current annealing on electronic properties of multilayer graphene 査読

    Tanaka S, Goto H, Tomori H, Ootuka Y, Tsukagoshi K, Kanda A

    Journal of Physics: Conference Series   232 ( 1 )   012015   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/232/1/012015

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  • Dependence of proximity-induced supercurrent on junction length in multilayer-graphene Josephson junctions 査読

    Kanda A, Sato T, Goto H, Tomori H, Takana S, Ootuka Y, Tsukagoshi K

    Physica C: Superconductivity   470 ( 20 )   1477 - 1480   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.physc.2010.05.142

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  • Inverse spin valve effect in multilayer graphene device 査読

    Goto H, Tanaka S, Tomori H, Ootuka Y, Tsukagoshi K, Kanda A

    Journal of Physics: Conference Series   232 ( 1 )   012002   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/232/1/012002

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  • Fabrication of ultrashort graphene Josephson junctions 査読

    Tomori H, Kanda A, Goto H, Takana S, Ootuka Y, Tsukagoshi K

    Physica C: Superconductivity   470 ( 20 )   1492 - 1495   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.physc.2010.05.146

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  • Inter-layer screening length to electric field in thin graphite film 査読

    Hisao Miyazaki, Shunsuke Odaka, Takashi Sato, Sho Tanaka, Hidenori Goto, Akinobu Kanda, Kazuhito Tsukagoshi, Youiti Ootuka, Yoshinobu Aoyagi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 3 )   2008年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    Electric conduction in thin graphite film was tuned by two gate electrodes to clarify how the gate electric field induces electric carriers in thin graphite. The graphite was sandwiched between two gate electrodes arranged in a top and bottom gate configuration. A scan of the top gate voltage generates a resistance peak in ambiploar response. The ambipolar peak is shifted by the bottom gate voltage, where the shift rate depends on the graphite thickness. The thickness-dependent peak shift was clarified in terms of the inter-layer screening length to the electric field in the double-gated graphite film. The screening length of 1.2 nm was experimentally obtained. (C) 2008 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/APEX.1.034007

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  • Coulomb blockade oscillations in narrow corrugated graphite ribbons 査読

    Hisao Miyazaki, Shunsuke Odaka, Takashi Sato, Sho Tanaka, Hidenori Goto, Akinobu Kanda, Kazuhito Tsukagoshi, Youiti Ootuka, Yoshinobu Aoyagi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 2 )   2008年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    We report Coulomb blockade oscillations in an atomically thin graphite ribbon fabricated by the micromechanical cleavage technique. Aperiodic current oscillations as a function of the gate voltage indicate the formation of multiple Coulomb islands inside the thin graphite ribbon. We conclude that the Coulomb islands originate from puddles of electrons and holes caused by the inhomogeneous interface between the ribbon and the substrate. (C) 2008 The Japan Society of Applied Physics.

    DOI: 10.1143/APEX.1.024001

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  • A different type of reentrant behavior in superconductor/thin graphite film/superconductor Josephson junctions 査読

    Sato T, Kanda A, Moriki T, Goto H, Tanaka S, Ootuka Y, Miyazaki H, Odaka S, Tsukagoshi K, Aoyagi Y

    Physica C: Superconductivity and its applications   468 ( 7 )   797   2008年

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    出版者・発行元:North-Holland  

    DOI: 10.1016/j.physc.2007.11.050

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  • Gate-controlled superconducting proximity effect in ultrathin graphite films 査読

    Sato T, Moriki T, Tanaka S, Kanda A, Goto H, Miyazaki H, Odaka S, Ootuka Y, Tsukagoshi K, Aoyagi Y

    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   40 ( 5 )   1495   2008年

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    出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.physe.2007.09.149

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  • Observation of gate-controlled superconducting proximity effect in microfabricated thin graphite films 査読

    Sato T, Kanda A, Tanaka S, Goto H, Ootuka Y, Miyazaki H, Odaka S, Tsukagoshi K, Aoyagi Y

    Journal of Physics: Conference Series   109 ( 1 )   012031   2008年

  • Magnetic response of a mesoscopic superconducting disk surrounded by a normal metal 査読

    Hidenori Goto, Kazuhito Tsukagoshi, Kimitoshi Kono

    LOW TEMPERATURE PHYSICS, PTS A AND B   850   753 - +   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    Magnetic response of a superconductor/normal-metal (S/N) concentric disk is studied by use of a ballistic Hall magnetometer, which enables us to investigate the mutual proximity effects in a single and a micrometer-sized sample. The core of the sample is a type-I superconductor whose diameter is comparable to the coherence length and the magnetic penetration depth. The core and the surround are prepared by an improved double-angle evaporation method to realize their metallic contacts. At T = 1.3 K, the pair breaking effect on the S has been predominant. We have observed the smaller diamagnetic susceptibility, the larger critical field, and the less stable vortex states in the S/N sample than in only S sample. These results are attributed to the suppression of the surface superconductivity, which effectively decreases the diameter of the superconductor.

    DOI: 10.1063/1.2354923

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書籍等出版物

  • Physics and Chemistry of Carbon-Based Materials, Basics and Applications

    Kubozono, Yoshihiro( 担当: 分担執筆 ,  範囲: Chapter 2 Physics of Graphene: Basic to FET Application, Hidenori Goto)

    Springer, Singapore  2019年3月  ( ISBN:9789811334160

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    総ページ数:332   担当ページ:29-63   記述言語:英語 著書種別:学術書

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  • 3D Local Structure and Functionality Design of Materials

    Daimon, Hiroshi (EDT, Sasaki, Yuji C. (ED( 担当: 分担執筆 ,  範囲: Subchapter 8.1: MATERIALS FOR ORGANIC ELECTRONICS AND BIOELECTRONICS, Yoshihiro Kubozono , Hidenori Goto and Hiroko Yamada)

    World Scientific Pub Co Inc  2019年1月  ( ISBN:9789813273665

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    総ページ数:209   担当ページ:173-195   記述言語:英語 著書種別:学術書

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  • 大学生の一般化学

    久保園芳博, 山﨑 岳 共編著( 担当: 分担執筆 ,  範囲: 第2章 化学の量子論的な理解のための基礎, 久保園芳博, 後藤秀徳, 江口律子)

    培風館  2016年3月  ( ISBN:9784563046255

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    総ページ数:205   担当ページ:9-34   記述言語:日本語 著書種別:教科書・概説・概論

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  • Application of Organic Semiconductors toward Transistors

