所属学科・講座など 【 表示 / 非表示

産業創成工学専攻 電気電子機能開発学講座

職名 【 表示 / 非表示

准教授

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

物性I

研究分野・キーワード 【 表示 / 非表示

応用物性・結晶工学,格子欠陥

研究課題 【 表示 / 非表示

  • 研究課題名:半導体中の拡張欠陥に関する研究

    研究課題概要:シリコン,シリコンゲルマニウム,シリコンカーバイドなどの半導体中の転位を中心とした拡張欠陥のダイナミクス,電子状態,不純物との相互作用などを実験的に研究している。

  • 研究課題名:多結晶シリコン中の結晶欠陥制御による高効率化

  • 研究課題名:半導体中の点欠陥に関する研究

主要業績 【 表示 / 非表示

  • 論文題目名:Dislocation motion in Sb-doped SiGe on Si substrate (共著)

    掲載誌名:Physica Status Solidi A209巻 10号 (頁 1921 ~ 1925)

    発行年月:2012年10月

    著者氏名(共著者含):Yoshifumi Yamashita, Takuya Matsunaga, Toru Funaki, Tatsuya Fushimi, Yoichi Kamiura

  • 論文題目名:Bistable character of a deep level in polycrystalline Si substrate for solar cell

    掲載誌名:Physica B404巻 23-24号 (頁 5071 ~ 5074)

    発行年月:2009年12月

    著者氏名(共著者含):Y. Yamashita, M. Ochi, H. Yoshinaga, Y. Kamiura, T. Ishiyama

  • 論文題目名:Characteristic of Strained SiGe Film Preventing Hydrogen from Penetrating into Si Substrate Detected by Spreading Resistance Method

    掲載誌名:Jpn. J. Appl. Phys. Part146巻巻 4A号号 (頁 1622 ~ 1624頁)

    発行年月:2007年04月

    著者氏名(共著者含):*Yoshifumi Yamashita, Yoshifumi Sakamoto, Yoichi Kamiura, and Takeshi Ishiyama

 

写真

氏名

山下 善文 (ヤマシタ ヨシフミ)

YAMASHITA Yoshifumi

所属専攻講座

自然科学研究科

職名

准教授

性別

男性

研究室住所

(日)〒700-8530岡山県岡山市北区津島中3-1-1

(英)3-1-1, Tsushima-naka, Kita-ku, Okayama 700-8530 Japan

メールアドレス

メールアドレス

研究分野・キーワード

(日)応用物性・結晶工学,格子欠陥

(英)Applied Physics of Property and Crystallography, Lattice Defects

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:博士(工学) (Doctor of Engineering)

    学位の分野名:応用物性・結晶工学 (Applied physical properties/crystal engineering)

    学位授与機関名:東京大学 (The University of Tokyo)

    取得方法:課程

    取得年月:1993年03月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 職務遂行組織:自然科学研究科

    経歴名:准教授 (Associate Professor)

    職務期間:2008年04月 ~ 継続中

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 /  日本国 ( 2012年10月 ~ 2017年09月 )

    役職・役割名:委員

    活動期間:2012年10月 ~ 2017年09月

    活動内容:研究委員会の委員として,研究会を企画・参加する。

  • 応用物理学会 (The Japan Society of Applied Physics)  /  日本国 ( 1991年01月 ~ 継続中 )

  • 日本物理学会 (The Physical Society of Japan)  /  日本国 ( 1987年12月 ~ 継続中 )

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 物性I (Physical properties I)

  • 電子・電気材料工学 (Electron/electric material engineering)

  • 応用物性・結晶工学 (Applied physical properties/crystal engineering)

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 研究課題名:半導体中の拡張欠陥に関する研究 (extended defects in semiconductors)

    キーワード:SiC,SiGe,Si,積層欠陥,転位,ダイナミックス,電子準位

    研究態様:機関内共同研究

    研究制度:その他の研究制度

    研究期間:2000年04月 ~ 継続中

    専門分野(科研費分類):物性I 、応用物性・結晶工学 、電子・電気材料工学

    専門分野(researchmap分類):格子欠陥

  • 研究課題名:多結晶シリコン中の結晶欠陥制御による高効率化 (Control of defects in mc-Si for highly efficient solar cell)

