2021/04/08 更新

写真a

ヤマシタ ヨシフミ
山下 善文
YAMASHITA Yoshifumi
所属
自然科学学域 准教授
職名
准教授
外部リンク

学位

  • 博士(工学) ( 東京大学 )

研究キーワード

  • Applied Physics of Property and Crystallography

  • Lattice Defects

  • 応用物性・結晶工学

  • 格子欠陥

研究分野

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • ナノテク・材料 / 結晶工学

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

経歴

  • - 岡山大学自然科学研究科 准教授

    2008年

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  • - Associate Professor,Graduate School of Natural Science and Technology,Okayama University

    2008年

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所属学協会

委員歴

  • 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 委員(2012-2022)  

    2012年 - 2022年   

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MISC

  • Expansion of Shockley stacking fault observed by scanning electron microscope and partial dislocation motion in 4H-SiC

    Yoshifumi Yamashita, Ryu Nakata, Takeshi Nishikawa, Masaki Hada, Yasuhiko Hayashi

    Journal of Applied Physics123 ( 16 )   2018年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.  

    We studied the dynamics of the expansion of a Shockley-type stacking fault (SSF) with 30° Si(g) partial dislocations (PDs) using a scanning electron microscope. We observed SSFs as dark lines (DLs), which formed the contrast at the intersection between the surface and the SSF on the (0001) face inclined by 8° from the surface. We performed experiments at different electron-beam scanning speeds, observing magnifications, and irradiation areas. The results indicated that the elongation of a DL during one-frame scanning depended on the time for which the electron beam irradiated the PD segment in the frame of view. From these results, we derived a formula to express the velocity of the PD using the elongation rate of the corresponding DL during one-frame scanning. We also obtained the result that the elongation velocity of the DL was not influenced by changing the direction in which the electron beam irradiates the PD. From this result, we deduced that the geometrical kink motion of the PD was enhanced by diffusing carriers that were generated by the electron-beam irradiation.

    DOI: 10.1063/1.5010861

    Scopus

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  • High-performance structure of a coil-shaped soft-actuator consisting of polymer threads and carbon nanotube yarns

    Hirotaka Inoue, Takayuki Yoshiyama, Masaki Hada, Daiki Chujo, Yoshitaka Saito, Takeshi Nishikawa, Yoshifumi Yamashita, Wataru Takarada, Hidetoshi Matsumoto, Yasuhiko Hayashi

    AIP Advances   2018年

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  • In-situ X-ray diffraction reveals the degradation of crystalline CH3NH3PbI3 by water-molecule collisions at room temperature

    Masaki Hada, Yoichi Hasegawa, Ryota Nagaoka, Tomoya Miyake, U. Abdullaev, Hiromi Ota, Takeshi Nishikawa, Yoshifumi Yamashita, Yasuhiko Hayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   2018年

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  • Electric-field effects on the stability of impurity levels on a grain boundary in mc-Si for solar cells(共著)

    Masakazu Yabuki, Yoshifumi Yamashita, Tatsuro Tokura, Takeshi Nishikawa, Yasuhiko Hayashi

    Proc. The Forum on the Sciecne and Technology of Silicon Materials 2014   209 - 213   2014年

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  • Effects of Sb-doping on Strain Relaxation of SiGe Film on Si Substrate(共著)

    Yoshifumi Yamashita, Kan Tanemoto, Akihiro Tanaka, Tatsuya Fushimi

    AIP Conference Proceedings1583   119 - 122   2014年

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  • Sb-doping effect on the dislocation motion in various Si1-xGex films(共著)

    Shinya Maki, Yoshifumi Yamashita, Tatsuya Fushimi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Takeshi Nishikawa, Yasuhiko Hayashi

    Proc. The Forum on the Sciecne and Technology of Silicon Materials 2014   75 - 80   2014年

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  • Dislocation motion in Sb-doped SiGe on Si substrate

    Yoshifumi Yamashita, Takuya Matsunaga, Toru Funaki, Tatsuya Fushimi, Yoichi Kamiura

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE209 ( 10 ) 1921 - 1925   2012年10月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:WILEY-V C H VERLAG GMBH  

    We have successfully grown antimony-doped Si1-xGex epi-films with different doping level and a boron-doped one on Si (001) substrate. Using these samples, we have investigated the effect of these impurities in Si1-xGex epifilm on dislocation velocity. Although dislocation velocities in the B-doped SiGe film were comparable to those in the undoped one because of the low concentration of B, those in Sb-doped samples are remarkably enhanced, which is qualitatively similar to the effects in bulk Si. The reduction of the activation energy of dislocation motion depended on the doping level of Sb and the amount of the reduction was 1.0?eV in the highest Sb-concentration film. This value is significantly larger than those reported in bulk Si. The velocities in the lowest Sb-concentration samples are also enhanced though the samples are thought to be electrically intrinsic at the temperatures where dislocation velocities were measured. Therefore, the large activation energy reduction is possibly attributed to multiple effects of the Fermi level change and other characteristic effects of the SiGe epifilm.

    DOI: 10.1002/pssa.201200208

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  • Dislocation motion in Sb-doped SiGe on Si substrate (共著)

    Yoshifumi Yamashita, Takuya Matsunaga, Toru Funaki, Tatsuya Fushimi, Yoichi Kamiura

    Physica Status Solidi A209 ( 10 ) 1921 - 1925   2012年10月

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  • DLTS Study of Pd-H Complexes in Si (共著)

    Sunao Abe, Ryuichi Goura, Koichi Shimoe, Yoichi Kamiura, Yoshifumi Yamashita, Takeshi Ishiyama

    Materials Science Forum725   213 - 216   2012年

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  • Palladium-Hydrogen Complex in Silicon Observed by Electron Spin Resonance measurement (共著)

    Japanese Journal of Applied Physics50 ( 9 ) 091301-+4pages   2011年

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  • Electron Spin Resonance of Chromium-Platinum Pair in Silicon (共著)

    Japanese Journal of Applied Physics50 ( 8 ) 081302-+4pages   2011年

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  • Dislocation motion in B-doped SiGe epifilm on Si substrate (共著)

    Toru Funaki, Yoshifumi Yamashita, Takeshi Ishiyama, Yoichi Kamiura

    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 Proceedings   285 - 291   2010年

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  • Bistable character of a deep level in polycrystalline Si substrate for solar cell

    Y. Yamashita, M. Ochi, H. Yoshinaga, Y. Kamiura, T. Ishiyama

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER404 ( 23-24 ) 5071 - 5074   2009年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Electronic levels in polycrystalline Si (pc-Si) substrates for solar cells were studied by means of deep level transient spectroscopy (DLTS). A broad peak was observed at around 250 K when samples with grain boundaries (GBs) were thermally treated. The origin of this peak was investigated and we conclude that it is attributed to Cu contaminants gathered around GBs. We found interesting character of this peak. The peak intensity became small by annealing with reverse-biased voltage on the Schottky junction and it was recovered after keeping the sample at room temperature for several days. We explained this character as bistability of the center depending on its charge state. From the application viewpoint, we tried remote hydrogen-plasma treatment and could annihilate the peak. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2009.08.227

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  • Electron spin resonance of palladium-related defect in silicon

    T. Ishiyama, S. Kimura, Y. Kamiura, Y. Yamashita

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER404 ( 23-24 ) 4586 - 4589   2009年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    A different Pd-related defect from a substitutional Pd with (C(2v)) symmetry was detected by ESR measurement. New ESR signal of the Pd-related defect showed different g-value and symmetry from those of the substitutional Pd. The Pd-related defect has anisotropic character of monoclinic (C(1h)) symmetry. The calculated g-values are g(1) = 1.97, g(2) = 2.03, g(3) = 2.16, and the g(1) axis is along < 110 > direction. The g(2) and g(3) axes are perpendicular to the g(1) axis, and the g(2) axis is rotated from < 100 > to < 111 > direction at the angle of 51 degrees. In addition to the Pd-related defect, we have found other ESR signals in Pd and hydrogen-diffused Si. The ESR signals showed the hyperfine structure of hydrogen. Therefore, it is though that the ESR signals are originated from Pd H complex defect. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2009.08.141

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  • Electron spin resonance study of a platinum-manganese complex in silicon

    T. Ishiyama, N. Murakami, Y. Kamiura, Y. Yamashita

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS159-60   198 - 201   2009年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We observed ESR signals related to Pt and Mn in both n-type and p-type Si. The observed hyperfine structure clearly indicates that the Pt-Mn complex involves one Pt atom and one Mn atom. The anisotropic g-tensor obtained by analyzing the angular dependence of the ESR signals indicates the trigonal (C(3V)) symmetry with the g-values of g(parallel to) = 2.2, g(perpendicular to) = 2.1, and the g(parallel to) axis along the (111) direction. Since it has been known that isolated Pt and Mn atoms occupy substitutional and interstitial sites in Si, respectively, we expect that the Pt-Mn complex consists of a substitutional Pt and an interstitial Mn. In addition, we investigated the dissociation of the complex by thermal treatment at 350-400 degrees C. The activation energy for the dissociation was determined to be 0.96 eV, which was a little higher than that for the diffusion of interstitial Mn in Si. We assume that interstitial Mn diffuses away, leaving a substitutional Pt atom after the dissociation of the Pt-Mn complex. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.018

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  • Stress-induced splitting and shift of infrared absorption lines of platinum-hydrogen complexes in Si

    Kimhiro Sato, Yoichi Kamiura, Takeshi Ishiyama, Yoshifumi Yamashita

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS47 ( 6 ) 4392 - 4397   2008年6月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS  

    We have studied the stress-induced splitting and shift of infrared (TR) absorption lines of platinum-hydrogen complexes in Si by Fourier-transform IR (FT-IR) spectroscopy at 10 K combined with the application of uniaxial stress. We observed several peaks at 1873.0, 1880.7, 1891.8, 1922.3, 1929.9, and 1943.0 cm(-1). These peaks may be due to the previously observed local vibrational modes (LVMs) of various platinum-hydrogen complexes, that is, the anti symmetric-stretching mode of (Pt-H(2))(0), the LVM of (Pt-H(1))(0), the symmetric-stretching mode of (Pt-H(2))(0), LVMs of (Pt-H(3))(-) and (Pt-H(3))(0), and the LVM of an unidentified platinum-hydrogen complex, respectively. The peaks of (Pt-H(1))(0) and (Pt-H2)0 split into two components under < 100 > compressive stress, while those of (Pt-H(3))(-) and (Pt-H(3))(0) did not split. We measured the stress dependence of the two split components of the (Pt-H(1))(0) peak. The low-wavenumber component shifted by -3.2cm(-1)/GPa, and the highwavenumber component shifted by 4.2 cm(-1)/GPa. We show that these wavenumber shifts are equal to the piezospectroscopic tensor elements, A, and A?, respectively. We propose a structural model of the Pt-H(1) complex, where a hydrogen atom is bonded to one of four Si neighbors of the Pt atom in the {110} mirror plane perpendicular to the < 110 > symmetric axis with C(1h) symmetry.