    Paolo Bettotti( 担当: 共著 ,  範囲: Chapter 9. Application of Organic Semiconductors toward Transistors)

    CRC Press  2016年1月 

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  • 試料作製技術 (丸善実験物理学講座)

    小間 篤( 担当: 共著 ,  範囲: 6-3節 金属微粒子)

    丸善  2000年8月 

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MISC

  • アルカリ-Bi化合物の超伝導の圧力依存性

    HUAN Li, SUZUKI Ai, TAGUCHI Tomoya, GOTO Hidenori, EGUCHI Ritsuko, LIAO Yen-Fa, ISHII Hirofumi, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   76 ( 1 )   2021年

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  • トポロジカル絶縁体β-PdBi2の超伝導の圧力依存性およびその金属原子ドーピングに関する研究

    鈴木藍, 田口倫也, LI Huan, WANG Yanan, 石井啓文, LIAO Yen-Fa, 後藤秀徳, 江口律子, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   76 ( 1 )   2021年

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  • 電子移動と電場効果を利用した二層グラフェンのバンド工学

    ZHI Lei, GOTO Hidenori, TAKAI Akihisa, EGUCHI Ritsuko, NISHIKAWA Takao, TOKITO Shizuo, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 1 )   2020年

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  • 液体NH3技術による超伝導KBi2とRbBi2の調製とそれらの物理的性質

    LI Huan, TAGUCHI Tomoya, SUZUKI Ai, GOTO Hidenori, EGUCHI Ritsuko, LIAO Yen-Fa, ISHII Hirofumi, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 2 )   2020年

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  • 電界下における単層グラフェンの電子物性

    ZHI Lei, GOTO Hidenori, MIURA Akari, EGUCHI Ritsuko, NISHIKAWA Takao, TOKITO Shizuo, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 2 )   2020年

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  • 蛍光X線ホログラフィーによるグラファイト層間化合物超伝導体(Ca,K)C8の局所電子配列

    八方直久, 窪田昌史, 松下智裕, 細川伸也, 木村耕治, 林好一, YANG Xiaofan, 江口律子, 後藤秀徳, 久保園芳博

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web)   33rd   2020年

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  • 雰囲気圧力と高圧における(NH3)yMxFeSe(M:Ca,Sr,Ba)の多相における構造特性と超伝導性

    LI Huan, WANG Yanan, YANG Xiaofan, TAGUCHI Tomoya, HE Tong, ZHI Lei, GOTO Hidenori, EGUCHI Ritsuko, ISHII Hirofumi, LIAO Yen-Fa, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 1 )   2020年

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  • Ba1-xMxTi2(Sb1-yBiy)2O(M:アルカリおよびランタニド原子)の超伝導挙動

    WANG Yanan, LI Huan, YANG Xiaofan, HE Tong, ZHI Lei, TAGUCHI Tomoya, EGUCHI Ritsuko, GOTO Hidenori, KUBOZONO Yoshihiro, LIAO Yen-Fa, ISHII Hirofumi

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 1 )   2020年

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  • Ba1-xNaxTi2Sb2Oの構造と超伝導の圧力依存性

    田口倫也, WANG Yanan, YANG Xiaofan, LI Huan, HE Tong, 高林康裕, 林好一, 石井啓文, LIAO Yen-Fa, 江口律子, 後藤秀徳, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 1 )   2020年

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  • Ba系超伝導の構造と圧力依存性

    田口倫也, WANG Yanan, LI Huan, 高林康裕, 林好一, 石井啓文, LIAO Yen-Fa, 江口律子, 後藤秀徳, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 2 )   2020年

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  • 超伝導BaIr2およびSrIr2の調製とそれらの圧力下での超伝導挙動

    HUAN Li, YANG Xiaofan, WANG Yanan, HE Tong, TAGUCHI Tomoya, GOTO Hidenori, HORIE Rie, HORIGANE Kazumasa, AKIMITSU Jun, LIAO Yen-Fa, ISHII Hirofumi, YAMAOKAB Hitoshi, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • 分子吸着によるグラフェンの散乱効果

    高井彰久, 後藤秀徳, 内山貴生, ZHI Lei, 江口律子, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 1 )   2019年

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  • Bi2-xSbxTe3-ySeyの蛍光X線ホログラフィー

    江口律子, HE Tong, YANG Xiaofan, LI Huan, 田口倫也, 後藤秀徳, 久保園芳博, 八方直久, 山口涼太, 細川伸也, 尾崎ひかる, 松本亮平, 木村耕治, 林好一

    KEK Progress Report (Web)   ( 2019-7 )   2019年

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  • 蛍光X線ホログラフィーによるグラファイトインターカレーション化合物(K,Ca)C8の局所原子配列

    八方直久, 窪田昌史, 松下智裕, 細川伸也, 木村耕治, 林好一, YANG Xiaofan, 江口律子, 後藤秀徳, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • 分子吸着によるグラフェンの散乱効果 II

    高井彰久, 後藤秀徳, ZHI Lei, 江口律子, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • Bi2-xSbxTe3-ySeyの圧力誘起超伝導(x=0,0.25,0.5,1.0,y=1.0およびx=1.0,y=2.0)

    HE Tong, YANG Xiaofan, TAGUCHI Tomoya, GOTO Hidenori, EGUCHI Ritsuko, KOBAYASHI Kaya, AKIMITSU Jun, YAMAOKA Hitoshi, ISHII Hirofumi, LIAOB Yen-Fa, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • 金属をドープしたFeSe1-zTezの圧力駆動高Tc超伝導

    YANG Xiaofan, HE Tong, TAGUCHI Tomoya, YAMAOKA Hitoshi, ISHII Hirofumi, LIAO Yen-Fa, GOTO Hidenori, EGUCHI Ritsuko, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • 巨大電場下の二層グラフェンの電子特性

    ZHI Lei, GOTO Hidenori, TAKAI Akihisa, EGUCHI Ritsuko, NISHIKAWA Takao, TOKITO Shizuo, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • Ba1-xCsxTi2Sb2Oの調製および輸送特性

    WANG Yanan, TAGUCHI Tomoya, YANG Xiaofan, LI Huan, HE Tong, YAMAOKA Hitoshi, ISHII Hirofumi, LIAO Yen-Fa, GOTO Hidenori, EGUCHI Ritsuko, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • 金属ドープした2次元層状物質における圧力駆動超伝導

    YANG Xiaofan, HE Tong, TAGUCHI Tomoya, WANG Yanan, LI Huan, ISHII Hirofumi, LIAO Yen-Fa, YAMAOKA Hitoshi, GOTO Hidenori, EGUCHI Ritsuko, KUBOZONO Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 1 )   2019年