    キーワード:多結晶シリコン,結晶粒界,金属不純物

    研究態様:機関内共同研究

    研究制度:その他の研究制度

    研究期間:2000年04月 ~ 継続中

    専門分野(科研費分類):物性I 、応用物性・結晶工学 、電子・電気材料工学

    専門分野(researchmap分類):格子欠陥

  • 研究課題名:半導体中の点欠陥に関する研究 (point defects and their complexes in semiconductors)

    キーワード:SiGe,Si,水素不純物,金属不純物,複合欠陥,熱的挙動,電子準位

    研究態様:機関内共同研究

    研究制度:その他の研究制度

    研究期間:2000年04月 ~ 継続中

    専門分野(科研費分類):物性I 、応用物性・結晶工学 、電子・電気材料工学

    専門分野(researchmap分類):格子欠陥

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 年度:2017年度

    授業科目:表現技法2

    担当期間:2017年10月 ~ 2018年03月

    授業形式:

  • 年度:2017年度

    授業科目:電子情報システム工学特別研究

    担当期間:2017年04月 ~ 2018年03月

    授業形式:

  • 年度:2017年度

    授業科目:ナノデバイス・材料物性学演習

    担当期間:2017年04月 ~ 2018年03月

    授業形式:

  • 年度:2017年度

    授業科目:表現技法1

    担当期間:2017年04月 ~ 2017年09月

    授業形式:

  • 年度:2017年度

    授業科目:材料物性学

    担当期間:2017年04月 ~ 2017年09月

    授業形式:

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論文(総説以外) 【 表示 / 非表示

  • 論文題目名:Sb-doping effect on the dislocation motion in various Si1-xGex films(共著)

    記述言語:英語

    掲載種別:国際会議proceedings

    掲載誌名:Proc. The Forum on the Sciecne and Technology of Silicon Materials 2014 (頁 75 ~ 80)

    発行年月:2014年10月

    著者氏名(共著者含):Shinya Maki, Yoshifumi Yamashita, Tatsuya Fushimi, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, Takeshi Nishikawa, Yasuhiko Hayashi

    共著区分:共著

  • 論文題目名:Electric-field effects on the stability of impurity levels on a grain boundary in mc-Si for solar cells(共著)

    記述言語:英語

    掲載種別:国際会議proceedings

    掲載誌名:Proc. The Forum on the Sciecne and Technology of Silicon Materials 2014 (頁 209 ~ 213)

    発行年月:2014年10月

    著者氏名(共著者含):Masakazu Yabuki, Yoshifumi Yamashita, Tatsuro Tokura, Takeshi Nishikawa, Yasuhiko Hayashi

    共著区分:共著

  • 論文題目名:Effects of Sb-doping on Strain Relaxation of SiGe Film on Si Substrate(共著)

    記述言語:英語

    掲載種別:国際会議proceedings

    掲載誌名:AIP Conference Proceedings1583巻 (頁 119 ~ 122)

    発行年月:2014年02月

    著者氏名(共著者含):Yoshifumi Yamashita, Kan Tanemoto, Akihiro Tanaka, and Tatsuya Fushimi

    共著区分:共著

  • 論文題目名:Dislocation motion in Sb-doped SiGe on Si substrate (共著) ( Dislocation motion in Sb-doped SiGe on Si substrate "jointly worked")

    記述言語:英語

    掲載種別:学術雑誌

    掲載誌名:Physica Status Solidi A209巻 10号 (頁 1921 ~ 1925)

    発行年月:2012年10月

    著者氏名(共著者含):Yoshifumi Yamashita, Takuya Matsunaga, Toru Funaki, Tatsuya Fushimi, Yoichi Kamiura

    共著区分:共著

  • 論文題目名:Bistable character of a deep level in polycrystalline Si substrate for solar cell

    記述言語:英語

    掲載種別:国際会議proceedings

    掲載誌名:Physica B404巻 23-24号 (頁 5071 ~ 5074)