    DOI: 10.1143/JJAP.47.4392

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  • Observation of photo- and electro-luminescence at 1.54 mu m of Er in strained Si and SiGe

    Y. Kamiura, T. Ishiyama, S. Yoneyama, Y. Fukui, K. Inoue, Y. Yamashita

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY146 ( 1-3 ) 135 - 140   2008年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE SA  

    We briefly review our recent results of the strain effects on photoluminescence (PL) properties of Er in tensile strained Si on a SiGe layer (Si:Er:O/SiGe) and compressively strained SiGe on a Si layer (SiGe:Er:O/Si) grown by molecular beam epitaxy, and present new results of electroluminescence (EL) properties of Er in homo- and hetero-epitaxially grown p-i-n diodes (p-Si/i-Si:Er:O/n-Si, p-SiGe/i-SiGe:Er:O/n-Si), where we grew an intrinsic Si or SiGe layer doped with Er and oxygen on an n-type Si substrate and subsequently grew a p-type Si or SiGe top layer. We observed Er-related PL around 1.54 mu m at 77 K in both tensile and compressively strained samples. The PL intensity of these strained samples was much stronger than that of unstrained (Si:Er:O/Si) samples. Moreover, we still observed intensive PL in strained samples even with low Er concentrations far below 10(18) cm(-3), at which unstrained samples showed only weak or no luminescence. Such enhancing effects strongly suggest that the probability of Er optical transition can be enhanced by the presence of both tensile and compressive strains. We also observed Er-related PL and EL around 1.54 mu m at 77 K in the p-i-n diodes, and found that annealing at 800 degrees C increased both of PL and EL intensities. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.mseb.2007.07.024

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  • Photo- and electroluminescence of Er in Si and SiGe layers

    T. Ishiyama, K. Inoue, S. Nakanishi, Y. Yamashita, Y. Kamiura

    Proc. of The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   L-16(5pages)   2008年

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  • Electron spin resonance study of platinum-manganese complexes in Si

    T. Ishiyama, N. Murakami, Y. Yamashita, Y. Kamiura

    Proc. of The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   L-17(5pages)   2008年

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  • Hydrogen passivation of Si and Ge rings

    Y. Kamiura, Y. Yamashita, S. Lin, Y. Kobayashi, Y.Ishikawa, K. Wada

    Proc. of The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   O-02(3pages)   2008年

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  • Formation of low-resistivity region in p-Si substrate of SiGe/Si episystem by remote-hydrogen plasma treatment

    Yoshifumi Yamashita, Yoshifumi Sakamoto, Yoichi Kamiura, Takeshi Ishiyama

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER401   218 - 221   2007年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER  

    We have studied effects of hydrogen treatment on the resistivity profile of the SiGe/Si episystem by spreading resistance (SR) method. In this paper, we present experimental findings that hydrogen treatment reduces the resistivity at a specific part in the Si substrate region. This position was confirmed to be under the interface between SiGe and Si that emerged on the bevel surface during hydrogen treatment. We investigated the depth of resistivity-reduced regions which was formed by various hydrogenating conditions and found that the region was extended to the same depth as the penetration depth of hydrogen. We concluded that the low-resistivity region was formed under the influence of hydrogen introduced from bevel surface. We attributed this resistivity reduction to formation of some defects which originally existed at the interface and diffused into Si substrate with hydrogen. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2007.08.150

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  • Enhancement of blue emission from GaN films and diodes by water vapor remote plasma treatment

    Y. Kamiura, M. Ogasawara, K. Fukutani, T. Ishiyama, Y. Yamashita, T. Mitani, T. Mukai

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER401   331 - 334   2007年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We have studied the effects of water vapor remote plasma treatment (H2O RPT) on emission from Si-doped and undoped n-type GaN films grown on c-face sapphire substrates by the atmospheric-pressure metalorganic chemical vapor deposition method. We found by photoluminescence (PL) spectroscopy at 77K that H2O RPT enhanced violet emission from the n-type GaN films, similarly to the previously observed enhancing effect on blue emission from Mg-doped p-type GaN films. We also observed that H2O RPT reduced the intensity of ESR signal comprising of two peaks detected at 4.2 K in undoped n-type films and increased their resistivity measured at room temperature. We ascribe the enhancing effect of H2O RPT to the passivation of non-radiative recombination centers by hydrogen produced by H2O RPT. We formed GaN p-n diodes from the layer structure of p-GaN:Mg/n-GaN:Si/sapphire, and carried out electroluminescence (EL) measurements of the diodes at 77 K. We observed that EL intensity was also enhanced by H2O RPT. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2007.08.180

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  • Characteristic of strained SiGe film preventing hydrogen from penetrating into Si substrate detected by spreading resistance method

    Yoshifumi Yamashita, Yoshifumi Sakamoto, Yoichi Kamiura, Takeshi Ishiyama

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS46 ( 4A ) 1622 - 1624   2007年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    We investigated the resistivity depth profile of an episystem of a SiGe film on a Si substrate, which was hydrogen-treated by remote plasma by the spreading resistance method. We examined hydrogen penetration by monitoring the resistivity change of the Si substrate due to acceptor passivation by hydrogen. We found that the resistivity of the Si substrate covered by an as-grown SiGe film was not elevated. This indicates that it is extremely difficult for hydrogen atoms to penetrate strained SiGe epi-films. On the other hand, hydrogen atoms can easily penetrate Si films and annealed SiGe films. These results are presumably explained by the misfit strain of epifilms.

    DOI: 10.1143/JJAP.46.1622

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  • Charge-state and isotope effects on the recovery process of stress-induced reorientation of Pt-H-2 complex in silicon

    Namula Bao, Yoichi Kamiura, Yoshifumi Yamashita, Takeshi Ishiyama

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS46 ( 3A ) 907 - 912   2007年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:JAPAN SOC APPLIED PHYSICS  

    We have studied the local motion of hydrogen around a platinum impurity in Si, which was directly probed by measuring the recovery process of stress-induced reorientation of the Pt-H-2 complex by isothermal deep-level transient spectroscopy (IT-DLTS), We found that hydrogen more easily moved in the singly negative charge state of the Pt-H-2 complex than in the doubly negative charge state, and determined the activation energies for the recovery process to be 0.28 and 0.4 eV in the singly and doubly negative charge states, respectively, from a series of isothermal annealing experiments. We also found that the recovery rate of the Pt-D-2 complex in the singly negative charge state is 80% that of the Pt-H-2 complex with the same activation energy of 0.28 eV. This isotope effect clearly proves that both complexes have the same atomic configuration and that their recovery process is governed by the atomic jump of hydrogen (deuterium).

    DOI: 10.1143/JJAP.46.907

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  • Effects of hydrogen on resistivity depth profile of SiGe/p-Si detected by spreading resistance method

    Yoshifumi Yamashita, Yoshifumi Sakamoto, Takeshi Ishiyama, Yoichi Kamiura

    Proc. of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2007   209 - 216   2007年

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  • The electronic states of platinum-hydrogen defects and hydrogen motion in Si observed by DLTS and IR techniques under uniaxial stress

    K. Sato, Y. Kamiura, T. Ishiyama, Y. Yamashita

    Proc. of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2007   258 - 274   2007年

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  • Effects of compressive stress on the electronic states and atomic configurations of the Pt–H2 defect in silicon

    Yoichi Kamiura, Kimihiro Sato, Yoshifumi Yamashita, Takeshi Ishiyama

    Materials Science and Engineering B134 ( 2-3 ) 213 - 217   2006年10月

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  • Local motion of hydrogen around platinum in Si

    N Bao, Y Kamiura, Y Yamashita, T Ishiyama

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER376   81 - 84   2006年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We have studied the local motion of hydrogen around platinum in Si from the recovery kinetics of stress-induced reorientation of the Pt-H-2 Complex. We evaluated the degree of alignment using isothermal DLTS (IT-DLTS) technique under a stress of 0.6 GPa along the &lt; 111 &gt; direction at 70 K where hydrogen Could not move. We observed the recovery at temperatures of 80-85 K only in the singly negative charge state of the Pt-H-2 complex, indicating the similar charge-state-dependent motion of hydrogen as in the stress-induced reorientation of the complex. We obtained an activation energy of 0.25 eV for the recovery process, being comparable with that for the stress-induced reorientation. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.022

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  • Enhancement of photoluminescence at 1.54 mu m from Er in strained Si and SiGe

    T Ishiyama, S Yoneyama, Y Yamashita, Y Kamiura, T Date, T Hasegawa, K Inoue, K Okuno

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER376   122 - 125   2006年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We studied on the photoluminescence (PL) properties of Er in tensile-strained Si on a SiGe layer (Si:Er:O/SiGe) and compressively strained SiGe on a Si layer (SiGe:Er:O/Si) grown by molecular beam epitaxy (MBE). Er-related luminescence was observed around 1.54 mu m in both tensile- and compressively strained samples. The PL intensities of strained Si:Er:O/SiGe and SiGe:Er:O/Si samples were much stronger than those of unstrained Si:Er:O/Si samples. Moreover, intensive luminescence was observed in strained samples with low Er concentrations far below 10(18)CM(-3). The PL spectra of Si:Er:O/SiGe samples were broader than those of unstrained Si:Er:O/Si samples. On the other hand, no significant differences in the width between SiGe:Er:O/Si and unstrained samples were observed. These differences in the PL intensity between strained and unstrained samples strongly suggest that the optical activation of Er in Si and SiGe can be enhanced by the presence of strain. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.031

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  • Effects of hydrogen treatment on strain relaxation of SiGe epi-layer on Ge substrate

    Y Yamashita, R Nakagawa, Y Sakamoto, T Ishiyama, Y Kamiura

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER376   204 - 207   2006年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    Effects of hydrogen treatment on post-growth strain relaxation of GeSi epitaxial films on Ge substrate were studied. We found that pre-hydrogen treatment at room temperature enhanced strain relaxation during subsequent thermal treatment. We also confirmed that the relaxation enhancement effect became small as the annealing time was elongated and the temperature was raised. These results mean that the effect is more remarkable in the early stage of relaxation. In order to investigate the mechanism of this effect, threading dislocation velocity was measured. However, it was not enhanced by pre-hydrogenation. This fact strongly suggests that the relaxation enhancement effect was caused by increase of dislocation sources, which are attributed to hydrogen atoms incorporated into GeSi film. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.054

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  • Electron spin resonance of platinum pair complex in silicon

    T Ishiyama, T Fukuda, Y Yamashita, Y Kamiura

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER376   89 - 92   2006年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We investigated a Pt-Pt pair in Si by electron spin resonance (ESR) measurement. Two kinds of ESR spectra from Pt-Pt pairs which had been already reported were not detected. However, we observed other ESR spectrum of Pt-Pt pair. The ESR spectrum showed the hyperfine structure corresponding to two equivalent Pt atoms. The anisotropic g-tensor obtained by analyzing the angular dependence of the ESR signals indicated the orthorhombic (C-2 nu) symmetry with the g-values of g(x) = 2.11, g(y), = 2.3 1, g(z) = 2.09. The g(z) axis was along [001] direction. The g(y) and g(z) axes were along [110] and [1 (1) over bar0] directions, respectively. The ESR spectrum of Pt-Pt pair was observed in the sample only tinder illumination. This Suggests that a change in the charge state of Pt-Pt pair is caused by carrier excitation. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.024