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  • グラフェンの磁気散乱効果

    高井彰久, 後藤秀徳, 内山貴生, LEI Zhi, 江口律子, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   73 ( 2 )   2018年

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  • 微生物由来鞘状酸化鉄を利用した多孔質炭素材料および炭素-酸化鉄複合材料の作製 査読

    西村維心, 後藤和馬, 日浦登和, 川村仁美, 橋本英樹, 松本修治, 高田 潤, 粕壁隆敏, 西原洋知, 後藤秀徳, 大久保貴広, 石田祐之

    炭素   280   188 - 197   2017年11月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.7209/tanso.2017.188

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  • 自己組織化単分子膜と吸着分子を用いた2層グラフェンのバンドギャップ制御

    内山貴生, 後藤秀徳, 秋吉秀彦, 上杉英理, 江口律子, 長田洋, 西川尚男, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 1 )   2017年

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  • (NH3)yNaxFeSeの高圧超伝導特性

    寺尾 貴博, Zheng Lu, Miao Xiao, 上杉 英里, 宮崎 隆文, 後藤 秀徳, 江口 律子, 加賀山 朋子, 清水 克哉, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   71   2174 - 2174   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    <p>(NH_3_)_y_M_x_FeSe (M: Li, Cs)では高圧での高温超伝導相の存在が確認されている。この高圧超伝導相は圧力印加に伴い常圧超伝導相が一度消失した後に、再び超伝導相が現れるという興味深い性質を示している。したがって、他の金属原子を挿入したFeSe結晶での高圧超伝導特性を調べることは、この物質の超伝導機構の解明につながることになる。さらに、本研究の主題としているNaを挿入したFeSeは2つの常圧超伝導相を有するため、それぞれの超伝導相の高圧での特性を調べることは興味深い。</p>

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2174

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  • 自己組織化単分子膜と分子吸着を用いた数層グラフェンの電子状態制御

    後藤 秀徳, 内山 貴生, 秋吉 秀彦, 上杉 英里, 江口 律子, 齋藤 軍治, 吉田 幸大, 長田 洋, 西川 尚男, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   71   1691 - 1691   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    <p>電子供与性をもつ自己組織化単分子膜上に2層グラフェンデバイスを作製し、その上から電子受容性をもつ分子を吸着させることで、2種類の分子がつくる電界を用いて2層グラフェンにバンドギャップを開けることを試みた。しかし、伝導率の温度依存性はバンドギャップが開くというよりも、微小なpn接合が散乱体として働いていることを示した。この原因について、上下層の分子がつくる微視的な電場から考察する。</p>

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1691

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  • T(Se1-xTex)2(T:transition metal)の電界効果トランジスタ特性

    上杉 英里, Miao Xiao, 寺尾 貴博, 太田 弘道, 後藤 秀徳, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   71   2198 - 2198   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    <p>二次元層状物質のMoS2において電界誘起超伝導が観測されて以来、遷移金属ダイカルコゲナイド系の化合物への電界効果キャリア注入が注目されている。本研究では、SeとTeの濃度を変えた薄い単結晶を用いた電界効果トランジスタを作製し、カルコゲンの種類とその濃度が電界効果トランジスタ動作に与える影響について考察する。また、イオン液体による電気二重層を用いて電界効果キャリアドーピングを行い、新規な超伝導相の可能性を探る。</p>

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2198

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  • フェナセン系薄膜電界効果トランジスタの論理回路応用

    三上隆弘, 江口律子, 下侑馬, 浜尾志乃, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 林靖彦, 久保園芳博

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   2016年

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  • 24aAC-3 Pressure-dependence of superconductivity in metal-doped graphite superconductors, Ca_xK_<1-x>C_y

    Huyen N., Izumi M., Zheng L., Sakai Y., Goto H., Kubozono Y., Sakata M., Kagayama T., Shimizu K.

    日本物理学会講演概要集   70   1894 - 1894   2015年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_1894

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  • 22pCJ-6 有機エレクトロニクス・超伝導における局所構造の重要性

    久保園 芳博, 後藤 秀徳, 江口 律子

    日本物理学会講演概要集   70   2751 - 2752   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2751

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  • 21aAC-7 分子吸着によるグラフェンのキャリア散乱

    秋吉 秀彦, 後藤 秀徳, 上杉 英里, 浜尾 志乃, 江口 律子, 吉田 幸大, 齋藤 軍治, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   70   1246 - 1246   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_1246

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  • 22pBC-2 電界効果キャリアドーピングを用いたLaOBiS_2の物性制御

    上杉 英里, 後藤 秀徳, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   70   2236 - 2236   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2236

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  • 22aBA-12 Fabrication of new superconductors by metal-doping of two-dimensional layered materials

    Zheng Lu, Sakai Yusuke, Izumi Masanari, Nishiyama Saki, Miao Xiao, Goto Hidenori, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   70   2066 - 2066   2015年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2066

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  • フェナセン系薄膜電界効果トランジスタのデバイス構造の改変による伝導特性制御と論理回路応用

    三上隆弘, 下侑馬, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 久保園芳博, 林靖彦

    応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集   2015   2015年

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  • 有機分子吸着によるグラフェンへのキャリア蓄積

    秋吉秀彦, 後藤秀徳, 上杉英里, 江口律子, 吉田幸大, 齋藤軍治, 久保園芳博

    日本化学会中国四国支部大会講演要旨集   2015   2015年

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  • 新しい有機ならびに炭素系超伝導体の合成と特性評価

    寺尾貴博, 西山佐希, NGUYEN Huyen L. T., ZHENG Lu, MIAO Xiao, 後藤秀徳, 江口律子, 加賀山朋子, 清水克也, 久保園芳博

    日本化学会中国四国支部大会講演要旨集   2015   2015年

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  • 金属ドープLaOBiS2超伝導体の合成と特性評価

    西山佐希, 上杉英里, HUYEN Nguyen Thi Le, 加賀山朋子, 清水克哉, 後藤秀徳, 江口律子, 北川俊作, 小林達生, 久保園芳博

    日本化学会中国四国支部大会講演要旨集   2015   2015年

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  • フェナセン単結晶FETの特性と論理回路応用

    下侑馬, 三上隆弘, 浜尾志乃, 岡本秀毅, 郷田慎, 江口律子, 後藤秀徳, 林靖彦, 久保園芳博

    日本化学会中国四国支部大会講演要旨集   2015   2015年

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  • 多環フェナセン単結晶電界効果トランジスタの伝導特性と論理回路応用