    発行年月:2009年12月

    著者氏名(共著者含):Y. Yamashita, M. Ochi, H. Yoshinaga, Y. Kamiura, T. Ishiyama

    共著区分:共著

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学会等における発表 【 表示 / 非表示

  • 会議区分:国内会議

    発表の種類:学会発表

    会議名称:日本物理学会2017年秋季大会

    開催期間:2017年09月

    題目又はセッション名:時間分解電子線回折法を用いたEuBaCo2O5.38の構造ダイナミクス計測

  • 会議区分:国内会議

    発表の種類:学会発表

    会議名称:第78回応用物理学会秋季学術講演会

    開催期間:2017年09月

    題目又はセッション名:超高速時間分解電子線回折から見たEuBaCo2O5.38の構造ダイナミクス

  • 会議区分:国内会議

    発表の種類:学会発表

    会議名称:第78回応用物理学会秋季学術講演会

    開催期間:2017年09月

    題目又はセッション名:巨大グレインMAPbI3-xClx薄膜の作製と評価

  • 会議区分:国内会議

    発表の種類:学会発表

    会議名称:第78回応用物理学会秋季学術講演会

    開催期間:2017年09月

    題目又はセッション名:CNT紡績糸の特性向上を目指したカーボンナノチューブの層数とチューブ径制御

  • 会議区分:国内会議

    発表の種類:学会発表

    会議名称:2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会

    開催期間:2017年07月

    題目又はセッション名:超高速時間分解電子線回折装置によるEuBaCo2O5.38の構造ダイナミクス

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学会等における役割 【 表示 / 非表示

  • シリコン材料の科学と技術フォーラム (The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama))

    役職・役割名:実行副委員長

    活動期間:2017年01月 ~ 2018年11月

  • 第29回半導体中の欠陥に関する国際会議 (29th International Conference on Defects in Semiconductors)

    役職・役割名:実行委員 (Organizing Committee)

    活動期間:2016年07月 ~ 2017年08月

  • 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第145回研究会【シリコンフォーラム,パワデバSi研究会他の注目発表」

    役職・役割名:世話人,座長

    活動期間:2015年10月

  • シリコン材料の科学と技術フォーラム (The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014 (Hamamatsu))

    役職・役割名:座長(ポスターセッションとショートプレゼンテーション) (Chair of Poster Session and Short Presentation)

    活動期間:2014年10月

  • シリコン材料の科学と技術フォーラム (The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014 (Hamamatsu))

    役職・役割名:実行副委員長

    活動期間:2012年12月 ~ 2014年10月

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生涯学習支援貢献 【 表示 / 非表示

  • 年度:2017年度

    2017年度応用物理学会リフレッシュ理科教室(第8回岡山会場,2017年11月26日)実行委員

  • 年度:2016年度

    2016年度応用物理学会リフレッシュ理科教室(第7回岡山会場,2016年11月27日)実行委員

  • 年度:2015年度

    2015年度応用物理学会リフレッシュ理科教室(第6回岡山会場,2015年11月29日)実行委員
    平成27年度岡山大学教員免許状更新講習「再生可能エネルギー有効利用技術(2015年度講習)」講義名「シリコン系ソーラーセルによる発電技術と今後の課題」(80分)と履修認定試験(40分)を担当

  • 年度:2014年度

    2014年度応用物理学会リフレッシュ理科教室(第5回岡山会場,2014年11月30日)実行委員

  • 年度:2013年度

    2013年度応用物理学会リフレッシュ理科教室(第4回岡山会場,2013年11月24日)実行委員

 

所属部局等の実績(委員等) 【 表示 / 非表示

  • 年度:2016年度

    委員会等の名称:放射光構造解析装置運営委員会

    役職:委員

    任期:2016年04月 ~ 2018年03月

  • 年度:2014年度

    委員会等の名称:放射光構造解析装置運営委員会

    役職:委員

    任期:2014年04月 ~ 2016年03月

  • 年度:2014年度

    委員会等の名称:工学部広報委員会

    役職:委員

    任期:2015年01月 ~ 2016年12月

  • 年度:2012年度

    委員会等の名称:放射光構造解析装置運営委員会

    役職:委員

    任期:2012年04月 ~ 2014年03月

  • 年度:2012年度

    委員会等の名称:学生生活委員会

    役職:委員

    任期:2012年04月 ~ 2014年03月