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  • Stress-induced reorientation of the Pt-H-2 complex in Si

    K Sato, Y Kamiura, Y Yamashita, T Ishiyama

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER376   77 - 80   2006年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We have studied stress-induced reorientation of the Pt-H-2 complex in Si using isothermal deep-level transient spectroscopy (IT-DLTS) technique under uniaxial compressive stress. We have found that the intensity ratio of split components of the IT-DILTS peak for various magnitudes of applied stress up to 0.4 GPa is described by a Boltzmann factor, where the activation energy is proportional to the magnitude of the applied stress. The proportional factor is connected to an element of the piezospectroscopic tensor. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.021

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  • Effects of Hydrogen on Depth Profile of Resistivity of SiGe on Si Substrate

    Yoshifumi Yamashita, Yoichi Kamiura, Takaaki Miyasako, Toshiyuki Shiotani, Takeshi Ishiyama

    Jpn. J. Appl. Phys. Part1   2006年

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  • Enhancement of blue emission from Mg-doped GaN using remote plasma containing atomic hydrogen

    Y Kamiura, M Kaneshiro, J Tamura, T Ishiyama, Y Yamashita, T Mitani, T Mukai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS44 ( 28-32 ) L926 - L928   2005年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:INST PURE APPLIED PHYSICS  

    We have found for the first time that blue emission from Mg-doped GaN was greatly enhanced by remote plasma treatment (RPT) with plasma containing atomic hydrogen, in particular, water vapor plasma, at low temperatures of 300-400 degrees C. The highest enhancing factor was twenty, achieved by water vapor RPT at 400 degrees C for 30 min. The enhanced blue emission was stable up to 500 degrees C, similarly to blue emission from as-grown samples, suggesting the same origin and mechanism. We have confirmed that the emission mechanism is donor-acceptor pair (DAP) recombination, and have concluded that RPT produces a hydrogen-related donor level at E-c - 0.37 eV involved in the DAP emission.

    DOI: 10.1143/JJAP.44.L926

    Web of Science

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  • Observation of long relaxation from Fe-0(3d(8)) to Fe+(3d(7)) by electron spin resonance measurement

    T Ishiyama, T Hiramatsu, Y Yamashita, Y Kamiura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS43 ( 1 ) 9 - 11   2004年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:INST PURE APPLIED PHYSICS  

    We studied the change in the 3d-shell configurations of Fe in B-doped Si under illumination by electron spin resonance (ESR) measurement. ESR signals originating from Fe-i(+)(3d(7)) and Fe-i(0)(3d(8)) were observed in Fe- and B-doped Si. The ESR signal of Fe-i(+)(3d(7)) disappeared and the signal intensity of Fe-i(0)(3d(8)) increased under illumination. These changes of the ESR signals under illumination were caused by the change in the charge state from Fe-i(+)(3d(7)) to Fe-i(0)(3d(8)) due to the capture of an electron. Subsequently, the process of recovery from Fe-i(0)(3d(8)) to Fe-i(+)(3d(7)) due to the capture of a hole was observed after the light was turned off. We found that the relaxation time from Fe-i(0)(3d(8)) to Fe-i(+)(3d(7)) was approximately 30 s at 8 K. This was much longer than the lifetime of a free hole.

    DOI: 10.1143/JJAP.43.9

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  • Effect of uniaxial stress on the electronic state of a platinum-dihydrogen complex in silicon and charge-state-dependent motion of hydrogen during stress-induced reorientation

    Y. Kamiura, K. Sato, Y. Iwagami, Y. Yamashita, T. Ishiyama, Y. Tokuda

    Physical Review B   2004年

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  • Strain-enhanced photoluminescence of Er in strained Si and SiGe layers

    T. Ishiyama, Y. Kamiura, S. Yoneyama, Y. Yamashita, T. Date, T. Hasegawa, K. Inoue, K. Okuno

    Proceedings of The 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium)   2004年

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  • Comparative Study of Electronically Controlled Motion of Hydrogen around Carbon and Platinum Atoms in Silicon

    Y. Kamiura, N. Bao, K. Sato, K. Fukuda, Y. Iwagami, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Materials Research Society Symposium Proceedings   2004年

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  • Enhancing effect of tensile strain on photoluminescence of Er in Si on a SiGe layer

    T Ishiyama, M Yoshida, Y Yamashita, Y Kamiura, T Date, T Hasegawa, K Inoue, K Okuno

    PHYSICA B-CONDENSED MATTER340   818 - 822   2003年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We studied on the effect of the strain on photoluminescence (PL) properties of Er-doped Si on a SiGe layer (Si:Er:O/SiGe) and Er-doped SiGe on a Si layer (SiGe:Er:O/Si) grown by molecular beam epitaxy. Er-related luminescence was observed around 1.54 mum in all the samples. The PL spectra of the Si:Er:O/SiGe samples are much broader and stronger than those of the Si:Er:O/Si samples prepared as reference. Moreover, the intensive luminescence was observed in the Si:Er:O/SiGe sample that had much lower Er concentration of about 2.5 x 10(16) cm(-3). On the other hand, the significant differences in the PL spectra between the SiGe:Er:O/Si and Si:Er:O/Si samples were not observed. These indicate that the tensile strained Si enhances the optical activation of Er. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/j.physb.2003.09.225

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  • Study of the deep level related to a platinum-dihydrogen complex in Si by capacitance transient spectroscopy under uniaxial stress

    Y Kamiura, Y Iwagami, K Fukuda, Y Yamashita, T Ishiyama, Y Tokuda

    MICROELECTRONIC ENGINEERING66 ( 1-4 ) 352 - 357   2003年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:ELSEVIER SCIENCE BV  

    We have applied a novel technique to combine isothermal deep-level transient spectroscopy (DLTS) with the application of uniaxial compressive stress to studying the structure of a platinum- and hydrogen-related defect, which has a gap state at 0.14 eV below the conduction band in Si. The application of &lt;100&gt; and &lt;111&gt; stresses split the DLTS peak of the defect into two components with intensity ratios of 23:1 and 1.1:1, respectively, which were ratios of short- to long-time components. Under &lt;110&gt; stress, the peak split into three components with an intensity ratio of 0.8:3.7:1. Comparing this splitting pattern to the piezospectroscopic theory of Kaplyanskii, we have uniquely determined that the defect has the orthorhombic symmetry with the C-2v point group, and have identified the defect as the Pt-H-2 complex previously identified by Uftring et al. [Phys. Rev. B 51 (1995) 9612]. We also observed that the defect was reoriented above 80 K along the applied uniaxial stress. Such reorientation occurred only when the defect level was not occupied by an electron. Our observation strongly suggests that the local motion of hydrogen around the Pt atom is remarkably affected by the charge state of the defect. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

    DOI: 10.1016/S0167-9317(02)00941-3

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  • Effects of hydrogen atoms on postannealing of phosphorus-ion implanted silicon

    Y Yamashita, Y Kamiura, Yamamoto, I, T Ishiyama, Y Sato

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS93 ( 1 ) 134 - 138   2003年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    The ion implantation process used in silicon device processing needs a postannealing at as high as 1000 degreesC to recover the damages induced by high-energy ion bombardment and to electrically activate implanted impurities. We developed a postannealing treatment using remote-hydrogen plasma to reduce the annealing temperature. We found that our postannealing treatment more greatly reduced the resistivity of the surface region, which was very high just after implantation. The dependence of resistivity-reduction rate on annealing temperature was weaker for the annealing with hydrogen plasma than for the normal annealing. Therefore the enhancing effect by hydrogen was remarkable at lower temperature in the range of 250-350 degreesC. The less the dose quantity was, the stronger the enhancing effect was observed. The postannealing using hydrogen plasma with the power of 50 W at 300 degreesC for 2 h showed almost the same performance as the usual rapid thermal annealing process at 1000 degreesC for 30 s. (C) 2003 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.1527713

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  • Efficient emission from erbium in strained silicon

    Takeshi Ishiyama, Yoichi Kamiura, Mamoru Yoshida, Yoshifumi Yamashita

    Proc. of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2003   2003年

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  • Effects of Hydrogen on Atomic Motion in Semiconductors

    Yoshifumi Yamashita, Yoich Kamiura, Takeshi Ishiyama

    Proc. of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2003   2003年

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  • Photoluminescence of Er in strained Si on SiGe layer

    T Ishiyama, S Nawae, T Komai, Y Yamashita, Y Kamiura, T Hasegawa, K Inoue, K Okuno

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS92 ( 7 ) 3615 - 3619   2002年10月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:AMER INST PHYSICS  

    We studied photoluminescence of Er in strained Si on a SiGe layer (Si:Er:O/SiGe) and unstrained Si on a Si layer (Si:Er:O/Si) grown by molecular beam epitaxy. Er-related photoluminescence was observed in both Si:Er:O/SiGe and Si:Er:O/Si samples. The peak intensity of Si:Er:O/SiGe at 1.54 mum was higher than that of Si:Er:O/Si. Moreover, the spectrum of strained Si (Si:Er:O/SiGe) was much broader than that of unstrained Si (Si:Er:O/Si). These differences between Si:Er:O/SiGe and Si:Er:O/Si suggest that the optical activation of Er can be enhanced by the presence of strain. (C) 2002 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.1506391

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  • Dislocation Glide Motion in Semiconductors Enhanced by Hydrogen

    Y. Yamashita, K. Kamiura, T. Ishiyama, K. Maeda

    Proceedings of International Symposium on Manipulation of Atoms and Molecules by Electronic Excitations   2002年

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  • Photoluminescence of Er-doped Si film on SiGe layer grown by molecular beam epitaxy

    T. Ishiyama, Y. Yamashita, K. Kamiura

    Proceedings of International Symposium on Manipulation of Atoms and Molecules by Electronic Excitations   2002年

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  • Charge-state-dependent Motion of Hydrogen in Si

    Y. Kamira, K. Fukuda, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Proceedings of International Symposium on Manipulation of Atoms and Molecules by Electronic Excitations   2002年

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  • Electronically controlled motion of hydrogn in silicon

    Y. Kamiura, K. Fukud, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Phys. Rev. B   2002年

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  • Stress-iduced splitting of the electronic level related to a platinum-hydrogen complex in silicon

    K. Fukuda, Y. Iwagami, Y. Kamiura, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Physica B   2001年

  • Electronic States and Structures of Hydrogen-Related Defects and Local Motion of Hydrogen in Silicon

    Y. Kamiura, K. Fukuda, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Proc. of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2001   2001年

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  • Effects of Uniaxial Stress on the Electronic State of the Hydrogen-Carbon Complex in Silicon

    K. Fukuda, Y. Kamiura, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Physica B   2001年

  • Stress-Induced Level Shift of a Hydrogen-Carbon Complex in Silicon

    K. Fukuda, Y. Kamiura, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Jpn. J. Appl. Phys. Part1   2001年

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  • Dislocation motion in semiconducting crystals under the influence of electronic perturbations

    K. Maeda, K. Suzuki, Y. Yamashita, Y. Mera

    Journal of Physics Condensed Matter12 ( 49 ) 10079 - 10091   2000年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:IOP  

    The radiation enhanced dislocation glide effect was confirmed in h-ZnO as well as in other semiconductors, which proved further the ubiquitous nature of this effect in semiconductors. Analysis of the radiation enhanced dislocation vibrations observed in the same h-ZnO led us to a tentative model that the effect is brought about by fluctuations of the charge state of point defects which exert electrostatic forces on the charged dislocations. The hydrogen-plasma enhanced dislocation glide was studied in Ge, SiGe and GaAs in addition to the previous reports on Si. The absence of the hydrogen effect in α-dislocations in n-GaAs and in thin films of SiGe is interpreted in terms of the soliton model, the essence of which is a strong binding between kinks and hydrogens.