    下侑馬, 三上隆弘, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 郷田慎, 佐藤かおり, 久保園芳博, 林靖彦

    応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集   2015   2015年

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  • フェナセン単結晶を用いた高性能電界効果トランジスタの作製及びその伝導特性

    下侑馬, 三上隆弘, 村上寛虎, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 郷田慎, 佐藤かおり, 林靖彦, 久保園芳博

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   2015年

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  • フェナセン系薄膜電界効果トランジスタの伝導特性評価と論理回路応用

    三上隆弘, 下侑馬, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 林靖彦, 久保園芳博

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   2015年

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  • 高性能フェナセン薄膜FETの開発と論理回路応用

    三上隆弘, 下侑馬, 浜尾志乃, 岡本秀毅, 郷田慎, 江口律子, 後藤秀徳, 林靖彦, 久保園芳博

    日本化学会中国四国支部大会講演要旨集   2015   2015年

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  • 二次元層状物質への電界効果キャリア注入と超伝導

    上杉英里, 後藤秀徳, 江口律子, 北川俊作, 小林達夫, 久保園芳博

    日本化学会中国四国支部大会講演要旨集   2015   2015年

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  • 7aAL-1 Resistivity behavior in 7 K superconductivity phase of K_xpicene under high pressure

    Nguyen Huyen, Izumi Masanari, Sakai Yusuke, Lu Zheng, Goto Hidenori, Kubozono Yoshihiro, Sakata Masafumi, Kagayama Tomoko, Shimizu Katsuya

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   593 - 593   2014年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 8aAH-1 電子供与性・受容性分子のドーピングによるグラフェンの電子状態制御II(8aAH 領域7,領域4合同 グラフェン(輸送特性・電子相関),領域7(分子性固体))

    秋吉 秀彦, 後藤 秀徳, 上杉 英里, 浜尾 志乃, 江口 律子, 久保園 芳博, 吉田 幸大, 齋藤 軍治

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   600 - 600   2014年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 7pBD-7 液体アンモニア法でのM_xSe_<1-z>Te_z (M=Fe, Mo, Zn, W)への金属原子挿入と新規超伝導体の合成(7pBD 鉄砒素系2(合成・関連物質),領域8(強相関系))

    酒井 優介, Lu Zheng, 上杉 英里, 西山 佐希, 和泉 正成, 後藤 秀徳, 野地 隆, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   335 - 335   2014年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 10aBH-12 二次元および三次元のBi化合物への電界効果キャリアドーピング(10aBH 領域8(後半のみ領域7と合同) パイロクロア・スピネル・電界効果,領域8(強相関系))

    上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 野地 尚, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   455 - 455   2014年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 7pBD-8 Structure study on (NH_3)yM_xFeSe : a correlation between T_c and structure (chemical composition, metal amount and NH_3 amount)

    Zheng Lu, Sakai Yusuke, Izumi Masanari, Nishiyama Saki, Uesugi Eri, Goto Hidenori, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   336 - 336   2014年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 9pBJ-11 Kドープピセン真空蒸着膜の電気抵抗測定(9pBJ 超伝導物質,領域8(強相関系))

    演田 貴裕, 蛇渕 泰平, 岡崎 宏之, 脇田 高徳, 神戸 高志, 後藤 秀徳, 久保園 芳博, 村岡 祐治, 横谷 尚睦

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   444 - 444   2014年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • イオン液体による有機トランジスタの作製と評価 (電子デバイス)

    下 侑馬, 後藤 秀徳, 久保園 芳博, 林 靖彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 12 )   31 - 34   2014年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    有機薄膜電界効果トランジスタ(FET)の駆動に要する電圧である「しきい値電圧」(V_<th>)が非常に高いため,実用化に向けて大きな問題となっている.本研究は,イオン液体を用いたFETである電気二重層トランジスタ(Electric Double-Layer Transistor:EDLT)を使って,この問題を解決することを目指している.活性層としてピセン薄膜を用いてEDLTを作製し,その特性を詳細に評価した.固体酸化物である400nm厚みのSiO_2をゲート絶縁膜として用いたピセン薄膜FETでは,V_<th>の絶対値(|V_<th>|)が70V程度であるのに対し,ゲル状のイオン液体を用いたEDLTでは,1.7Vで駆動させることができた.また,イオン液体をシート状にしたものを用いたEDLTでは,0.87Vで駆動させることに成功した.これらピセンEDLTの|V_<th>|は,実用化を視野に入れた研究開発を行うため,集積化などへの取り組みを開始できるものと期待される.

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  • [6]フェナセンによる有機トランジスタの作製と評価 (電子デバイス)

    三上 隆弘, 後藤 秀徳, 久保園 芳博, 林 靖彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 12 )   35 - 39   2014年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    [6]フェナセンは,6個のベンゼン環がジグザグに結合した分子である.この薄膜を活性層とする有機薄膜電界効果トランジスタ(FET)は,非常に良好なpチャネル型のFET特性を示す.しかし,一般に有機薄膜FETには「しきい値電圧」の絶対値(|V_<th>|)が大きいという問題がある.[6]フェナセンFETにおいても,この特徴が存在するので,これを解決し[6]フェナセンFETを実用デバイスに向けて発展させることが重要である.本研究は,これまであまり注目されなかった有機分子薄膜(活性層)とSiO_2ゲート誘電絶縁膜の界面制御によって,V_<th>を変化させる可能性を探る.このため,系統的に電子受容体もしくは供与体分子を界面に挿入することでV_<th>の変化を観測した.また,絶縁膜表面をパリレンからヘキサメチルジシラザン(HMDS)に変えることで,移動度を5.0cm^2V^<-1>s^<-1>まで向上させることに成功した.

