共同研究・競争的資金等の研究 - 鈴木 弘朗
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閉じ込め空間における二次元半導体の気相-液相-固相成長のその場観測による成長制御法の開発
2025年03月 - 2026年03月
公益財団法人 松籟科学技術振興財団 2024年度 研究助成
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室温原子層置換法を用いたヤーヌス二次元半導体の精密電気特性制御
2024年12月 - 2026年11月
公益財団法人ヒロセ財団 2024年度 研究助成
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二次元半導体単結晶の産業応用に向けた超大面積合成手法とデバイス化技術の開発
2024年06月 - 2025年02月
岡山県 令和５年度特別電源所在県科学技術振興事業
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ナノ構造を精密制御した超高効率カーボンナノチューブ紡績糸・熱電発電素子の開発
研究課題/領域番号：24K00928 2024年04月 - 2027年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
林 靖彦, 鈴木 弘朗, 李 秦宜
配分額：18460000円 （ 直接経費：14200000円 、 間接経費：4260000円 ）
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二次元材料系における革新的なフォノンエンジニアリングの探究と手法確立
研究課題/領域番号：24K00817 2024年04月 - 2027年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
許 斌, 鈴木 弘朗
配分額：18590000円 （ 直接経費：14300000円 、 間接経費：4290000円 ）
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低温プラズマ処理を用いた原子層半導体の欠陥修復とデバイス性能向上
2024年04月 - 2027年03月
東京エレクトロン株式会社 2024年度 共同研究公募
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2次元物質とペロブスカイトナノ構造から成る2.5次元物質の構造制御と光電子機能開拓
研究課題/領域番号：24H01197 2024年04月 - 2026年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 学術変革領域研究(A)
鈴木 弘朗
配分額：7020000円 （ 直接経費：5400000円 、 間接経費：1620000円 ）
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原子層半導体ナノリボンの配列成長に向けた要素技術の研究
研究課題/領域番号：JPMJPR23HB 2023年10月 - 2024年03月
国立研究開発法人 科学技術振興機構 さきがけ（特定課題調査）
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二次元半導体単結晶の産業応用に向けた超大面積合成手法の 開発
2023年06月 - 2024年02月
岡山県 令和４年度特別電源所在県科学技術振興事業
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閉じ込め空間による超大面積二次元半導体の合成
研究課題/領域番号：23K13633 2023年04月 - 2025年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究
鈴木 弘朗
配分額：4680000円 （ 直接経費：3600000円 、 間接経費：1080000円 ）
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一次元ヘテロ物質構造体の内部構造解析とメモリスティブな電気特性の解明
2022年04月 - 2023年03月
公益財団法人 池谷科学技術振興財団 2022年度 研究助成
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一次元ヘテロ物質バルク構造体のメモリスティブな電気伝導特性の解明
2022年03月 - 2023年04月
公益信託 小澤・吉川記念エレクトロニクス研究助成金
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高効率熱電発電を実現するカーボンナノチューブ糸の材料設計・制御技術の開拓
研究課題/領域番号：21H01371 2021年04月 - 2024年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
林 靖彦, 鈴木 弘朗
配分額：17810000円 （ 直接経費：13700000円 、 間接経費：4110000円 ）
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一次元構造をもつ原子層半導体の合成と光電子物性解明