    DOI: 10.1088/0953-8984/12/49/308

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  • Motion of hydrogen in silicon revealed by deep-level transient spectroscopy under uniaxial stress

    Y. Kamiura, K. Fukuda, Y. Yamashita

    Journal of Crystal Growth210 ( 1 ) 122 - 127   2000年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Elsevier Science B.V.  

    We propose a method to visualize the local motion of hydrogen in Si by combining deep-level transient spectroscopy (DLTS) under uniaxial stress with the technique of stress-induced alignment and subsequent relaxation of hydrogen-related complex defects. The model defect used is a hydrogen-carbon (H-C) complex, which has a donor level at Ec-0.15 eV in Si and can be detected by DLTS as an electron trap. The splitting behavior of the DLTS peak under compressive stresses to lift the orientational degeneracy is consistent with the atomic model in which the hydrogen atom occupies the bond-centered site between silicon and carbon atoms. We have observed the stress-induced alignment of the complex under a 〈1 1 0〉 stress of 1 GPa at 250-300 K and the subsequent relaxation of stress-induced alignment after removing the stress. This behavior can be understood as the motion of hydrogen under the stress from a high-energy bond to a low-energy bond with respect to the stress direction and the subsequent relaxing motion of hydrogen via bond-to-bond jumps under no stress. By controlling the charge state of the complex with and without applying reverse bias to the Schottky junction, we have found that the hydrogen motion is greatly influenced by the charge state of the complex and hydrogen moves more easily in the neutral charge state.

    DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00664-8

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  • Annihilation of thermal double donors in silicon

    Yoichi Kamiura, Yoshinori Takeuchi, Yoshifumi Yamashita

    Journal of Applied Physics87 ( 4 ) 1681 - 1689   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.  

    We performed systematic experiments on the annihilation of six species of thermal double donors, or TDDs (TDD1-TDD6) under various conditions in both carbon-lean and carbon-rich Si crystals, by means of low-temperature infrared spectroscopy. We found that two kinds of TDD annihilation occurred in two different time regions. The first annihilation occurred typically within 1000 min at 500°C, and is ascribed to the dissociation of oxygen clusters responsible for TDDs. We analyzed TDD annihilation on the basis of the model of successive dissociation of oxygen clusters, and obtained an activation energy of about 4 eV and a pre-exponential factor of the order of 1022s-1, regardless of TDD species and carbon density. We discuss the origin of such a high activation energy and a large pre-exponential factor. The second annihilation occurred typically after 1000 min at 500°C, and is ascribed to the neutralization of TDDs. The neutralization behavior strongly depends on the amount of carbon in the silicon crystals. The C-rich crystal shows the usual thermal activation process with an activation energy of 1.7 eV and a pre-exponential factor of about 106s-1, independently of TDD species. On the other hand, the C-lean crystal shows no distinct temperature dependence on neutralization rate, suggesting an athermal process. These results strongly suggest two different mechanisms of TDD neutralization, one of which is related to carbon and the other independent of carbon. We propose models to explain the features of these two kinds of TDD neutralization. © 2000 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.372077

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  • Annihilation of thermal double donors in silicon

    Yoichi Kamiura, Yoshinori Takeuchi, Yoshifumi Yamashita

    Journal of Applied Physics87 ( 4 ) 1681 - 1689   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.  

    We performed systematic experiments on the annihilation of six species of thermal double donors, or TDDs (TDD1-TDD6) under various conditions in both carbon-lean and carbon-rich Si crystals, by means of low-temperature infrared spectroscopy. We found that two kinds of TDD annihilation occurred in two different time regions. The first annihilation occurred typically within 1000 min at 500°C, and is ascribed to the dissociation of oxygen clusters responsible for TDDs. We analyzed TDD annihilation on the basis of the model of successive dissociation of oxygen clusters, and obtained an activation energy of about 4 eV and a pre-exponential factor of the order of 1022s-1, regardless of TDD species and carbon density. We discuss the origin of such a high activation energy and a large pre-exponential factor. The second annihilation occurred typically after 1000 min at 500°C, and is ascribed to the neutralization of TDDs. The neutralization behavior strongly depends on the amount of carbon in the silicon crystals. The C-rich crystal shows the usual thermal activation process with an activation energy of 1.7 eV and a pre-exponential factor of about 106s-1, independently of TDD species. On the other hand, the C-lean crystal shows no distinct temperature dependence on neutralization rate, suggesting an athermal process. These results strongly suggest two different mechanisms of TDD neutralization, one of which is related to carbon and the other independent of carbon. We propose models to explain the features of these two kinds of TDD neutralization. © 2000 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.372077

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  • Annihilation of Thermal Double Donors in Silicon

    Yoichi Kamiura, Yoshinori Takeuchi, Yoshifumi Yamashita

    J. Appl. Phys.   2000年

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  • Isotope Effects on the Dissociation of a Hydrogen-Carbon Complex in Silicon

    Yoichi Kamiura, Kazuhisa Fukuda, Shigeki Ohyama, Yoshifumi Yamashita

    Jpn. J. of Appl. Phys.   2000年

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  • Dislocation motion in semiconducting crystals under the influence of electronic perturbations

    K. Maeda, K. Suzuki, Y. Yamashita, Y. Mera

    J. Phys.: Condens. Matter   2000年

  • Motion of Hydrogen in Silicon Revealed by Deep-Level Transient Spectroscopy under Uniaxial Stress

    Yoichi Kamiura, Kazuhisa Fukuda, Yoshifumi Yamashita

    J. Crystal Growth   2000年

  • Electronic State, Atomic Configuration and Local Motion of Hydrogen around Carbon in Silicon

    Y. Kamiura, K. Fukuda, Y. Yamashita, T. Ishiyama

    Defect and Diffusion ForumVol. 183-185, pp. 25-40   2000年

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  • Effects of charge state on stress-induced alignment and relaxation of a hydrogen-carbon complex in silicon

    K. Fukuda, Y. Kamiura, Y. Yamashita

    Physica B: Condensed Matter273-274   184 - 187   1999年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Elsevier Science Publishers B.V.  

    The local motion of hydrogen around carbon in n-type Si was studied by deep level transient spectroscopy (DLTS) under uniaxial compressive stress, combined with the technique of stress-induced alignment and subsequent relaxation. For the hydrogen-carbon (H-C) complex studied here, the hydrogen occupied the bond-centered site between silicon and carbon atoms. The H-C complex induced a donor level at 0.15 eV below the conduction band and was detected by DLTS as an electron trap. We have found that the compressive stress parallel to the C-H-Si bond raises the electronic energy of the bond. We have observed stress-induced alignment of the complex under 〈1 1 1〉 and 〈1 1 0〉 compressive stresses of 1 GPa at 250-300 K and subsequent relaxation of the alignment after removing the stress. This behavior can be understood as the motion of hydrogen under the stress from a high-energy to a low-energy bond with respect to the stress direction and the subsequent relaxation motion of hydrogen via bond-to-bond jumps in the absence of stress. By controlling the charge state of the complex with and without applying reverse bias to the Schottky junction, we have found that hydrogen moves more easily in the neutral charge state.

    DOI: 10.1016/S0921-4526(99)00441-X

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  • Photo-enhanced dissociation of hydrogen-magnesium complexes in gallium nitride

    Y. Kamiura, Y. Yamashita, S. Nakamura

    Physica B: Condensed Matter273-274   54 - 57   1999年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Elsevier Science Publishers B.V.  

    We have studied the effect of UV light illumination during thermal annealing on the electrical properties of Mg-doped GaN films grown on (0 0 0 1) sapphire substrates by the two-flow MOCVD. We performed isochronal annealing up to 800 °C for 1 h in a nitrogen atmosphere with and without UV light illumination, and measured annealing-induced changes in resistivity, hole density and mobility at 25 °C using the van der Pauw method. Under no illumination, annealing around 550 °C caused resistivity and mobility to decrease and simultaneously hole density to increase. This is consistent with the commonly accepted model that the hydrogen passivation of Mg is caused by the formation of electrically inactive Mg-H complexes and thermal annealing dissociates the complexes to activate Mg. The illumination of UV light with a peak wavelength around 350 nm greatly enhanced the dissociation of Mg-H complexes, reducing the temperature of resistivity reduction from 550 °C to 450 °C. These suggest that the dissociation of Mg-H complexes may be accelerated by the electronic excitation of the complexes and/or by the changes of their charge states. In view of application, such an effect may be useful to reduce the temperature of thermal annealing to make as-grown GaN films conductive.