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  • 27pCE-3 Superconductivity in ammoniated metal-intercalated two-dimensional layered materials

    Zheng Lu, Sakai Yusuke, Izumi Masanari, Eguchi Ritsuko, Goto Hidenori, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   561 - 561   2014年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 27aCG-10 電界効果キャリアドープによる無機・有機二次元層状物質の物性制御(27aCG 領域8,(後半のみ領域7と合同) 遷移金属・電界効果,領域8(強相関系))

    上杉 英里, 千田 恵美, 寺西 和哉, 江口 律子, 後藤 秀徳, 野地 尚, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   548 - 548   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 27pCL-5 電子供与性・受容性分子のドーピングによるグラフェンの電子状態制御(27pCL 領域7,領域4合同 グラフェン(輸送特性),領域7(分子性固体))

    秋吉 秀彦, 上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   835 - 835   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 27pCE-2 液体アンモニアを使うFeSe_<1-x>Te_x(x=0.2,0.5,0.7)へのアルカリ・アルカリ土類金属ドーピングと超伝導特性(27pCE 鉄砒素系2(合成・関連物質),領域8(強相関系))

    酒井 優介, 和泉 正成, Lu Zheng, 後藤 秀徳, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   561 - 561   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 27pCE-4 アンモニア溶媒を用いて金属ドーピングされたFeSe_<1-x>Te_xの超伝導の圧力依存性(27pCE 鉄砒素系2(合成・関連物質),領域8(強相関系))

    和泉 正成, 藤原 明比古, 金 廷恩, Sun Liling, 久保園 芳博, 酒井 優介, Zheng Lu, 後藤 秀徳, 江口 律子, 坂田 雅文, 小林 達生, 荒木 新吾, 恩地 太紀

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   561 - 561   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.3.0_561_4

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  • 7pBD-9 (NH_3)_yCs_<0.4>FeSeの高圧領域における高温超伝導相の出現(7pBD 鉄砒素系2(合成・関連物質),領域8(強相関系))

    和泉 正成, 荒木 新吾, 小林 達生, Prassides Kosmas, Sun Liling, 久保園 芳博, 坂田 雅文, 酒井 優介, Zheng Lu, 後藤 秀徳, 中本 有紀, 加賀山 朋子, 清水 克哉, 恩地 大紀

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   336 - 336   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

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  • 数層グラフェンにおけるパリティ効果

    後藤秀徳, 上杉英里, 久保園芳博

    New Diamond   114   10 - 14   2014年

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  • 7aAL-2 ピセンのカリウム圧力ドープと超伝導(7aAL 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体))

    加賀山 朋子, NGUYEN Huyen, 藤井 雄佑, 清水 克哉, 坂田 雅文, 後藤 秀徳, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   593 - 593   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

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  • アンモニア溶媒を用いて金属ドーピングされたFeSe1-xTexの超伝導の圧力依存性

    和泉正成, 酒井優介, ZHENG Lu, 後藤秀徳, 江口律子, 坂田雅文, 小林達生, 荒木新吾, 恩地太紀, 藤原明比古, KIM Jungeun, SUN Liling, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   2014年

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  • 25pEA-6 伝導効果のキャリアドーピングしたFeSe_<0.1>Te_<0.9>の伝導特性の温度依存性(電界効果,領域8,領域7合同,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

    千田 恵美, 江口 律子, 後藤 秀徳, 野地 尚, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   474 - 474   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26pDK-5 電界効果による数層グラフェンのバンド制御(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   614 - 614   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 25pEA-6 電界効果キャリアドーピングしたFeSe_<0.1>Te_<0.9>の伝導特性の温度依存性(電界効果,領域8,領域7合同,領域7(分子性個体・有機導体))

    千田 恵美, 江口 律子, 後藤 秀徳, 野地 尚, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   746 - 746   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26pDF-8 Characteristics of phenacene electric-double-layer field-effect transistors using various type ionic liquids

    He Xuexia, Eguchi Ritsuko, Hamao Shino, Goto Hidenori, Kambe Takashi, Yoshida Yukihiro, Saito Gunzi, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   758 - 758   2013年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28aEC-7 Superconductivity in ammoniated/metal doped FeSe systems

    Zheng Lu, Izumi Masanari, Sakai Yusuke, Eguchi Ritsuko, Goto Hidenori, Takabayashi Yasuhiro, Kambe Takashi, Onji Taiki, Araki Shingo, Kobayashi C.Tasuo, Kim Jungeun, Fujiwara Akihiko, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   587 - 587   2013年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28aEC-9 液体アンモニアによるFeSe_<1-x>Te_x(x=0.2,0.5,0.7)への金属ドーピングとその物理特性(鉄砒素系5(関連物質・合成),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

    酒井 優介, 和泉 正成, Lu Zheng, 後藤 秀徳, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   587 - 587   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26pXF-4 アンモニア合成法を用いた芳香族超伝導体の合成(26pXF 化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))

    寺西 和哉, 何 学侠, 鄭 〓, 和泉 正成, 酒井 優介, 高林 康裕, 江口 律子, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   907 - 907   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28pXP-5 グラフェンのバンド構造のキャパシタンスによる観測(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 藤原 明比古, 久保圖園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   771 - 771   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26pXZE-8 FeSe_<1-x>Te_x単結晶デバイスの伝導特性制御(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

    千田 恵美, 江口 律子, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 野地 尚, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   594 - 594   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 27pXP-7 N-channel characteristics and temperature dependence of transport properties in phenacene field-effect transistors

    He Xuexia, Hamao Shino, Eguchi Ritsuko, Goto Hidenori, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   942 - 942   2013年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26pXZE-8 FeSe_<1-x>Te_x単結晶デバイスの伝導特性制御(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))

    千田 恵美, 江口 律子, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 野地 尚, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   919 - 919   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28aEC-8 アンモニア溶媒を用いて金属ドーピングされたFeSe_<1-x>Te_x超伝導体の圧力依存性(鉄砒素系5(関連物質・合成),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

    和泉 正成, Sun Liling, 久保園 芳博, 酒井 優介, Lu Zheng, 後藤 秀徳, 江口 律子, 坂田 雅文, 小林 達生, 荒木 新吾, 恩地 太紀

    日本物理学会講演概要集   68 ( 0 )   587 - 587   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.68.2.3.0_587_2

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  • アンモニア溶媒を用いて金属ドーピングされたFeSe1-xTex超伝導体の圧力依存性

    和泉正成, 酒井優介, LU Zheng, 後藤秀徳, 江口律子, 坂田雅文, 小林達生, 荒木新吾, 恩地太紀, SUN Liling, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   2013年

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  • 電界効果キャリアドーピングしたFeSe0.1Te0.9の伝導特性の高温依存性

    千田恵美, 江口律子, 後藤秀徳, 野地尚, 小池洋二, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   2013年

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  • 有機多環縮合炭化水素のエレクトロニクス応用と超伝導

    久保園芳博, 江口律子, 後藤秀徳, 神戸高志

    分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web)   7th   2013年

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  • FeSe1-xTex単結晶デバイスの伝導特性制御

    千田恵美, 江口律子, 後藤秀徳, 神戸高志, 野地尚, 小池洋二, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   2013年

