研究者詳細 - 林　靖彦

MISC - 林　靖彦

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ポリオレフィン系エラストマー/カーボンナノチューブ(CNT)ウェブ複合型ソフトアクチュエータの開発

千葉悠祐, 井上寛隆, 羽田真毅, 宝田亘, 松本英俊, 林靖彦

日本繊維機械学会年次大会研究発表論文集・講演要旨集 72nd 2019年

ポリジアセチレンの熱・光誘起による相転移とそれに伴う構造変化

森光生, 羽田真毅, 林靖彦, 山下善文, 西川亘, 井上寛隆, 伊東千尋, 腰原伸也

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集 2018 2018年

エネルギー輸送の違いから見たカーボンナノチューブの通電加熱の効果

中條大樹, 井上寛隆, 黒田泰平, 森本大我, 林拓磨, 徳永知春, 池田直, 横谷尚睦, 藤森和博, 羽田真毅, 西川亘, 山下善文, 紀和利彦, 林靖彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年

高分子線材/CNT紡績糸マルチフィラメント・ソフトアクチュエータの開発

井上寛隆, 吉山貴之, 中條大樹, 齋藤慶考, 羽田真毅, 西川亘, 山下善文, 宝田亘, 松本英俊, 林靖彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年

垂直配向カーボンナノチューブアレイ/高分子コンポジット膜における透水挙動

松本英俊, 白濱志帆, ZHANG Shaoling, 相羽誉礼, 相羽誉礼, 井上寛隆, 林靖彦, 林靖彦, 鶴岡秀志

高分子学会予稿集(CD-ROM) 67 ( 1 ) 2018年

カーボンナノチューブ(CNT)紡績糸とポリエチレンテレフタレート(PET)糸からなる複合撚線型ソフトアクチュエータの開発

吉山貴之, 井上寛隆, 齋藤慶考, 羽田真毅, 宝田亘, 松本英俊, 林靖彦

日本繊維機械学会年次大会研究発表論文集・講演要旨集 71st 2018年

研究最前線高速成長した長尺・高密度2層カーボンナノチューブから乾式紡績による線材の開発

林靖彦, 井上寛隆, 林拓磨, 徳永知春, 羽田真毅, 西川亘

Nanofiber : ナノファイバー学会誌 8 ( 1 ) 29 - 33 2017年7月

時間分解電子線回折法を用いたEuBaCo₂O_5.38の構造ダイナミクス計測

羽田真毅, 鈴木達也, 阿部伸行, 有馬孝尚, 沖本洋一, 腰原伸也, 慶尾直哉, 村上寛虎, 西川亘, 山下善文, 林靖彦, 横谷尚睦, 松尾二郎, 浅香透

日本物理学会講演概要集 72 1128 - 1128 2017年1月

酸化グラフェンの光還元によるsp3からsp2への構造ダイナミクス

羽田真毅, 鈴木貴之, 南康夫, 武田淳, 仁科勇太, 林靖彦, 徳永智春, 腰原伸也, 一柳光平, 野澤俊介, 足立伸一, 片山郁文

日本物理学会講演概要集 71 ( 0 ) 1279 - 1279 2016年

記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

<p>酸化グラフェンはグラフェンの化学誘導体であり、光照射や加熱、還元剤の添加によりグラフェンに近い特性を持つ物質に変化することが知られている。この酸化グラフェンは、液中における化学操作が可能となるため、グラフェン誘導体に関する幅広い応用へと期待されている。本講演では、フェムト秒時間分解電子線回折法及びシングルショット過渡透過率測定によって解明した酸化グラフェンの光還元反応のダイナミクスを議論する。</p>

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1279

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フェナセン系薄膜電界効果トランジスタの論理回路応用

三上隆弘, 江口律子, 下侑馬, 浜尾志乃, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 林靖彦, 久保園芳博