    DOI: 10.1016/S0921-4526(99)00405-6

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  • Effects of Charge State on Stress-Induced Alignment and Ralaxation of a Hydrogen-Carbon Complex in Silicon

    Kazuhisa Fukuda, Yoichi Kamiura, Yoshifumi Yamashita

    Physica B   1999年

  • Hydrogen Enhanced Dislocation Glides in Silicon

    Yoshifumi Yamashita, Fumihiko Jyobe, Yoichi Kamiura, Koji Maeda

    phys. stat. sol. (a)   1999年

  • シリコン中の水素-炭素複合欠陥の構造と水素の局所運動

    上浦洋一, 福田和久, 山下善文

    応用物理68巻2号,161頁〜165頁   1999年

  • Phosphorus Diffusion from Doped Polysilicon Through Ultrathin SiO2 Films into Si Substarates

    Yumiko Tsubo, Y. Komatsu, K. Saito, Satoru Matsumoto, Y. Sato, Ikuhisa Yamamoto, Y. Yamashita

    Electrochemical Society Proceedings   1999年

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  • Oxygen Clustering and Precipitation in Silicon : Influence of Carbon and Hydrogen

    Yoichi Kamiura, Yoshifumi Yamashita

    Proc. Kazusa Academia Park Forum on the Science and Technology of Silicon Materials   1999年

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  • Photo-Enhanced Dissociation of Hydrogen-Magnesium Complexes in Gallium Nitride

    Yoichi Kamiura, Yoshifumi Yamashita, Shuji Nakamura

    Physica B   1999年

  • Deep center related to hydrogen and carbon in p-type silicon

    Yoichi Kamiura, Makoto Tsutsue, Yoshifumi Yamashita, Fumio Hashimoto, Kazuhiko Okuno

    Journal of Applied Physics78 ( 7 ) 4478 - 4486   1995年

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    記述言語:英語  

    We have found a hole trap related to hydrogen and carbon in p-type crystalline silicon after hydrogen and deuterium injection by chemical etching and plasma exposure. It was found from deep-level transient spectroscopy that this center is located at 0.33 eV above the valence band and shows no Poole-Frenkel effect in electric fields lower than 6×103 V/cm. The depth profiling technique using deep-level transient spectroscopy indicated that this center is distributed over the range 1-7 μm from the surface with densities of 1011-1013 cm-3, depending on the hydrogenation method. On the other hand, secondary ion mass spectroscopy revealed that the majority of deuterium injected into silicon exists within a much shallower region less than 60 nm from the surface with higher densities of 1018-1020 cm-3. We have therefore concluded that the majority of injected hydrogen stays in the near-surface region probably in the form of a molecule and larger clusters and only the minority diffuses into the bulk in an atomic form to form an electrically active complex with carbon. We performed annealing experiments to investigate the thermal stability of the complex. It was stable in the dark up to 100 °C, above which it was completely annihilated in first-order kinetics with an activation energy of about 1.7 eV. The illumination of band gap light with and without a reverse bias at room temperature and at 50 °C induced no effect on the stability of the trap. This is contrast to the photoinduced annihilation of a recently observed electron trap related also to hydrogen and carbon and with comparable thermal stability in n-type silicon. These similarities and differences between the two traps and the comparison of the present results with the recently published theoretical calculations of the total energy of hydrogen configurations in the hydrogen-carbon complex suggest that the previously observed electron trap and the presently observed hole trap arise from two different defects with similar origins and structures and are tentatively ascribed to the electronic states of "bond-centered" and "anti-bonding of carbon" configurations of hydrogen in the hydrogen-carbon complex, respectively. © 1995 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.359858

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  • Deep center related to hydrogen and carbon in p-type silicon

    Yoichi Kamiura, Makoto Tsutsue, Yoshifumi Yamashita, Fumio Hashimoto, Kazuhiko Okuno

    Journal of Applied Physics78 ( 7 ) 4478 - 4486   1995年

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    記述言語:英語  

    We have found a hole trap related to hydrogen and carbon in p-type crystalline silicon after hydrogen and deuterium injection by chemical etching and plasma exposure. It was found from deep-level transient spectroscopy that this center is located at 0.33 eV above the valence band and shows no Poole-Frenkel effect in electric fields lower than 6×103 V/cm. The depth profiling technique using deep-level transient spectroscopy indicated that this center is distributed over the range 1-7 μm from the surface with densities of 1011-1013 cm-3, depending on the hydrogenation method. On the other hand, secondary ion mass spectroscopy revealed that the majority of deuterium injected into silicon exists within a much shallower region less than 60 nm from the surface with higher densities of 1018-1020 cm-3. We have therefore concluded that the majority of injected hydrogen stays in the near-surface region probably in the form of a molecule and larger clusters and only the minority diffuses into the bulk in an atomic form to form an electrically active complex with carbon. We performed annealing experiments to investigate the thermal stability of the complex. It was stable in the dark up to 100 °C, above which it was completely annihilated in first-order kinetics with an activation energy of about 1.7 eV. The illumination of band gap light with and without a reverse bias at room temperature and at 50 °C induced no effect on the stability of the trap. This is contrast to the photoinduced annihilation of a recently observed electron trap related also to hydrogen and carbon and with comparable thermal stability in n-type silicon. These similarities and differences between the two traps and the comparison of the present results with the recently published theoretical calculations of the total energy of hydrogen configurations in the hydrogen-carbon complex suggest that the previously observed electron trap and the presently observed hole trap arise from two different defects with similar origins and structures and are tentatively ascribed to the electronic states of "bond-centered" and "anti-bonding of carbon" configurations of hydrogen in the hydrogen-carbon complex, respectively. © 1995 American Institute of Physics.

    DOI: 10.1063/1.359858

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  • On optimum design of dislocation filters for reduction of misfit dislocations

    K. Maeda, Y. Yamashita, K. Fujita, S. Fukatsu, K. Suzuki, Y. Mera, Y. Shiraki

    Journal of Crystal Growth127 ( 1-4 ) 451 - 455   1993年2月

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    記述言語:英語  

    A guide line is proposed to design efficient dislocation filters having modulus-modulated multilayer (MMML) structures strained in one direction. The central design concepts are (a) large blocking effect owing to MMML structure, (b) large sweeping effect owing to the use of MMML with built-in stresses in a common direction and stacked to a total thickness exceeding the multilayer critical thickness, and (c) filter thickness as large as possible to enhance the sweeping effect. Experimental results on a Si-Ge/Si heterostructure fabricated according to the guide line are presented. © 1993.

    DOI: 10.1016/0022-0248(93)90659-K

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  • On optimum design of dislocation filters for reduction of misfit dislocations

    K. Maeda, Y. Yamashita, K. Fujita, S. Fukatsu, K. Suzuki, Y. Mera, Y. Shiraki

    Journal of Crystal Growth127 ( 1-4 ) 451 - 455   1993年2月

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    記述言語:英語  

    A guide line is proposed to design efficient dislocation filters having modulus-modulated multilayer (MMML) structures strained in one direction. The central design concepts are (a) large blocking effect owing to MMML structure, (b) large sweeping effect owing to the use of MMML with built-in stresses in a common direction and stacked to a total thickness exceeding the multilayer critical thickness, and (c) filter thickness as large as possible to enhance the sweeping effect. Experimental results on a Si-Ge/Si heterostructure fabricated according to the guide line are presented. © 1993.

    DOI: 10.1016/0022-0248(93)90659-K

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  • Dislocation motion in strained thin films. Are Kinks colliding with each other?

    K. Maeda, Y. Yamashita

    physica status solidi (a)138 ( 2 ) 523 - 532   1993年

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    記述言語:英語  

    For epi‐threading dislocations in Si0.9Ge0.1 strained epitaxial films grown on Si, the velocity of their lateral propagation parallel to the hetero‐interface is found to increase almost linearly with film thickness h and exhibits saturation above h ≈ 700 nm, while the activation energy is invariable over the thickness range investigated. The thickness‐dependent velocity cannot be explained quantitatively by the inevitable effect of line tension due to interfacial dislocations which whould reduce the velocity of epi‐threading dislocations at small thicknesses. The invariable activation energy contradicts another conceivable interpretation considering transition in the glide mode, with increasing dislocation length, from the no‐kink‐collision regime to the kink‐collision regime. Paradoxical facts including the present one are well accounted for by a new model supposing the presence of obstacles on dislocations which effectively limits the kink mean free path to a shorter distance than that determined by kink collision. Copyright © 1993 WILEY‐VCH Verlag GmbH &amp
    Co. KGaA

    DOI: 10.1002/pssa.2211380221

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  • Dislocation glide motion in heteroepitaxial thin films of Si1-xGex/Si(100)

    Y. Yamashita, K. Maeda, K. Fujita, N. Usami, K. Suzuki, S. Fukatsu, Y. Mera, Y. Shiraki

    Philosophical Magazine Letters67 ( 3 ) 165 - 171   1993年

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    記述言語:英語  

    Measurements of dislocation glide velocity in heteroepitaxial Si1-xGex thin films grown on Si(100) substrates revealed that the velocity of threading dislocationspenetrating the epitaxial layers depends almost linearly on the film thickness(dislocation length) in very thin films and shows saturation as the film thicknessexceeds about 1 pm, in agreement with results of a similar experiment performed byTuppen and Gibbings in 1990. The activation energy of dislocation motion isunaltered over this transition, which is incompatible with the view that suchsaturation is brought about by commencement of kink collision in long dislocations. This fact, together with other findings in the present study, supports aninterpretation that the dislocation glide in bulk crystals of Si, even though thesegment of straight dislocation is of a macroscopic dimension, proceeds withoutkink collision and is controlled solely by the formation rate of double kinks. © 1993 Taylor &amp
    Francis Ltd.

    DOI: 10.1080/09500839308240925

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  • Dislocation glide motion in heteroepitaxial thin films of Si1-xGex/Si(100)

    Y. Yamashita, K. Maeda, K. Fujita, N. Usami, K. Suzuki, S. Fukatsu, Y. Mera, Y. Shiraki

    Philosophical Magazine Letters67 ( 3 ) 165 - 171   1993年

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    記述言語:英語  

    Measurements of dislocation glide velocity in heteroepitaxial Si1-xGex thin films grown on Si(100) substrates revealed that the velocity of threading dislocationspenetrating the epitaxial layers depends almost linearly on the film thickness(dislocation length) in very thin films and shows saturation as the film thicknessexceeds about 1 pm, in agreement with results of a similar experiment performed byTuppen and Gibbings in 1990. The activation energy of dislocation motion isunaltered over this transition, which is incompatible with the view that suchsaturation is brought about by commencement of kink collision in long dislocations. This fact, together with other findings in the present study, supports aninterpretation that the dislocation glide in bulk crystals of Si, even though thesegment of straight dislocation is of a macroscopic dimension, proceeds withoutkink collision and is controlled solely by the formation rate of double kinks. © 1993 Taylor &amp
    Francis Ltd.

    DOI: 10.1080/09500839308240925

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  • Dislocation filters utilizing anisotropic dislocation glide motion in modulus-modulated multilayer structures

    K. Maeda, Y. Yamashita, S. Fukatsu, K. Suzuki, Y. Shiraki

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials126 ( 1-3 ) 210 - 213   1993年

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    記述言語:英語  

    Anisotropic dislocation glide expected in a multilayer structure modulated with shear modulus was investigated in Si-Ge/Si systems with an intention to apply this concept to dislocation filters that are used to reduce misfit dislocations in hetero-epitaxial films. The applicability of this approach to metallic systems is discussed. © 1993.

    DOI: 10.1016/0304-8853(93)90583-N

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  • Dislocation filters utilizing anisotropic dislocation glide motion in modulus-modulated multilayer structures

    K. Maeda, Y. Yamashita, S. Fukatsu, K. Suzuki, Y. Shiraki

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials126 ( 1-3 ) 210 - 213   1993年

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    記述言語:英語  

    Anisotropic dislocation glide expected in a multilayer structure modulated with shear modulus was investigated in Si-Ge/Si systems with an intention to apply this concept to dislocation filters that are used to reduce misfit dislocations in hetero-epitaxial films. The applicability of this approach to metallic systems is discussed. © 1993.