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  • 21pFE-7 有機芳香族超伝導体の合成 II(21pFE 超伝導物質2(ラットリング,合成,高圧など),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))

    寺西 和哉, 何 学侠, 和泉 正成, 酒井 優介, 江口 律子, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   603 - 603   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 18aFH-5 Single crystal FETs using phenacene type aromatic hydrocarbon molecules

    He Xuexia, Teranishi Kazuya, Hamao Shino, Eguchi Ritsuko, Goto Hidenori, Kambe Takashi, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   752 - 752   2012年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 21pGA-8 FeSe_<1-x>Te_x極薄単結晶デバイスの表面電子状態と伝導特性制御(21pGA 鉄砒素系6(11系),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))

    江口 律子, 千田 恵美, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 藤原 明比古, 野地 尚, 小池 洋二, 堀場 弘司, 永村 直佳, 尾嶋 正治, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   607 - 607   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 21pGA-7 FeSe_<1-x>Te_x(x=0.9, 0.95)単結晶の極薄化による構造相転移の抑制と超伝導転移の出現(21pGA 鉄砒素系6(11系),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))

    千田 恵美, 江口 律子, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 野地 尚, 小池 洋二, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   607 - 607   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 21pEC-7 グラフェンエッジの電気伝導測定 II(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))

    後藤 秀徳, 上杉 英里, 江口 律子, 藤原 明比古, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   808 - 808   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 21pEC-6 数層グラフェンの量子キャパシタンス測定(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))

    上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 藤原 明比古, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   808 - 808   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 24aSB-11 イオン液体を用いた数層グラフェンFETの伝導特性(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    上杉 英里, 後藤 秀徳, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   721 - 721   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 25pYF-11 有機芳香族超伝導体の合成(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)

    三田村 洋希, 何 学侠, 高橋 庸祐, 江口 律子, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   645 - 645   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 25pYF-8 フェナセン系有機電界効果トランジスタの特性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)

    久保園 芳博, 古村 紀子, 加地 由美子, 河相 暢幸, 浜尾 志乃, 江口 律子, 赤池 幸紀, 後藤 秀徳, 菅原 孝幸

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   644 - 644   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 27aSB-5 グラフェンエッジの電気伝導測定(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))

    後藤 秀徳, 上杉 英里, 江口 律子, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   926 - 926   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 25pYF-11 有機芳香族超伝導体の合成(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))

    三田村 洋希, 何 学侠, 高橋 庸祐, 江口 律子, 後藤 秀徳, 神戸 高志, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   906 - 906   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 25pYF-8 フェナセン系有機電界効果トランジスタの特性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))

    久保園 芳博, 古村 紀子, 加地 由美子, 河相 暢幸, 浜尾 志乃, 江口 律子, 赤池 幸紀, 後藤 秀徳, 菅原 孝幸

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   905 - 905   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価II

    貫井, 洋佑, 後藤, 秀徳, 友利, ひかり, 豊田, 行紀, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   721   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定

    友利, ひかり, 後藤, 秀徳, 豊田, 行紀, 貫井, 洋佑, 軽部, 大雅, 仁平, 慎太郎, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 林, 正彦, 吉岡, 英生, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   885   2012年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • フラーレンの配列・配向制御と電界効果デバイスならびにエネルギーデバイスへの応用

    久保園芳博, 後藤秀徳, 古村紀子

    セラミックス   47   346   2012年

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  • FeSe1-xTex極薄単結晶デバイスの表面電子状態と伝導特性制御

    江口律子, 千田恵美, 後藤秀徳, 神戸高志, 藤原明比古, 野地尚, 小池洋二, 堀場弘司, 堀場弘司, 永村直佳, 永村直佳, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 久保園芳博

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   2012年

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  • 22aTG-5 イオン液体を用いる電気二重層トランジスタと電気化学トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))

    久保園 芳博, 加地 由美子, 江口 律子, 後藤 秀徳, 藤原 明比古

    日本物理学会講演概要集   66 ( 2 )   861 - 861   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 22pTG-4 有機芳香族単結晶を用いたFETの基本特性と物性制御(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))

    河相 暢幸, 小川 景子, 加地 由美子, 江口 律子, 赤池 幸紀, 後藤 秀徳, 久保園 芳博

    日本物理学会講演概要集   66 ( 2 )   869 - 869   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 24aTD-7 Synthesis and physical properties of alkali metal doped hydrocarbons

    He Xuexia, Mitamura Hiroki, Takahashi Yosuke, Teranishi Kazuya, Eguchi Ritsuko, Goto Hidenori, Kato Takashi, Kambe Takashi, Kubozono Yoshihiro

    日本物理学会講演概要集   66 ( 2 )   888 - 888   2011年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 21pTE-6 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))

    友利, ひかり, 後藤, 秀徳, 豊田, 行紀, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 森山, 悟士, 渡辺, 英一郎, 津谷, 大樹, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   66 ( 2 )   846   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 21pTE-4 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面/下面移動度の評価(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))

    貫井, 洋佑, 後藤, 秀徳, 友利, ひかり, 豊田, 行紀, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   66 ( 2 )   846   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 28aTA-1 バリスティック伝導を目指した架橋グラフェンジョセフソン接合の電気伝導測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))

    友利, ひかり, 田中, 翔, 豊田, 行紀, 後藤, 秀徳, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   66 ( 1 )   886   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 24pRA-4 バリスティック伝導を目指したグラフェン接合の作製と電界効果(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))

    友利, ひかり, 田中, 翔, 後藤, 秀徳, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   65 ( 2 )   797   2010年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.1016/j.physc.2010.05.146

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  • 21aGS-5 数層グラフェンにおける超伝導近接効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))

    神田, 晶申, 後藤, 秀徳, 友利, ひかり, 田中, 翔, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 林, 正彦, 吉岡, 英生

    日本物理学会講演概要集   65 ( 1 )   872 - 872   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 21aGS-6 極めて短いグラフェン接合の電界効果(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))

    友利, ひかり, 田中, 翔, 後藤, 秀徳, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   65 ( 1 )   872 - 872   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.1016/j.physc.2010.05.146

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  • 21aGS-7 グラフェン多層膜の高電界下における電気伝導(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))

    後藤, 秀徳, 田中, 翔, 友利, ひかり, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   65 ( 1 )   873 - 873   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • グラフェンの電気伝導の現状と可能性

    神田晶申, 田中翔, 後藤秀徳, 友利ひかり, 塚越一仁

    Journal of the Vacuum Society of Japan   53 ( 2 )   85 - 93   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本真空学会  