研究課題/領域番号：21K14497 2021年04月 - 2023年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究 若手研究
鈴木 弘朗
配分額：4680000円 （ 直接経費：3600000円 、 間接経費：1080000円 ）
本年度は，一次元構造をもつ遷移金属ダイカルコゲナイドのWS2の結晶構造解析，成長機構，光電子物性について調査を行った．以下の研究から，WS2ナノリボン構造を
(1) 一次元WS2の結晶構造解析：研究開始当初，単層WS2に由来する光学特性をもつ一次元構造の物質が得られていたが，その結晶構造は不明であった．そこで透過型電子顕微鏡（TEM）を用いて構造解析を行った．サンプル直上からの走査型TEM（STEM）観察と元素分析を行った結果，酸化タングステン（WxOy）ナノワイヤの存在が明らかになった．また，サンプル断面のSTEM像からWxOyナノワイヤ上に単層のWS2ナノリボンが成長していることを明らかにした．
(2)WS2ナノリボンの成長機構：WS2ナノリボンの大面積ラマン，フォトルミネッセンス（PL）スペクトルマッピングを行った結果，非常に高い歩留まり単層が成長していることが明らかになった．また，合成温度に対して，非常に広い範囲で単層が得られることが分かった．この単層が選択的に得られる現象を，WS2のWxOy上における自己制限成長（Self-limitning growth）によるものとしてモデル化した．
(3) WS2ナノリボンの光電子物性：WxOyナノワイヤ上のWS2ナノリボンの光電子物性を，光学特性と電気伝導特性から調査した．偏光レーザ光を用いたラマン，PL測定から，WS2ナノリボンの一次元構造に由来する偏光特性を観測した．また，高空間分解のPL測定から，ナノリボンエッジと内部のPL特性の違いを発見した．またWxOyナノワイヤからのドーピングが示唆された．さらに，電気伝導の温度依存から導出した活性化エネルギーからも，WS2ナノリボンがナノワイヤ上でドーピングの効果を受けていることが推測され，PLの結果と一致した． -
リモートコミュニケーションデバイス筐体のための高い耐環境性をもつ超強度カーボンナノチューブ紡績糸の開発
2021年04月 - 2022年03月
科学技術振興機構(JST) 研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）
鈴木 弘朗
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半導体原子層物質のプラズマを用いた低温・高速合成
2021年04月 - 2022年03月
矢崎科学技術振興財団 2021年度 矢崎科学技術振興財団 研究助成
鈴木 弘朗
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プラズマ有機金属化学気相成長の3ゾーン化による二次元半導体の低温・高速成長
2021年04月 - 2022年02月
公益財団法人日本科学協会 2021年度 笹川科学研究助成
鈴木 弘朗
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二次元半導体のプラズマを用いた成長促進効果の開拓と低温・高速合成
2020年11月 - 2021年11月
住友財団 2020年度住友財団基礎科学研究助成
鈴木 弘朗
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精密パラメータ制御プラズマ活用グラフェンナノリボン集積デバイスの創成
研究課題/領域番号：16J02495 2016年04月 - 2018年03月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費
鈴木 弘朗
配分額：1900000円 （ 直接経費：1900000円 ）
二年計画の最終年度にあたる今年度は，初年度においてプラズマCVDによる架橋グラフェンナノリボンの合成機構解明及び、合成条件最適化によって実現した高集積化グラフェンナノリボンデバイスを用いて，高性能光電子デバイスの作製とその動作実証を試みた．まず初めに，作製した高集積グラフェンナノリボン電界効果トランジスタ（FET）に対して光照射を行い、ソース・ドレイン電流の変化を観測した．その結果，光照射後においても光電流が長時間にわたって持続する特異な光応答（Persistent photo conductivity: PPC）を観測した．またPPCのメカニズムを、ゲートバイアス依存，入射光波長依存，X線光電子分光法（XPS），分子間力顕微鏡（AFM）による系統的な実験から調べた．その結果，大気中でニッケル電極表面に生成された水酸化ニッケルがUV光を吸収し，グラフェンナノリボンとニッケル電極の接合界面においてホールがトラップされることによって，グラフェンナノリボンが電子ドーピングを受け，PPCが現れることが明らかになった．またPPCを動作原理とした光照射の情報を記憶する光メモリの動作実証を行った．その結果，光照射によるメモリ書き込みと，パルスゲートバイアス印可によるメモリ消去を組み合わせることによって，光メモリの繰り返し動作の実証に成功した．またこのグラフェンナノリボンを用いた光メモリデバイスが大気中や純水中にいても正常に動作することを確認し，高い対環境性を実証した．