    DOI: 10.1016/0304-8853(93)90583-N

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  • Dislocation motion in strained thin films. Are Kinks colliding with each other?

    K. Maeda, Y. Yamashita

    physica status solidi (a)138 ( 2 ) 523 - 532   1993年

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    記述言語:英語  

    For epi‐threading dislocations in Si0.9Ge0.1 strained epitaxial films grown on Si, the velocity of their lateral propagation parallel to the hetero‐interface is found to increase almost linearly with film thickness h and exhibits saturation above h ≈ 700 nm, while the activation energy is invariable over the thickness range investigated. The thickness‐dependent velocity cannot be explained quantitatively by the inevitable effect of line tension due to interfacial dislocations which whould reduce the velocity of epi‐threading dislocations at small thicknesses. The invariable activation energy contradicts another conceivable interpretation considering transition in the glide mode, with increasing dislocation length, from the no‐kink‐collision regime to the kink‐collision regime. Paradoxical facts including the present one are well accounted for by a new model supposing the presence of obstacles on dislocations which effectively limits the kink mean free path to a shorter distance than that determined by kink collision. Copyright © 1993 WILEY‐VCH Verlag GmbH &amp
    Co. KGaA

    DOI: 10.1002/pssa.2211380221

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講演・口頭発表等

  • 水分子衝突によるCH3NH3PbI3結晶の分解反応に関する研究

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年 

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  • β-Ga2O3の電気特性に対するリモート水素プラズマ処理の効果

    2018年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2018年 

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  • mc-Si中の粒界上金属関連準位に対する水素処理の効果

    2018年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2018年 

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  • β-Ga2O3に対するリモート水素プラズマ処理の影響

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • ポリジアセチレンの熱・光誘起による相転移とそれに伴う構造変化

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • 4H-SiC中積層欠陥収縮速度の熱処理温度依存性

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年 

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  • 化学気相成長法を用いたCNT合成における合成温度条件がアレイ密度と紡績性に及ぼす影響

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年 

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  • ウエットプロセスによりMoO3を複合化したCNT紡績糸スーパーキャパシタの特性向上

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年 

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  • MoO3の浸漬塗布によるCNT紡績糸線状スーパーキャパシタの静電容量向上

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • エネルギー輸送の違いから見たカーボンナノチューブの通電加熱の効果

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年 

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  • 乾式カーボンナノチューブ紡績糸を用いたフレキシブル熱電変換素子の物性制御

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • 酸化モリブデン塗布によるカーボンナノチューブ紡績糸の導電率向上

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年 

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  • 光還元を利用した酸化グラフェンの構造推定と還元ダイナミクスの解明

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年 

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  • 高分子線材/CNT紡績糸マルチフィラメント・ソフトアクチュエータの開発

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年 

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  • CNT紡績糸を用いた線状スーパーキャパシタのMoO3による静電容量向上

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年 

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  • 水分子衝突による有機無機ハイブリッドペロブスカイト材料の劣化反応メカニズム

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • 高紡績性CNT合成に向けた合成温度条件とアレイ密度の制御

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • EuBaCo2O5.38の光励起酸素輸送ダイナミクス

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年 

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  • mc-Si中の金属関連準位に対する水素処理の影響

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • 加熱処理によるCNT紡績糸の熱物性制御

    2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2018年 

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  • 巨大グレインMAPbI3-xClx薄膜の作製

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • カーボンナノチュブ紡績糸を用いた軽量・高応答人工筋肉の研究開発

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年 

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  • カーボンナノチューブの層数とチューブ径制御

    ナノファイバー学会第8回年次大会  2017年 

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  • 水蒸気雰囲気中ヨウ化鉛メチルアンモニウム薄膜の劣化機構解明

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • 超高速時間分解電子線回折装置によるEuBaCo2O5.38の構造ダイナミクス

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • Direct observation of atomic of graphene oxide under ultraviolet photoecitation

    OptoX-NANO  2017年 

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  • 超高速時間分解電子線回折から見たEuBaCo2O5.38の構造ダイナミクス

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年 

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  • CNT紡績糸の特性向上を目指したカーボンナノチューブの層数とチューブ径制御

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年 

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  • Expansion of Shockley Stacking Fault Observed by Scanning Electron Microscope and Partial Dislocation Motion in 4H-SiC

    第29回半導体中の欠陥に関する国際会議  2017年 

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  • Study on instability of Ni-related level in mc-Si under electric field by isothermal-DLTS

    第29回半導体中の欠陥に関する国際会議  2017年 

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  • Structural dynamics of EuBaCo2O5.38 by ultlafast time resolved electron diffraction

    OptoX-NANO  2017年 

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  • Controlling wall-number and tube-diameter of carbon nanotubes for improvement characteristic of CNT yarns

    OptoX-NANO  2017年 

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  • 巨大グレインMAPbI3-xClx薄膜の作製と評価

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年 

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  • 時間分解電子線回折法を用いたEuBaCo2O5.38の構造ダイナミクス計測

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年 

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  • SbドープSiGe/Siの抵抗率分布に対するリモート水素プラズマ処理の影響

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • リモート水素プラズマを用いたカーボンナノチューブの特性向上

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • 走査電子顕微鏡を用いた4H-SiC中積層欠陥の収縮挙動の研究

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • 拡がり抵抗測定をSiGe/Siに適用する際の抵抗率・キャリア密度変換法の検討

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • 有機溶媒分散による天然黒鉛のマイクロスケール・グラフェン化の試み

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • 酸化グラフェンの光励起下における原子運動の直接観察

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • バイアス印加処理したカーボンナノチューブ紡績糸の電気・機械特性

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • 化学気相成長中の昇温最適化によるカーボンナノチューブの層数とチューブ径制御

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • ソーラーセル用多結晶Si中のCu準位に対する逆バイアス効果

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • mc-Si中Ni関連準位の逆バイアス下での消滅機構

    2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2017年 

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  • 走査電子顕微鏡プローブビームによる電子線照射下での4H-SiC中の部分転位運動

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年 

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  • IT-DLTS法を用いた mc-Si中Ni関連準位の電界印加による消滅機構の研究

    2017年第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年 

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  • 半導体中の転位運動に対するドーピング効果研究のためのSiGe エピ膜の作製と評価

    2016年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2016年 

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  • 長尺・高密度・垂直配向カーボンナノチューブの紡績性

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • 4-ニトロベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボラートによるカーボン ナノチューブ・ファイバの電気的特性改善

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年 

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  • SEMプローブビーム照射下での4H-SiC中部分転位の運動速度

    2016年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2016年 

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  • 有機無ハイブリッド太陽電池におけるペロスカト層の作製条件の最適化

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年 

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  • 鉛ハライドペロブスカイト太陽電池の光劣化ダイナミクス

    2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年 

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  • 鉛ハライドペロブスカイト化合物の光劣化ダイナミクス

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • 電子線照射で導入した4H-SiC中積層欠陥の形状と熱処理による収縮

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • IT-DLTS測定法を用いた太陽電池用多結晶Si中Ni関連電子準位の逆バイアス印加による消滅機構の研究

    2016年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2016年 

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  • スクラッチから拡大した4H-SiC 中積層欠陥の熱処理による収縮挙動

    2016年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2016年 

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  • 太陽電池用多結晶シリコン中Ni関連準位の電界印加による消滅の機構

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • ペロブスカイト太陽電池の作製と光劣化プロセス解析

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • 走査電子顕微鏡による電子線照射で促進された4H-SiC中 部分転位の運動速度

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • SiGeエピ膜貫通転位運動のSbドープによる促進効果の機構

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • 4-ニトロベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボラートがカーボンナノチューブ・ファイバーの電気的特性に及ぼす影響

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • 炭化水素ガス流量によるカーボンナノチューブの層数変化

    2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2016年 

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  • 2層カーボンナノチューブからなる紡績糸の機械強度特性評価

    2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年 

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  • 微小空間に閉じ込め加熱された金属の挙動解析

    2015年第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年 

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  • 電子線照射により拡大した積層欠陥の縮小に伴う4H-SiCエピ膜中部分転位の運動

    日本物理学会第70回年次大会  2015年 

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  • 金属ナノインクによるカーボンナノチューブ紡績糸の高導電率化

    2015年第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年 

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  • 積層欠陥の拡大収縮にともなう4H-SiC中部分転位の運動

    2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年 

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  • 電子線照射下および暗黒下における4H-SiC中部分転位の運動

    日本物理学会第69回年次大会  2014年 

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  • Ge濃度の異なるSbドープSiGe薄膜中の貫通転位運動

    日本物理学会2014年秋季大会  2014年 

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  • 種々のSbドープSiGeエピタキシャル膜中の転位運動

    2014年第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年 

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  • ソーラーセル用mc-Si中の不純物準位の安定性に対する逆バイアス電圧の効果

    2014年第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年 

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  • Sb-doping effect on the dislocation motion in various Si1-xGex films

    The Forum on the Sicience and Technology of Si Materials 2014  2014年 

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  • Effects of electric field on the stability of impurity levels on a grain boundary in mc-Si for solar cells

    The Forum on the Sicience and Technology of Si Materials 2014  2014年 

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  • 4H-SiC中の積層欠陥拡大縮小に伴う部分転位の運動速度

    2013年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2013年 

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  • ソーラーセル用mc-Si中の不純物準位に対する逆バイアスアニール効果

    2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2013年 

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  • ソーラーセル用mc-Si中粒界-不純物準位の逆バイアス印加下での安定性

    2013年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2013年 

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  • SbドープによるSiGe膜中の貫通転位運動促進効果

    2013年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2013年 

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  • Symmetry of Pd-H3 Complex Studied by DLTS under Uniaxial Stress

    2013 The Janan Society of Applied Physics and Materials Research Society Joint Symposia  2013年 

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  • SbドープによるSi基板上SiGeエピ膜の歪み緩和速度増大効果

    2013年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2013年 

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  • Si基板上SiGe膜の歪み緩和に対するSbドープの影響

    2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2013年 

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  • Effects of Sb-doping on Strain Relaxation of SiGe Film on Si Substrate

    27th Int. Conf. on Defects in Semicodoctors (ICDS27)  2013年 

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  • 4H-SiC中の部分転位の運動に関する研究

    2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会  2013年 

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  • Si基板上SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの効果

    日本物理学会第68回年次大会  2013年 

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  • SbドープによるSi基板上SiGeエピタキシャル膜中の貫通転位速度増大効果

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年 

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  • Si基板上SiGeエピ膜への不純物ドーピング

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • DLTS法によるソーラーセル用多結晶Si中の欠陥評価

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • 応力印加DLTS法によるSi中Pd-H複合欠陥の対称性の研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • 4H-SiCに対するNプラズマ処理効果のDLTS法による評価

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • Si中Pd-H複合欠陥の電子状態とアニール挙動

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • MBE法によるSi基板上SbドープSiGeエピ膜の作製と評価

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • 4H-SiC中の欠陥準位に対するNプラズマ処理の影響