    &nbsp;&nbsp;Present understanding of electric transport in graphene, a crystalline layer of carbon, is reviewed. In the first part, emphasis is placed on the gap between the ideal and reality of electron transport, which is mostly caused by disorder (charged impurities) in the experimental samples. Disorder which affects the graphene transport originates mainly from charged impurities in the substrate, comtaminants on the graphene surface due to, e.g., resists and sticky tapes, and absorbed gas molecules. The amount of charged impurities and the methods to remove them are discussed. In the second part, the characteristic phenomena in multilayer graphene are explained for spins and Cooper-pair transport, which are relevant to the nonuniform distribution of the carrier density under nonzero gate voltages.<br>

    DOI: 10.3131/jvsj2.53.85

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  • 26pYE-10 単層グラフェンの超伝導近接効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)

    後藤, 秀徳, 友利, ひかり, 田中, 翔, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   64 ( 2 )   765   2009年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 26pYE-7 バリスティックグラフェン接合の作製と電気伝導測定(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)

    友利, ひかり, 後藤, 秀徳, 田中, 翔, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   64 ( 2 )   764   2009年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 26pYE-6 グラフェンにおける電気伝導の層数効果II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)

    田中, 翔, 後藤, 秀徳, 友利, ひかり, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁, 神田, 晶申

    日本物理学会講演概要集   64 ( 2 )   764   2009年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 26pYE-9 電場下における多層グラフェンの特異な近接効果誘起超伝導転移(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,領域4合同,領域7,分子性固体・有機導体)

    神田, 晶申, 林, 正彦, 吉岡, 英生, 後藤, 秀徳, 友利, ひかり, 田中, 翔, 大塚, 洋一, 塚越, 一仁

    日本物理学会講演概要集   64 ( 2 )   765   2009年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 劈開法で得た単層・多層グラフェンの電子・スピン・クーパー対伝導

    神田晶申, 後藤秀徳, 塚越一仁

    応用物理学会応用電子物性分科会誌   15 ( 3 )   114 - 119   2009年

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  • 多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)

    神田, 晶申, 佐藤, 崇, 森木, 拓也, 田中, 翔, 後藤, 秀徳, 大塚, 洋一, 宮崎, 久生, 小高, 隼介, 塚越, 一仁, 青柳, 克信

    物性研究   91 ( 3 )   240   2008年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:物性研究刊行会  

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  • 22pTA-4 数層グラフェンの強電場下における電気伝導(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))

    宮崎, 久生, 小高, 隼介, 田中, 翔, 後藤, 秀徳, 神田, 晶申, 塚越, 一仁, 大塚, 洋一

    日本物理学会講演概要集   63 ( 2 )   767   2008年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)

    後藤, 秀徳, 佐藤, 崇, 田中, 翔, 神田, 晶申, 大塚, 洋一, 宮崎, 久生, 小高, 隼介, 塚越, 一仁, 青柳, 克信

    日本物理学会講演概要集   63 ( 1 )   817   2008年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)

    神田, 晶申, 佐藤, 崇, 田中, 翔, 後藤, 秀徳, 大塚, 洋一, 宮崎, 久生, 小高, 隼介, 塚越, 一仁, 青柳, 克信

    日本物理学会講演概要集   63 ( 1 )   816   2008年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)

    後藤, 秀徳, 佐藤, 崇, 田中, 翔, 神田, 晶申, 大塚, 洋一, 宮崎, 久生, 小高, 隼介, 塚越, 一仁, 青柳, 克信

    日本物理学会講演概要集   62 ( 2 )   893   2007年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)

    佐藤, 崇, 後藤, 秀徳, 田中, 翔, 神田, 晶申, 大塚, 洋一, 宮崎, 久生, 小高, 隼介, 塚越, 一仁, 青柳, 克信

    日本物理学会講演概要集   62 ( 2 )   893   2007年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)

    宮崎, 久生, 小高, 隼介, 佐藤, 崇, 後藤, 秀徳, 神田, 晶申, 塚越, 一仁, 大塚, 洋一, 青柳, 克信

    日本物理学会講演概要集   62 ( 2 )   893   2007年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:社団法人日本物理学会  

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  • 25pPSA-20 多端子ホールプローブを用いた微小超伝導磁束状態の観測(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    後藤 秀徳, 河野 公俊

    日本物理学会講演概要集   61 ( 2 )   559 - 559   2006年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 26pYT-7 微小超伝導/常伝導円板の磁気応答(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))

    後藤 秀憲, 塚越 一仁, 河野 公俊

    日本物理学会講演概要集   60 ( 1 )   650 - 650   2005年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 13aYC-6 超伝導/常伝導微小円板の磁気応答(微小超伝導・微小ジョセフソン接合, 領域 4)

    後藤 秀徳, 塚越 一仁, 河野 公俊

    日本物理学会講演概要集   59 ( 2 )   600 - 600   2004年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 29pXH-10 強磁性体に接する超伝導体中に生じるスピン分極

    後藤 秀徳

    日本物理学会講演概要集   58 ( 1 )   462 - 462   2003年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 24aXW-4 超伝導近接効果による強磁性電子状態の空間変化(24aXW 超伝導・CDW(近接効果磁性超伝導CDW),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))

    後藤 秀徳

    日本物理学会講演概要集   57 ( 1 )   722 - 722   2002年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 28pYB-12 強磁性金属の磁壁、磁区への超伝導近接効果

    後藤 秀徳

    日本物理学会講演概要集   56 ( 1 )   417 - 417   2001年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 23aE-6 超伝導体における強磁性近接効果

    後藤 秀徳

    日本物理学会講演概要集   55 ( 1 )   359 - 359   2000年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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  • 6p-K-9 Al微粒子の伝導電子スピン共鳴

    後藤 秀徳, 小林 俊一

    日本物理学会講演概要集   52 ( 2 )   630 - 630   1997年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

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講演・口頭発表等

  • Geometrical capacitance of electric double-layer affected by layer number of graphene

    Hidenori Goto, Lei Zhi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Recent progress in graphene & 2D materials research (RPGR2021)  2021年10月12日 

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    開催年月日: 2021年10月11日 - 2021年10月14日

    会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Different geometrical capacitance of an electric double-layer on monolayer and bilayer graphene

    Hidenori Goto, Lei Zhi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Japan-Italy joint workshop, Device science of 2D organic and inorganic materials: from fundamentals to applications  2021年7月5日 

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    開催年月日: 2021年7月5日

    会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Effect of molecular adsorption on electronic properties in graphene