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年

高性能フェナセン薄膜FETの開発と論理回路応用

三上隆弘, 下侑馬, 浜尾志乃, 岡本秀毅, 郷田慎, 江口律子, 後藤秀徳, 林靖彦, 久保園芳博

日本化学会中国四国支部大会講演要旨集 2015 2015年

フェナセン単結晶FETの特性と論理回路応用

下侑馬, 三上隆弘, 浜尾志乃, 岡本秀毅, 郷田慎, 江口律子, 後藤秀徳, 林靖彦, 久保園芳博

日本化学会中国四国支部大会講演要旨集 2015 2015年

多環フェナセン単結晶電界効果トランジスタの伝導特性と論理回路応用

下侑馬, 三上隆弘, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 郷田慎, 佐藤かおり, 久保園芳博, 林靖彦

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集 2015 2015年

フェナセン系薄膜電界効果トランジスタのデバイス構造の改変による伝導特性制御と論理回路応用

三上隆弘, 下侑馬, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 久保園芳博, 林靖彦

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集 2015 2015年

フェナセン単結晶を用いた高性能電界効果トランジスタの作製及びその伝導特性

下侑馬, 三上隆弘, 村上寛虎, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 郷田慎, 佐藤かおり, 林靖彦, 久保園芳博

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年

フェナセン系薄膜電界効果トランジスタの伝導特性評価と論理回路応用

三上隆弘, 下侑馬, 浜尾志乃, 江口律子, 後藤秀徳, 岡本秀毅, 林靖彦, 久保園芳博

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年

10aAE-4 Ge濃度の異なるSbドープSiGe薄膜中の貫通転位運動(10aAE 格子欠陥(半導体・金属・転位),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))

山下善文, 牧慎也, 伏見竜也, 大野裕, 米永一郎, 西川亘, 林靖彦

日本物理学会講演概要集 69 ( 2 ) 706 - 706 2014年8月

[6]フェナセンによる有機トランジスタの作製と評価 (電子デバイス)

三上隆弘, 後藤秀徳, 久保園芳博, 林靖彦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 ( 12 ) 35 - 39 2014年4月

記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

[6]フェナセンは,6個のベンゼン環がジグザグに結合した分子である.この薄膜を活性層とする有機薄膜電界効果トランジスタ(FET)は,非常に良好なpチャネル型のFET特性を示す.しかし,一般に有機薄膜FETには「しきい値電圧」の絶対値(|V_<th>|)が大きいという問題がある.[6]フェナセンFETにおいても,この特徴が存在するので,これを解決し[6]フェナセンFETを実用デバイスに向けて発展させることが重要である.本研究は,これまであまり注目されなかった有機分子薄膜(活性層)とSiO_2ゲート誘電絶縁膜の界面制御によって,V_<th>を変化させる可能性を探る.このため,系統的に電子受容体もしくは供与体分子を界面に挿入することでV_<th>の変化を観測した.また,絶縁膜表面をパリレンからヘキサメチルジシラザン(HMDS)に変えることで,移動度を5.0cm^2V^<-1>s^<-1>まで向上させることに成功した.

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イオン液体による有機トランジスタの作製と評価 (電子デバイス)

下侑馬, 後藤秀徳, 久保園芳博, 林靖彦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 ( 12 ) 31 - 34 2014年4月

記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

有機薄膜電界効果トランジスタ(FET)の駆動に要する電圧である「しきい値電圧」(V_<th>)が非常に高いため,実用化に向けて大きな問題となっている.本研究は,イオン液体を用いたFETである電気二重層トランジスタ(Electric Double-Layer Transistor:EDLT)を使って,この問題を解決することを目指している.活性層としてピセン薄膜を用いてEDLTを作製し,その特性を詳細に評価した.固体酸化物である400nm厚みのSiO_2をゲート絶縁膜として用いたピセン薄膜FETでは,V_<th>の絶対値(|V_<th>|)が70V程度であるのに対し,ゲル状のイオン液体を用いたEDLTでは,1.7Vで駆動させることができた.また,イオン液体をシート状にしたものを用いたEDLTでは,0.87Vで駆動させることに成功した.これらピセンEDLTの|V_<th>|は,実用化を視野に入れた研究開発を行うため,集積化などへの取り組みを開始できるものと期待される.

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28pAM-12 電子線照射下および暗黒下における4H-SiC中部分転位の運動(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

山下善文, 下村拓也, 藤井悠司, 西川亘, 林靖彦

日本物理学会講演概要集 69 ( 1 ) 933 - 933 2014年3月

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