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • Si基板上SiGe膜の抵抗率深さ分布に対する水素処理の影響

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • 電子スピン共鳴法を用いたSi酸化膜中欠陥のアニール挙動評価

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • DLTS法によるPd-H複合欠陥のアニール挙動の研究

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • ソーラーセル用多結晶Si中の欠陥準位

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • 〈110〉応力印加によるDLTSスペクトルの分裂-Si中Pd‐H3複合欠陥の対称性-

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • SbドープSiGe膜中の貫通転位運動

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • Si基板上SiGe薄膜へのSbドーピングと転位運動制御

    第17回岡山リサーチパーク研究・展示発表会  2012年 

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  • 電子スピン共鳴によるSi酸化膜中のアニール挙動の研究

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • 転位運動制御による一方向緩和SiGe膜の作製

    2012年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2012年 

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  • SiGe薄膜中の貫通転位運動に対するSbドープの影響

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年 

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  • Si基板上SbドープSiGe薄膜中の転位運動

    日本物理学会第67回年次大会  2012年 

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  • レーザー励起THz顕微鏡によるSiGeウェハの非破壊検査

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年 

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  • 一軸性応力印加によるSi中Pd-H3欠陥の対称性の研究

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年 

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  • SiGe膜中の貫通転位運動に対するSbドープの影響

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2012年度支部学術講演会  2012年 

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  • Dislocation motion in impurity doped SiGe on Si substrate

    European Materials Research Society (E-MRS) 2012 Spring Meeting, Symposium A  2012年 

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  • Si基板上の不純物ドープSiGe膜中の貫通転位速度

    2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会  2011年 

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  • DLTS法によるSI中Pd-H欠陥のアニール挙動評価

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 4H-SiC単結晶中の転位運動の研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 4H-SiC中のZ1/2欠陥密度に対する種々のプラズマ処理効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 酸化亜鉛の発光に対する水蒸気プラズマ効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 薄膜X線回折装置を用いたSiGe膜の歪緩和制御に関する研究

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 水素および水蒸気プラズマ処理によるInGaNの発光増大

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 応力印加赤外吸収法によるSi 中白金-重水素複合欠陥の局在振動評価

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 種々のプラズマ処理による4H-SiC中の欠陥密度変化

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 電子スピン共鳴法によるSi酸化膜中欠陥の同定

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 応力印加DLTS法によるSi中のPd-H複合欠陥の研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • In0.1Ga0.9Nの発光に対するプラズマ処理とアニールの効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 発光性Er-Si-O化合物中欠陥のESRによる研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • SbドープによるSiGe膜中の貫通転位運動促進効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 応力印加赤外吸収法によるSi中白金-重水素複合欠陥の研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • X線回折法を用いたSiGe膜の歪緩和の評価

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 発光性Er-Si-O化合物欠陥のESRによる研究

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • SbドープSiGe膜中の貫通転位運動

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • Si中Pd-H欠陥のアニール挙動

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 抵抗率分布測定による歪SiGe膜の水素透過特性評価

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 焼結体ZnOの発光に対する水蒸気プラズマ処理効果

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 応力印加DLTS法によるSi中Pd-H欠陥の研究

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • エッチピット法を用いた4H-SiC単結晶中の転位運動の研究

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 薄膜用X線回折装置を用いたSiGe膜緩和状態の評価

    第16回岡山リサーチパーク研究・展示発表会  2011年 

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  • SiGe膜中の水素特性と転位運動に関する不純物効果

    第21回格子欠陥フォーラム「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に 関する挑戦課題」  2011年 

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  • 電子スピン共鳴法によるSi酸化膜中欠陥のアニール挙動

    2011年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2011年 

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  • 不純物をドープしたSiGe膜中の貫通転位運動

    第72回応用物理学会学術講演会  2011年 

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  • DLTS Study of Pd-H Complexes in Si

    14th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  2011年 

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  • 貫通転位運動制御による高速デバイス用歪SiGe膜作製法の開発

    知恵の見本市2011  2011年 

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  • Si基板上SiGe薄膜中の転位運動に対する不純物ドープの影響

    日本物理学会2011年秋季大会  2011年 

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  • SiGe膜中の貫通転位運動に対する不純物ドープの効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2011年度支部学術講演会  2011年 

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  • 水蒸気プラズマ処理を用いたInGaN発光の増大

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • Si中Pt-H欠陥の局在振動に対する一軸性応力効果II

    日本物理学会2010年年次大会  2010年 

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  • Effects of uniaxial stress on local vibration of a platinum-hydrogen complex in silicon

    Europian MRS2010 Spring Meeting Symoposium: I  2010年 

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  • 水素・水蒸気混合プラズマを用いたInGaN発光の増大

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • AlGaN発光に対する水蒸気プラズマ処理効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • 145委員会タスクフォースの研究活動について-シリコンリング共振器の発光と水素処理

    日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第123回研究会  2010年 

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  • Dislocation motion in B-doped SiGe epifilm on Si substrate

    The Forum on the Sicience and Technology of Si Materials 2010  2010年 

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  • BドープSiGe膜中の転位運動-歪みSi用SiGe仮想基板緩和制御の基礎研究

    第15回岡山リサーチパーク研究・展示発表会  2010年 

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  • Si基板上に形成したEr-Si-O化合物の発光評価

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • Si中の白金-水素複合欠陥の消滅過程

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • Si中のPd関連複合欠陥のESRによる研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • Si中のPt-Cr複合欠陥のESRによる研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • エッチピット法を用いた6H-SiC中の転位運動の研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • SiGeエピ膜中の転位運動に対するBドープの効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • 赤外吸収法を用いたSi中白金-重水素複合欠陥の研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • 水蒸気プラズマ処理した4H-SiC中欠陥準位に対する応力効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • ZnO焼結体の発光に対するプラズマ処理効果

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • 応力印加DLTS法によるSi中のPd-H複合欠陥の研究

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • 電子スピン共鳴によるSi酸化膜の欠陥評価

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • 水素・水蒸気混合プラズマを用いたInGaN発光の増大

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • Si中のPt-Cr複合欠陥のESRによる研究

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • 応力印加DLTS法によるSi中のPd-H複合欠陥の研究

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • 水蒸気プラズマ処理によるInGaN発光の増大

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • ZnO焼結体の発光に対するプラズマ処理効果

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • BドープしたSiGeエピ膜中の転位運動

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • Si基板上に形成したEr-Si-O化合物の発光評価

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • 電子スピン共鳴によるSi酸化膜の欠陥評価

    応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部2010年度支部学術講演会  2010年 

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  • 赤外吸収法によるSi中白金-重水素複合欠陥の研究

    2010年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2010年 

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  • Photoluminescence Study of Er-Si-O Compounds

    2nd International Conference on Silicon Photonics  2010年 

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  • Enhancing effects of H2O plasma treatment on photoluminescence in GaN-based semiconductors

    3rd International Conference on Silicon Photonics  2010年 

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  • Si基板上に形成したEr-Si-O化合物の発光評価

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • Effects of Hydrogen and Water-Vapor Plasma Treatments on Luminescence Properties of Polycrystalline ZnO Pellets

    4th International Conference on Silicon Photonics  2010年 

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  • 高速デバイス用歪みSiGe膜材料の欠陥制御と電気特性制御

    第14回岡山リサーチパーク研究・展示発表会  2010年 

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  • Si中Pd-H複合欠陥の電子スピン共鳴

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • 水素のSi基板上SiGeエピ膜透過に対する歪の効果

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • ZnO焼結体の発光に対する水素プラズマ処理効果

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • InGaN発光へのリモートプラズマ処理の影響

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • Si酸化膜中欠陥の電子スピン共鳴による研究

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • 4H-SiC中の欠陥準位に対する応力の影響

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • ZnOの発光に対する水蒸気プラズマ処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • 水素処理により生じるSiGe/Si中低抵抗部の特性評価

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • 水素プラズマ処理による4H-SiCエピ膜中の欠陥準位の密度変化

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • Si中Erの発光に対する酸素プラズマ処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • ErSiO結晶の赤外発光

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • ZnO焼結体の発光と欠陥評価

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • InGaNの発光に対するプラズマ処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • Si中Pt-H複合欠陥の局在振動に対する応力効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • Si中のPd-HのDLTSスペクトルに対する応力効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • 赤外吸収法によるSi中のPt-H複合欠陥の熱的挙動の研究

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • ZnOの発光に対する熱処理・水素プラズマ処理効果

    2009年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2009年 

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  • 薄膜Si中におけるErの発光

    2009年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2009年 

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  • Si中のPd-Cr複合欠陥のESRによる研究

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • プラズマ処理によるGaN系半導体の発光増大

    2009年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2009年 

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  • Si中Pd-Cr複合欠陥の構造

    2009年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2009年 

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  • ZnOの発光に対する水蒸気プラズマ処理効果

    応用物理学会2009年秋季第70回学術講演会  2009年 

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  • Si中Pt-H複合欠陥の局在振動の赤外吸収による研究

    2009年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2009年 

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  • Si中Pd-H複合欠陥のDLTS法による評価

    2009年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会  2009年 

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  • プラズマ処理によるInGaNの発光評価

    応用物理学会多元系機能材料研究会2009年年末講演会  2009年 

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  • Luminescence Enhancement in InGaN and ZnO by Water Vapor Remote Plasma Treatment

    13th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  2009年 

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  • 水蒸気プラズマ処理によるInGaNの発光増大

    日本物理学会2009年秋季大会  2009年 

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  • 水蒸気プラズマ処理によるInGaNの発光増大

    応用物理学会2009年秋季第70回学術講演会  2009年 

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  • Si中Pt-H欠陥の局在振動に対する一軸性応力効果

    日本物理学会2009年秋季大会  2009年 

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  • エッチピット法によるSiC(0001)ウエハ中の転位運動の観測

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学術講演会  2009年 

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  • Electron spin resonance of palladium-related defect in silicon

    25th International Conference on Defects in Semiconductors  2009年 

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  • Bistable character of a deep level in polycrystalline Si substrate for solar cell

    25th International Conference on Defects in Semiconductors  2009年 

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  • Enhancing effect of hydrogen remote plasma treatment on luminescence of ZnO

    25th International Conference on Defects in Semiconductors  2009年 

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  • 拡がり抵抗法で見たSiGe/Si中の水素の挙動

    応用物理学会中学四国支部主催研究会「シリコン結晶中の軽元素の挙動」  2008年 

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  • Si酸化膜中欠陥のESRによる研究

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • 水素処理で形成されるSiGe/Si中低抵抗部の起源

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • Electron spin resonance study of a platinum–manganese complex in silicon

    Europian Materials Research Society 2008 Spring Meeting  2008年 

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  • 4H-SiCエピ膜中の欠陥準位に対する水素プラズマ処理の影響

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • 歪SiGeエピ膜への水素侵入特性I:熱処理特性

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • Si中のPd-H関連欠陥のESRによる研究

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • 赤外吸収によるSi中Pt-H複合欠陥の局在振動の研究