    Hidenori Goto, Akihisa Takai, Hidehiko Akiyoshi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Carrier Doping in two-dimensional layered materials: toward novel physical properties and electronic device applications (CA2D)  2019年11月4日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Naples, Italy  

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  • Semiconductor-metal transition in doped topological insulators

    Hidenori Goto, Takaki Uchiyama, Ritsuko Eguchi, Kaya Kobayashi, Jun Akimitsu, Yoshihiro Kubozono

    Recent progress in graphene & 2D materials research (RPGR2019)  2019年10月6日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Effects of molecular adsorption on carrier scattering in graphene

    Hidenori Goto, Akihisa Takai, Hidehiko Akiyoshi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Superstripes 2019  2019年6月23日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Ischia, Naples, Italy  

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  • Carrier doping of graphene with electric-field effect and doping effect

    Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    2018 EMRS Fall meeting  2018年9月17日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Warsaw, Poland  

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  • Doping and gating methods to produce an electric field in bilayer graphene

    Hidenori Goto, Takaki Uchiyama, Hidehiko Akiyoshi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    Meeting on physics and chemistry of emerging superconductors and thermoelectric materials (PCST17)  2017年9月13日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapienza University of Rome, Italy  

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  • Electronic properties of molecular doped graphene

    Hidenori Goto, Yoshihiro Kubozono

    International Symposium on JST ACT-C Project, Invention of π-Electronic Organic Molecules toward Electronic Energy Devices  2017年7月28日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Okayama University, Okayama, Japan  

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  • Doping effects on electronic properties of bilayer graphene 招待

    Hidenori Goto, Takaki Uchiyama, Yoko Nakashima, Hidehiko Akiyoshi, Ritsuko Eguchi, Hiroshi Osada, Takao Nishikawa, Yoshihiro Kubozono

    SUPERSTRIPES 2017, Quantum in Complex Matter: Superconductivity, Magnetism & Ferroelectricity  2017年6月4日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Ischia, Naples, Italy  

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  • Electronic properties of graphene with molecular adsorption

    Hidenori Goto

    The 3rd INRS and Okayama University - International Scientific Workshop  2016年9月30日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Okayama University, Okayama, Japan  

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  • Electron transfer between graphene and adsorbed molecules 招待

    Hidenori Goto, Hidehiko Akiyoshi, Takaki Uchiyama, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    EMN 2D Materials Meeting  2016年5月19日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:San Sebastian, Spain  

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  • Electronic properties of few-layer graphene with ionic-liquid gates

    Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    International Workshop on Interface Science for Novel Physical Properties and Electronics  2013年12月9日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Okayama University, Okayama, Japan  

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  • Temperature dependence of field-induced electrical transport property in FeSe1-xTex thin crystals

    Ritsuko Eguchi, Megumi Senda, Hidenori Goto, Takashi Noji, Yoji Koike, Yoshihiro Kubozono

    ICTP LEMSUPER Conference on Mechanisms & Developments in Light-Element Based & Other Novel Superconductors  2013年9月23日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Miramare-Trieste, Italy  

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  • Electronic transport properties in graphene edges

    Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    5th International Conference on Recent Progress in Graphene Researches  2013年9月9日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan  

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  • Electric-double-layer capacitance in few-layer graphene

    Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    17th International Symposium on Intercalation Compounds (ISIC17)  2013年5月12日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai, Japan  

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  • Edge-dependent transport properties in graphene

    Hidenori Goto

    The 6th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology, IWAMSN 2012  2012年10月31日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Ha Long City, Vietnam  

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  • Edge-dependent transport in graphene

    Hidenori Goto

    MAMA-HYBRIDS: Multifunctional Hybrids and Organics  2012年10月22日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Ischia, Naples, Italy  

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  • Transport Properties in Graphene Edge

    Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

    International Symposium on Physics and Chemistry of Novel Superconductors and Related Materials  2012年10月1日 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Okayama University, Japan  

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  • Spin relaxation in graphene due to ferromagnetic contac

    Hidenori Goto

    Spintronics in Graphene  2011年7月4日 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:National University of Singapore, Singapore  

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共同研究・競争的資金等の研究

  • 強電場下における2次元層状物質の新規物性の探索

    2017年04月 - 2020年03月

    基盤研究(C) 

    後藤 秀徳

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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  • イオン液体微小ゲートを用いたグラフェンの新規伝導現象の解明

    2014年04月 - 2017年03月

    基盤研究(C) 

    後藤 秀徳

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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担当授業科目

  • 化学数学3 (2022年度) 第3学期  - 金1~2

  • 化学数学4 (2022年度) 第4学期  - 金1~2

  • 化学数学II (2022年度) 3・4学期  - 金1~2

  • 固体化学3 (2022年度) 第3学期  - 木3~4

  • 固体物性科学 (2022年度) 前期  - その他

  • 基礎化学実験 (2022年度) 第4学期  - 木5~8

  • 学際基礎科学プレゼンテーション1 (2022年度) 夏季集中  - その他

  • 教養化学実験 (2022年度) 第2学期  - 金5~8

  • 界面物性化学演習 (2022年度) 通年  - その他

  • 量子物性化学 (2022年度) 前期  - 火1~2

  • 化学数学3 (2021年度) 第3学期  - 金1,金2

  • 化学数学4 (2021年度) 第4学期  - 金1,金2

  • 化学数学II (2021年度) 3・4学期  - 金1,金2

  • 固体化学3 (2021年度) 第3学期  - 木3,木4

  • 固体物性科学 (2021年度) 前期  - その他

  • 教養化学実験 (2021年度) 夏季集中  - その他

  • 無機化学IV (2021年度) 第3学期  - 火3,火4,木3,木4

  • 界面物性化学 (2021年度) 後期  - 月1,月2

  • 界面物性化学演習 (2021年度) 通年  - その他

  • 量子物性化学 (2021年度) 前期  - 月1,月2

  • 固体化学3 (2020年度) 第3学期  - 木3,木4

  • 固体物性科学 (2020年度) 前期  - その他

  • 教養化学実験 (2020年度) 第2学期  - 金5,金6,金7,金8

  • 教養現代化学A2 (2020年度) 第2学期  - 火1,火2

  • 無機化学IV (2020年度) 第3学期  - 火3,火4,木3,木4

  • 界面物性化学 (2020年度) 後期  - 月1,月2

  • 界面物性化学演習 (2020年度) 前期

  • 界面物性化学演習 (2020年度) 通年  - その他

  • 量子物性化学 (2020年度) 前期  - 月1,月2

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