所属学科・講座など 【 表示 / 非表示

理学部・化学科・界面化学研究室

職名 【 表示 / 非表示

准教授

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

物性II

研究分野・キーワード 【 表示 / 非表示

物性物理学

研究課題 【 表示 / 非表示

  • 研究課題名:イオン液体ゲートを用いたグラフェンの電子状態の解明

    研究課題概要:イオン液体がつくる電気二重層キャパシタを用いてグラフェンにキャリアドープすることにより、端の形状や層数に依存するグラフェンの電子状態の相違を明らかにした。

主要業績 【 表示 / 非表示

  • 論文題目名:Parity Effects in Few-Layer Graphene

    掲載誌名:Nano Lett.13巻 (頁 5153 ~ )

    発行年月:2013年10月

    著者氏名(共著者含):Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, and Yoshihiro Kubozono

  • 論文題目名:Edge-Dependent Transport Properties in Graphene

    掲載誌名:Nano Lett.13巻 (頁 1126 ~ )

    発行年月:2013年02月

    著者氏名(共著者含):Hidenori Goto, Eri Uesugi, Ritsuko Eguchi, Akihiko Fujiwara, and Yoshihiro Kubozono

  • 論文題目名:Electric double-layer capacitance between an ionic liquid and few-layer graphene

    掲載誌名:Sci. Rep.3巻 (頁 1595 ~ )

    発行年月:2013年04月

    著者氏名(共著者含):Eri Uesugi, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Akihiko Fujiwara, and Yoshihiro Kubozono

 

写真

氏名

後藤 秀徳 (ゴトウ ヒデノリ)

GOTO Hidenori

所属専攻講座

異分野基礎科学研究所

職名

准教授

性別

男性

研究分野・キーワード

(日)物性物理学

(英)condensed-matter physics

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:博士(理学)

    学位の分野名:物性II (Physical properties II)

    学位授与機関名:東京大学 (The University of Tokyo)

    取得方法:課程

    取得年月:2002年09月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 職務遂行組織:異分野基礎科学研究所

    経歴名:准教授 (Associate Professor)

    職務期間:2017年10月 ~ 継続中

  • 職務遂行組織:自然科学研究科

    経歴名:助教 (Assistant Professor)

    職務期間:2013年08月 ~ 2017年09月

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 所属(勤務)先:筑波大学

    経歴名:研究員

    経歴期間:2007年04月 ~ 2011年03月

  • 所属(勤務)先:理化学研究所

    経歴名:協力研究員

    経歴期間:2002年10月 ~ 2007年03月

  • 所属(勤務)先:理化学研究所

    経歴名:基礎科学特別研究員

    経歴期間:1999年10月 ~ 2002年09月

  • 所属(勤務)先:理化学研究所

    経歴名:協力研究員

    経歴期間:1999年05月 ~ 1999年09月

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 物性II (Physical properties II)

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 研究課題名:イオン液体ゲートを用いたグラフェンの電子状態の解明 (Electronic property of ionic-liquid gated graphene)

    キーワード:グラフェン, 電気二重層 (graphene, electric double layer)

    研究態様:機関内共同研究

    研究制度:(選択しない)

    研究期間:2011年04月 ~ 継続中

    専門分野(科研費分類):物性II

    専門分野(researchmap分類):電子物性一般

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 年度:2019年度

    授業科目:界面物性化学

    担当期間:2019年10月 ~ 2020年03月

    授業形式:

  • 年度:2019年度

    授業科目:固体化学3

    担当期間:2019年10月 ~ 2019年12月

    授業形式:

  • 年度:2019年度

    授業科目:無機化学IV

    担当期間:2019年10月 ~ 2019年12月

    授業形式:

  • 年度:2019年度

    授業科目:自然科学入門2(化学)

    担当期間:2019年06月 ~ 2019年08月

    授業形式:

  • 年度:2019年度

    授業科目:教養現代化学A2

    担当期間:2019年06月 ~ 2019年08月

    授業形式:

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論文(総説以外) 【 表示 / 非表示

  • 論文題目名:Difference in gating and doping effects on the band gap in bilayer graphene

    記述言語:英語

    掲載種別:学術雑誌

    掲載誌名:Scientific Reports7巻 1号 (頁 149 ~ 179)

    発行年月:2017年09月

    著者氏名(共著者含):Takaki Uchiyama,Hidenori Goto*,Hidehiko Akiyoshi,Ritsuko Eguchi*,Takao Nishikawa,Hiroshi Osada,Yoshihiro Kubozono*

    共著区分:共著

    DOI:10.1038/s41598-017-11822-9

  • 論文題目名:Chemical analysis of superconducting phase in K-doped picene(共著)

    記述言語:英語

    掲載種別:学術雑誌

    掲載誌名:Journal of Physics Condensed Matter, Journal of Physics C: Solid State Physics28巻 44号 (頁 444001 ~ )

    発行年月:2016年09月

    著者氏名(共著者含):Takashi Kambe, Saki Nishiyama, Huyen L T Nguyen, Takahiro Terao, Masanari Izumi, Yusuke Sakai, Lu Zheng, Hidenori Goto, Yugo Itoh, Taiki Onji, Tatsuo C. Kobayashi, Hisako Sugino, Shin Gohda, Hideki Okamoto, Yoshihiro Kubozono

    共著区分:共著

    DOI:10.1088/0953-8984/28/44/444001

  • 論文題目名:1D and 2D Bi Compounds in Field-Effect Transistors

    記述言語:英語

    掲載種別:学術雑誌

    掲載誌名:Advanced Electronic Materials1巻 (頁 1500085 ~ )

    発行年月:2015年07月

    著者氏名(共著者含):Eri Uesugi, Saki Nishiyama, Hidehiko Akiyoshi, Hidenori Goto, Yoji Koike, Kazuyoshi Yamada, and Yoshihiro Kubozono

    共著区分:共著

    DOI:10.1002/aelm.201500085

  • 論文題目名:Transistors fabricated using the single crystals of [8]phenacene

    記述言語:英語

    掲載種別:学術雑誌

    掲載誌名:J. Mater. Chem. C3巻 (頁 7370 ~ 7378)

    発行年月:2015年06月

    著者氏名(共著者含):Yuma Shimo, Takahiro Mikami, Hiroto T. Murakami, Shino Hamao, Hidenori Goto, Hideki Okamoto, Shin Gohda, Kaori Sato, Antonio Cassinese, Yasuhiko Hayashi, and Yoshihiro Kubozono

    共著区分:共著

  • 論文題目名:Carrier Accumulation in Graphene with Electron Donor/Acceptor Molecules

    記述言語:英語

    掲載種別:学術雑誌

    掲載誌名:Advanced Electronic Materials1巻 (頁 1500073 ~ )

    発行年月:2015年05月

    著者氏名(共著者含):H. Akiyoshi, H. Goto, E. Uesugi, R. Eguchi, Y. Yoshida, G. Saito, Y. Kubozono,

    共著区分:共著

    DOI:10.1002/aelm.201500073

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