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • InGaNに対する水蒸気プラズマ処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • 歪SiGeエピ膜への水素侵入特性II:歪緩和の影響

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • ZnOの発光に対する熱処理・水素プラズマ処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • 水素のSiGe膜透過特性に対するミスフィット歪の影響

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2008年 

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  • Photo- and electroluminescence of Er in Si and SiGe layers

    The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials  2008年 

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  • SiGe薄膜中におけるErのElectroluminescence

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • Si薄膜中におけるErの発光増大条件の探索

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2008年度支部学術講演会  2008年 

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  • Electron spin resonance study of platinum-manganese complexes in Si

    The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials  2008年 

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  • Hydrogen passivation of Si and Ge rings

    The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials  2008年 

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  • 応力印加DLTS・IRで観測したSi中水素-白金複合欠陥における水素運動

    応用物理学会中学四国支部主催研究会「シリコン結晶中の軽元素の挙動」  2008年 

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  • リモート水素プラズマ処理したSiGe/SiのSi基板中低抵抗部の位置と起源

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

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  • Si中の白金-水素複合欠陥(2):応力印加赤外線吸収法を用いた応力シフトと配向アニール

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • Si中のPd関連欠陥のESRによる研究

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • ZnO多結晶の発光に対する水素プラズマ処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • 水蒸気プラズマ処理によるpn接合型GaNの発光増大

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • 4H-SiCエピウエハ中の欠陥に対する水素処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • Si中水素-白金複合欠陥の電子準位の応力依存性

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • Formation of low-resistivity region in p-Si substrate of SiGe/Si episystem by remote-hydrogen plasma treatment

    24th International Conference on Defects in Semiconductors  2007年 

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  • Enhancement of blue emission from GaN films and diodes by water vapor remote plasma treatment

    24th International Conference on Defects in Semiconductors  2007年 

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  • Si中白金-水素欠陥による赤外吸収線の応力分裂と応力配向

    第54回応用物理学関係連合講演会  2007年 

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  • Observation of photo- and electro-luminescence at 1.54m of Er in strained Si and SiGe

    Europian Materials Research Society 2007 Spring Meeting  2007年 

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  • The electronic states of platinum-hydrogen defects and hydrogen motion in Si observed by DLTS and IR techniques under uniaxial stress

    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials  2007年 

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  • Si,SiGe薄膜中における希土類Erの発光特性

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • 水蒸気プラズマ処理による GaNの発光増大

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  2007年 

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  • 応力印加IRで観測したSi中白金-水素複合欠陥の応力効果

    第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

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  • Effects of hydrogen on resistivity depth profile of SiGe/p-Si detected by spreading resistance method

    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials  2007年 

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  • Er-doped SiGeの発光に対する圧縮歪の影響

    第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

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  • 水素処理によりSiGe/Si界面付近に形成される低抵抗部の熱的安定性

    第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

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  • 水蒸気プラズマによるGaNの発光増大

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • 水素のSi基板上歪緩和SiGeエピ膜透過特性

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年 

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  • Si中Pt-H2欠陥の配向回復過程における水素運動の活性化エネルギー

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • Si, SiGe薄膜中におけるErのElectroluminescence

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • GaN系半導体膜の発光に対する水蒸気プラズマ処理効果

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年 

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  • SiGe膜中への水素侵入に対する格子歪の影響

    日本物理学会第61回年次大会  2006年 

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  • Si中の白金-水素複合欠陥:応力印加赤外線吸収測定で観測した吸収線の分裂とシフト

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • 歪緩和SiGeエピ膜下Si基板中への水素侵入曲線

    第67回応用物理学会学術講演会  2006年 

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  • Si中の遷移金属複合欠陥の構造とアニール挙動

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • 4H-SiCエピウエハ中の欠陥に対する水素処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • SiおよびSiGeにドープしたErの発光に対する格子歪の影響

    第67回応用物理学会学術講演会  2006年 

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  • Si中の白金近傍における水素の運動:荷電効果と同位元素効果

    第67回応用物理学会学術講演会  2006年 

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  • 応力印加IRで観測したSi中白金-水素複合欠陥による吸収線の応力分裂と応力シフト

    第67回応用物理学会学術講演会  2006年 

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  • ZnOバルク多結晶の発光に対する熱処理効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • 半導体エピタキシャル薄膜中の転位運動に対する電子線照射の効果

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会  2006年 

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  • Ge基板上SiGeエピ膜の歪み緩和に対する水素プラズマ処理の影響

    第52回応用物理学関係連合講演会  2005年 

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  • Si中の白金近傍における水素の運動

    日本物理学会2005年秋季大会  2005年 

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  • 一軸性応力によるSi中Pt-H2欠陥のエネルギー変化

    日本物理学会2005年秋季大会  2005年 

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  • 水素によるGe基板上GeSi膜の歪み緩和促進効果

    日本物理学会2005年秋季大会  2005年 

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  • Si中Pt-Mn複合欠陥の電子スピン共鳴

    第66回応用物理学会学術講演会  2005年 

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  • 原子状水素を含むリモートプラズマ処理によるMgドープGaNの青色発光増大

    第66回応用物理学会学術講演会  2005年 

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  • Si中Pt-H2複合欠陥の配向整列の応力依存性

    第52回応用物理学関係連合講演会  2005年 

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  • Si中のPt-H2欠陥の応力配向緩和過程の荷電効果

    第52回応用物理学関係連合講演会  2005年 

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  • 応力によるSi中Erの発光の増大

    日本物理学会第60回年次大会  2005年 

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  • Si中の炭素及び白金不純物近傍における水素運動の比較研究

    日本物理学会2004年秋季大会  2004年 

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  • SiおよびSiGe中Erの発光に対する歪みの効果

    第65回応用物理学会学術講演会  2004年 

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  • Si中Pt-H2欠陥の応力配向緩和過程(I)

    日本物理学会2004年秋季大会  2004年 

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  • ひずみSi層にドープしたErの発光特性

    第51回応用物理学関係連合講演会  2004年 

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  • 斜め研磨後水素処理したSiGe/Siの基板中に形成される低抵抗部の深さ

    第65回応用物理学会学術講演会  2004年 

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  • Si中の白金近傍での水素運動ダイナミクス

    日本物理学会2003年秋季大会  2003年 

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  • 水素による半導体中の転位運動促進効果とその機構

    日本物理学会第58回年次大会  2003年 

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  • p型Si基板及びSiGeエピ膜中のBの挙動に対する水素の効果

    日本物理学会第58回年次大会  2003年 

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  • SiGe層上Si中Erの発光に対する格子歪みの効果

    第50回応用物理学関係連合講演会  2003年 

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  • Si中のサーマルドナーの形成・消滅とそれに及ぼす炭素の効果

    第50回応用物理学関係連合講演会  2003年 

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  • Si中Pt関連欠陥の電子スピン共鳴

    第64回応用物理学会学術講演会  2003年 

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  • p型Si基板上SiGe膜の電気的特性に対する水素処理の効果

    日本物理学会2003年秋季大会  2003年 

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  • Si中の水素に関連した欠陥準位の応力分裂II

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002年 

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  • MBE法により作製したSiGe層上Si中Erの発光特性

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002年 

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  • Si基板上SiGeエピ膜の電気的特性に及ぼす水素の効果

    第63回応用物理学会学術講演会  2002年 

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  • Si中のPt-H2複合欠陥の応力配向緩和

    第63回応用物理学会学術講演会  2002年 

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  • 光照射下におけるSi中のFeの電子スピン共鳴

    第63回応用物理学会学術講演会  2002年 

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  • Si中のPt-H2複合欠陥の対称性とPt近傍での水素の運動

    日本物理学会2002年秋季大会  2002年 

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  • シリコン中の白金-水素関連欠陥の構造と電子準位

    日本物理学会2001年秋の分科会  2001年 

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  • 水素によるGe中の転位運動促進効果

    日本物理学会第56回年次大会  2001年 

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  • 水素によるSi中Pイオン注入欠陥の回復促進効果

    日本物理学会第56回年次大会  2001年 

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  • 半導体中の転位運動に対する水素の効果

    文部科学省科学研究費特定領域「電子励起を用いた原子分子操作」第6回研究会  2001年 

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  • Si中の白金と水素に関連した欠陥準位の応力分裂

    第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集第1分冊,講演番号12a-R-5,336頁 2002.9.12  2001年 

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  • 高品質SiGeエピ膜作製法の探索

    第5回岡山リサーチパーク合同研究発表会 金属・メカトロ分科会  2001年 

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  • バルクGe・SiGe薄膜中の転位運動に対する水素の影響

    第61回応用物理学会学術講演会  2000年 

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  • Si中のH-C複合欠陥の電子準位に対する一軸性応力効果

    日本物理学会2000年春の分科会  2000年 

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  • Si中の水素-炭素複合欠陥準位の応力依存性

    第61回応用物理学会学術講演会  2000年 

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  • 注入イオン活性化及び注入損傷回復に及ぼす水素の効果

    第61回応用物理学会学術講演会  2000年 

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  • 電子励起によるSi中水素移動の制御

    応用物理学会中国四国支部研究会「電子励起を用いた結晶欠陥制御」  2000年 

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  • 多結晶Si薄膜中のErの発光

    第61回応用物理学会学術講演会  2000年 

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  • Enhancing Effects of Hydrogen on the Activation of Phosphorus Implanted into Si and on the Recovery of Implantation-Induced Defects

    The 3rd International Symposium on "Advanced Science and Technology of Silicon Materials"  2000年 

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  • シリコン中の水素のダイナミックス

    応用物理学会結晶工学分科会第110回研究会  1999年 

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  • Si中H-C複合欠陥における水素の内部運動(II)

    日本物理学会第54回年会  1999年 

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  • Si中の水素の運動に対する荷電効果と同位元素効果

    第60回応用物理学会学術講演会  1999年 

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  • Si中の炭素近傍における水素の局所運動

    第46回応用物理学関係連合講演会  1999年 

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  • Si薄膜中におけるErのElectroluminescence

    日本物理学会中国支部・四国支部,応用物理学会中国四国支部,日本物理教育学会中国四国支部2007年度支部学術講演会  0207年 

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受賞

  • 第4回応用物理学会講演奨励賞

    1998年  

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    受賞国:日本国

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担当授業科目

  • ナノデバイス・材料物性学演習 (2020年度) 通年  - その他

  • 材料物性学 (2020年度) 前期  - その他

  • 表現技法1 (2020年度) 前期  - その他

  • 表現技法2 (2020年度) 後期  - その他

  • 複素解析 (2020年度) 第1学期  - 月1,月2,木5,木6

  • 電子情報システム工学特別研究 (2020年度) 通年  - その他

  • 電子材料学特論 (2020年度) 前期  - 火7,火8

  • 電気通信系実験I (2020年度) 1・2学期  - 水2,水3,水4,水5,水6

  • 電気電子材料学 (2020年度) 第4学期  - 月1,月2,木3,木4

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