共同研究・競争的資金等の研究 - 村岡 祐治
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調節パルスレーザーアニール法による高導電性超硬質Qカーボンの創生
研究課題/領域番号：24K01161 2024年04月 - 2027年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
村岡 祐治
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1000テスラ超強磁場による二酸化バナジウムの磁場誘起絶縁体金属転移の解明
研究課題/領域番号：23K25814A6 2023年04月 - 2026年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
松田康弘、村岡祐治、池田暁彦
担当区分：研究分担者
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ホウ素ドープ Q カーボンを活用した導電性アモルファス炭素膜の開発
2023年04月 - 2024年03月
公益財団法人 村田学術振興財団 研究助成
村岡 祐治
担当区分：研究代表者
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結合状態操作とドーピングによる局在電子状態を制御した高活性炭素触媒の創製
研究課題/領域番号：22K047054A4 2022年04月 - 2025年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 科研費
岡崎宏之, 村岡祐治
担当区分：研究分担者
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調節パルスレーザーアニール法による高濃度不純物ドープQカーボン高温超伝導体の開発
研究課題/領域番号：21H01624 2021年04月 - 2024年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
村岡 祐治
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曲がる超硬炭素材料の開発
2020年04月 - 2021年03月
岡山工学振興会 一般研究助成
担当区分：研究代表者
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高出力太陽電池を指向した、スピノーダル分解による超多層ルチル型酸化物膜の開発
2017年04月 - 2020年03月
日本学術振興会 科研費 基盤研究(C)(一般）
村岡 祐治
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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強相関電子物性が制御可能な光キャリア注入法の確立
2014年04月 - 2017年03月
日本学術振興会 科研費 基盤研究(C)(一般）
村岡 祐治
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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正逆光電子分光による芳香族炭化水素超伝導体の電子構造研究
研究課題/領域番号：24340086 2012年04月 - 2015年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
横谷 尚睦, 脇田 高徳, 村岡 祐治
配分額：14950000円 （ 直接経費：11500000円 、 間接経費：3450000円 ）
ポタシウム（K）ドープピセンの電子状態を光電子分光により研究した。また、真空蒸着膜に対して電気抵抗測定およびすれすれ入射X線回折(GIXD)実験を行い、電気伝導性および結晶配向に対する知見を得た。HOPG上に作製したピセン真空蒸着膜の光電子分光実験から、Kドープ量に依存してフェルミ端の出現と消失を観測した。この結果は作製した真空蒸着膜の金属性を示唆する。電気抵抗測定からはKドープ量に依存した電気伝導率の特徴的な変化を見いだした。この結果はピセン真空蒸着膜へのKのドープを示す。また、GIXDからは基板によりピセン膜の配向が異なる可能性を示唆する結果を得た。
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光キャリア注入による金属酸化物の物性制御
2011年04月 - 2014年03月
日本学術振興会 科研費 基盤研究(C)(一般）
村岡 祐治
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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マルチフェロイック鉄酸化物電子強誘電体の応用へ向けた新規相探索
研究課題/領域番号：23350071 2011年04月 - 2014年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
吉井 賢資, 齋藤 寛之, 池田 直, 松村 大樹, 村岡 祐治, 森茂 生, 米田 安宏, 西畑 保雄
配分額：11180000円 （ 直接経費：8600000円 、 間接経費：2580000円 ）
代表者らが発見した電子強誘電体RFe2O4（R：希土類）につき、室温でのマルチフェロイック性の発現を目指して研究を行った。元素置換等では、本系の磁気転移温度は250Kから大きくは変動しなかった。しかし、関連物質R2Fe3O7を合成したところ、転移温度が20K高い270Kであることが判明し、更なる転移温度上昇へのヒントが得られた。また、磁化の安定化である交換バイアスや、電流印加による磁気異方性の増大など、応用可能性を示唆する結果も得られた。
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ダイヤモンド超伝導体とその関連物質の電子状態:バンド半導体-金属転移と超伝導
研究課題/領域番号：20340091 2008年 - 2010年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
横谷 尚睦, 村岡 祐治, 脇田 高徳
配分額：18460000円 （ 直接経費：14200000円 、 間接経費：4260000円 ）
ドープされたバンド半導体における半導体-金属転移に伴う電子状態変化を研究するために、ホウ素ドープダイヤモンドとその関連物質の光電子分光研究を行った。角度分解光電子分光により高濃度ホウ素ドープダイヤモンドにおける価電子帯電子状態を実験的に明らかにした。内殻光電子分光からは、高濃度ドープ試料ではドープ原子が複数の化学サイトに取り込まれる事がわかった。CaC_6およびポタシウムドープピセンにおいては、ドープによる電子状態変化を直接観測し、超伝導性との関連を議論した。
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パイロクロア酸化物における新規な物質及び物性開拓
研究課題/領域番号：16340101 2004年 - 2006年
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
廣井 善二, 山浦 淳一, 村岡 祐治
配分額：15500000円 （ 直接経費：15500000円 ）
βパイロクロア型オスミウム酸化物超伝導体AOs_2O_6について、試料合成、構造評価および物性測定を行った。A元素としては現在までに3つのアルカリ金属元素Cs、Rb、Kを含む酸化物が合成されており、それぞれ超伝導転移温度T_cが3.3K、6.3K、9.6Kである。以前に報告したαパイロクロア酸化物Cd_2Re_2O_7のT_c=1.0Kと比べると最大一桁T_cが上昇したことになり、何らかの新しい超伝導機構が働いていることを予感させる。また、電気伝導性を担う5d電子を供給するオスミウムイオンはいわゆるパイロクロア格子をなし、これが3次元フラストレート格子であることから、何らかの新しい物理の可能性を期待させる。
本年度の研究において、これまで純良な試料が得られていなかったCsOs_2O_6およびRbOs_2O_6について良質な単結晶の作製に成功した。これを用いて、電気抵抗、磁化、比熱等を測定した結果、CsではBCS的な弱結合超伝導であり、Rbでは若干、強結合となっていることが分かった。さらにKでは強結合性が強くなっていることから、πの上昇と共に超伝導性が弱結合から強結合へと劇的に変化することを突き止めた。この変化はあきらかにAのラットリングのエネルギー低下と関係しており、ラットリング振動が超伝導の機構に重要な役割を果たしていることが分かる。
さらにCs単結晶において大きな磁気抵抗効果を観測した。これは大きな異方性を有し、フェルミ面の特異な形状を反映していると考えられる。また、物材機構の寺嶋らによってドハースファンアルフェン効果の測定が行われ、播磨によるバンド計算の結果とよい一致をみた。得られたバンドマスの増強は3-4であり、比熱測定の結果とよく一致する。また、平均自由行程も500-1000nmと非常に大きいことが分かった。この物質は極めてクリーンな系であり、伝導電子とラットリングの相関を研究する上での重要な舞台を与える。 -
スピノーダル分解を用いた新規ルチル型機能性酸化物の作製
2002年04月 - 2005年03月
日本学術振興会 科研費 若手研究(B)
村岡祐治
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金